拜登政府计划向三星提供64亿美元的资金支持,以助其在德克萨斯州中部建立规模庞大的新半导体芯片制造工厂。这一投资是美国政府希望彻底改变国内制造业结构的一系列举措中的最新动作。据悉,三星公司自身也预计将对该项目投入高达400亿美元的资金。这些资金将用于在位于奥斯汀东北部的泰勒市新建工厂,并扩展三星在奥斯汀现有的工厂设施。这些微型芯片将广泛应用于各种技术领域,包括人工智能、医疗设备(例如心脏起搏器)等,满足当今社会对高科技产品的广泛需求。两年前,拜登总统曾访问位于韩国平泽的三星公司园区。即将在德克萨斯州建立的新工厂将包含专门致力于研究与开发的设施,并且将具备从生产到封装芯片的全套能力。目前,美国制造的许多芯片仍需运送到台湾进行封装。图一:三星建设大型半导体厂在一次电话会议中,商务部长吉娜·雷蒙多向记者表示:“我们正在宣布一个前所未有的消息,三星将在美国进行核心的研发工作,同时在德克萨斯州支持规模化的未来制造以及先进的封装技术。”她将三星正在建设的设施描述为“巨型”——首个工厂的面积将相当于11个足球场。白宫预估,新工厂将带来1.7万个建筑行业工作岗位和超过4500个制造业职位。...
瓦伦西亚理工大学光子学研究实验室PRL-iTEAM团队联合iPRONICS公司共同设计并制造了一款具有革命性的芯片,这款芯片将广泛应用于电信行业、数据中心以及人工智能计算系统的基础设施中。这款芯片是全球首款具备通用性、可编程性和多功能性的光子芯片。该芯片能够作为数据高速公路上的桥梁,改变光学芯片之间的连接方式,其自校准的特性使其能够在现有基础设施中轻松“插入”并发挥功能。这款芯片的开发是UMWP-Chip项目的核心成果,其成果已经在《自然通讯》期刊上发表。这款由瓦伦西亚理工大学(UPV)和iPRONICS公司团队共同设计及制造的芯片,能够实现通信网络中无线和光子段的按需编程互连,人工智能、卫星通信、无人机技术以及自动驾驶等多个领域,为这些技术的发展和应用带来显著的益处。传统的芯片快速重编程过程既困难又昂贵,而这款自校准光子芯片克服了这些挑战,提供了一种经济高效的解决方案。图一:光子处理器件研究人员指出:“这款芯片是全球首款具备这些特性的产品。它能够实现这些系统所需的十二项基本功能,并且可以根据需求进行编程,从而提升了电路的工作效率。”研究人员进一步阐释说,在5G和自动驾驶等应用领域需要...
在AI时代下,半导体行业的复苏主要得益于AI技术对算力、存储性能和能效的推动,以及对芯片架构和先进封装技术的创新需求。AI的兴起带动了对高算力芯片的需求增长,特别是在数据中心和云计算领域,英伟达等公司的GPU产品因强大的并行计算能力而受到青睐。同时,AI大模型的训练和运行需要大量的数据处理和存储,这也促进了存储芯片市场的增长。然而,半导体行业在AI时代也面临着一系列挑战。首先,随着AI模型参数的不断增大,对芯片的计算能效提出了更高要求,这导致了对专用AI处理器的关注增加,如谷歌的TPU和Groq的LPU等。这些专用处理器在特定AI应用场景中展现出了明显的优势,如低功耗和高效率。此外,随着AI技术从云端向终端渗透,对低功耗、低成本的智能计算芯片的需求日益增长,存内计算等新技术可能成为边缘侧AI计算的新范式半导体行业的另一个挑战是如何处理日益增长的电力需求。AI技术的广泛应用导致对电力的需求飙升,这就需要宽禁带半导体和储能技术的进一步发展。同时,为了维持行业的可持续发展,半导体行业需要在提高能效和降低成本之间找到平衡点。技术迭代和创新也是半导体行业面临的重要挑战。随着AI技术的不断进步,半...
随着汽车行业逐步向电动汽车(EVs)和高级驾驶辅助系统(ADAS)转型,供应链也迎来了一场深刻的变革。近期出现的半导体供应短缺问题,以及每辆汽车对芯片需求的持续增长,迫使半导体供应商、一级零部件供应商和汽车制造商不得不重新审视他们的供应保障策略,同时考虑到半导体和软件差异化日益增长的重要性。随着电动汽车(EV)和高级驾驶辅助系统(ADAS)技术的兴起,每辆汽车所需的半导体设备变得更加多样化和复杂,这为半导体供应商带来了巨大的利益。与传统的内燃机汽车相比,这些新兴技术对半导体的需求有了显著提升。特别是随着行业向更高级别的自动驾驶功能发展,对于先进的逻辑集成电路(ICs)和相关软件平台的需求也随之增长。同时,为了支持人工智能(AI)技术在车辆内部的应用,对最前沿的半导体制造工艺的需求也在不断增加。在电动汽车(EV)领域,动力传动系统对半导体的需求尤为突出。这些功率半导体设备负责将电池的直流电压转换为电动机运行所需的交流电压。过去,硅绝缘栅双极晶体管(硅IGBTs)是该领域的主流技术。但现在,行业趋势正在向使用性能更优异的宽禁带(WBG)半导体材料转变,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。...
随着人工智能和机器学习领域对更快速、更强大的芯片需求不断增加,芯片竞争进入了一个新的高潮。在前几天Meta公司官网的文章中披露,该公司推出了其训练和推理加速器的第二代产品。这款芯片旨在为Meta的AI基础设施提供必要的计算能力。Meta公司去年首次推出了这款芯片,并宣称其第二代产品在性能上得到了显著提升。与英特尔(Intel)和英伟达(Nvidia)等芯片制造商近期争夺人工智能(AI)和高性能计算领域更快、更强大处理器的市场竞争不同,Meta并没有将其芯片产品针对大众市场的AI客户。相反,Meta选择了开发定制硅基芯片的道路,专门为满足公司自身的AI处理需求而设计。Meta公司表示,这款加速器由一个8×8的处理器元素网格构成。这些处理器元素带来了显著提升的密集计算性能以及稀疏计算性能。Meta公司解释说,这些性能上的改进主要得益于对稀疏计算流水线架构的优化和增强。Meta公司在新芯片的设计上进行了多项改进:首先,将每个处理器元素(PE)的本地存储容量提高了三倍;其次,将芯片上的静态随机存取存储器(SRAM)从64MB扩大到了128MB;再次,将芯片的带宽提升了3.5倍;此外...
在当今科技迅猛发展的时代,半导体材料和器件的研究与开发已成为推动信息技术进步的关键力量。近期,中韩科研人员在这一领域取得了重大突破,他们成功研发出高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件,这一成果不仅打破了长达二十余年的研究瓶颈,更为现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展注入了新的动力。非晶半导体因其低成本、易加工、高稳定性以及大面积制造均匀等特性,在电子器件制造中占有重要地位。然而,传统的非晶氢化硅由于电学性能不足,限制了其在高性能电子器件中的应用。特别是在追求更高频率和更低功耗的今天,对非晶P型半导体的需求日益迫切。科研人员一直在探索新型非氧化物P型半导体材料,以期在多晶态下展现更好的P型特性,但稳定性和均匀性等固有缺陷限制了它们的应用。中韩科研团队的这一突破性成果,提出了一种新颖的碲(Te)基复合非晶P型半导体设计理念。通过采用工业制程兼容的热蒸镀工艺,实现了薄膜的低温制备,这一创新不仅证明了在高性能、稳定的P沟道TFT器件和CMOS互补电路中的应用可行性,更为未来低功耗CMOS集成器件的商业化奠定了基础。图一:中韩科技人员在半导体材料领域取得突破研究团...