人工智能芯片是信息产业的核心,是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。随着人工智能及芯片技术的不断成熟,云计算、消费电子、无人驾驶、智能手机等下游产业的产业升级速度不断加快,中国AI芯片产业正处于高速发展时期。图1:中国AI芯片产业正处于高速发展时期中国人工智能芯片行业竞争梯队人工智能芯片是信息产业的核心,是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。人工智能芯片行业依据企业的注册资本划分,可分为3个竞争梯队。其中,注册资本大于10亿元的企业有华为、地平线;注册资本在1-10亿元之间的企业有:寒武纪、思必驰、天数智芯;其余企业的注册资本均在1亿元以下。图2:中国人工智能芯片行业竞争梯队(*数据来源:企查猫 前瞻产业研究院)目前,随着人工智能及芯片技术的不断成熟,云计算、消费电子、无人驾驶、智能手机等下游产业的产业升级速度不断加快,中国AI芯片产业正处于高速发展时期,AI芯片市场涵盖了家居、安防、交通、医疗、工业等多个领域。中国人工智能芯片行业市场集中度我国人工智能芯片产业起步晚,发展快;目前,我国人工智能芯片行业的头部上市公司有寒武纪、四维图新、北京君正、芯原股份等,根据这四家上市公司披...
捷捷微电子主要从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售。主营产品包含晶闸管、防护器件、二极管、MOSFET器件和芯片、SiC/GaN器件等。晶闸管、二极管等采用IDM垂直整合模式k,MOSFET采用Fabless+封测模式。图1:捷捷微电子公司办公大楼由于消费类需求不振,公司晶闸管等传统业务承压,1-3Q22公司主营业务收入为12.85亿元,同比下滑4.55%,实现归母净利润2.93亿元,同比-24.54%。车规级产品布局全面,MOSFET占比迅速提升。公司的车规级产品(MOS,TVS)可广泛应用在汽车助力转向、油泵、水泵以及车窗、座椅等。目前SGTMOS已实现车用,在客户开拓情况良好,超级结MOS开始量产,在公司8英寸产线产能逐步提升下,中高压功率半导体需求增长+国产替代的机会增加,车规级产品有望快速增长。2021年MOSFET国产化率为30.5%,预计至2026年MOSFET国产化率将达64.5%。根据公司公告,可转债募投的车规级封装产线项目达产后将形成每年20亿元的销售规模,截止2022年第三季度末已累计完成3.47亿元的工程量投资,项目将于2023年底完成建设。预测未来...
近日,MEMS传感器巨头芯动联科在科创板首发过会。招股书显示,芯动联科成立于2012年,主营业务为高性能硅基MEMS惯性传感器的研发、测试与销售,主要产品为高性能MEMS惯性传感器,包括MEMS陀螺仪和MEMS加速度计。芯动联科产品应用领域的包括工业生产、工业设备监测与维护、无人系统导航与控制、海洋监测、气象预报、水上水下无人设备导航与控制、石油勘探、测量与测绘、桥梁监测、地质勘探、灾情预警等领域。在未来产品发展方面,芯动联科指出,其应用领域将拓展至包括自动驾驶、机器人、民用航空、商业航天等。公司也在招股书中多次强调产品参数与国际MEMS传感器巨头具备竞争优势,能实现MEMS传感器高端应用领域的国产化进程。据招股书财务数据显示,2019年度、2020年度、2021年度和2022年1-6月,芯动联科分别实现营业收入7989.10万元、1.09亿元、1.66亿元及6797.03万元;分别实现归母净利润为3792.58万元、5189.91万元、8260.51万元及3106.44万元。其中,芯动联科的毛利率奇高:2019年度、2020年度和2021年度分别达到90.66%、88.25%和85....
自从新冠疫情爆发后,电子设备需求一度大幅增长,芯片制造商趁机扩大产能,但没过多久,消费者需求便明显下滑,芯片库存堆积如山,导致价格暴跌。由于需求历史性下滑,全球存储芯片价格去年下半年创下2008年以来最大的跌幅。目前不管是DRAM还是NAND,这两种存储芯片已经创下了2008年以来的新低,甚至跌至15年前了。市场研究公司TrendForce的最新数据显示,去年四季度,DRAM(动态随机存取存储器)的平均价格暴跌了34.4%,而三季度的跌幅为31.4%;NAND闪存在去年三季度和四季度的价格跌幅分别为32%和27.7%。图1:疫情爆发后,电子设备需求经历先暴涨后下跌,芯片库存堆积,导致价格暴跌存储芯片价格严重下滑,加上全球经济表现疲软,大多数芯片制造商在去年下半年削减了产能,并推迟了扩张计划。美光科技、SK海力士和铠侠(Kioxia)都公布了相应措施,试图通过控制供应过剩来稳定市场。分析人士指出,这些举措固然会影响企业利润,但“活下去”才是当务之急。相比之下,全球最大的内存供应商三星电子却反其道而行之,该公司仍坚持激进的资本支出计划,今年将斥资逾300亿美元进一步扩大产能。三星去年在芯片...
据悉,IGBT具有驱动功率小、电流容量大、开关频率高、控制电路简单、损耗低等优点,是一种较为理想的功率半导体。随着科技进步,大型电气设备种类不断增多,应用范围不断拓宽,高电压、大电流的高压大功率IGBT模块需求也随之不断增长。高压大功率IGBT模块可以广泛应用在高压输电、光伏发电、风力发电、工业控制、电动汽车、轨道交通、航空航天等领域。高压大功率IGBT模块在20世纪90年代开始研制应用,其最早应用于轨道交通领域。后来随着应用范围逐步拓宽,市场对高压大功率IGBT模块的稳定性、可靠性等要求越来越严苛。目前,高压大功率IGBT模块在高技术产业中的应用范围还在不断拓展,一直以来其制造主要采用硅材料,为进一步提高性能,碳化硅等新一代半导体材料应用比例不断攀升。在高压输电领域,高压大功率IGBT模块的高压直流输电技术日益成熟,与传统的晶闸管的输电技术相比,其占用空间小、灵活性高、传输容量大。在电动汽车领域,高压大功率IGBT模块可用来制造DC/DC变换器,DC/DC变换器是电动汽车中不可缺少的辅助性电子设备,其功能是将动力电池输出的高压电转换为低压电为汽车供电。此外,特高压直流输电具有输送容量...
近日华为举办了智能电动新品发布会,并发布了聚焦动力域的“DriveONE新一代超融合黄金动力平台”以及“新一代全液冷超充架构”的充电网络解决方案。其中,DriveONE新一代超融合黄金动力平台主要包括面向B/B+级纯电、B/B+级增程混动,以及A级纯电车型动力总成解决方案,目标是不断提升整车度电里程和升油里程,实现同等电池电量下得到更高的行驶里程。值得注意的是,该平台搭载了高效SiC碳化硅技术,性能、效率、充电速度及续航里程等水平领先业界,华为的碳化硅布局已早早拉开帷幕。作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅颇受资本市场青睐。碳化硅(SiC)器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点,被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。本次发布智能电动产品之前,华为在SiC领域的动作以投资布局SiC供应链企业为主。据化合物半导体市场不完全统计,华为通过旗下华为哈勃投资了SiC外延企业东莞天域、瀚天天成,衬底企业山东天岳、天科合达,设备相关企业特思迪,材料相关企业德智新材。早在2021年9月,华为发布了《数字能源2030》白皮书,表示未来十年是第三代功率半导...