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SK海力士发布321层4D NAND技术：UFS 4.1芯片即将登陆多领域2025-05-232025年5月23日，全球领先的存储芯片制造商SK海力士宣布，其基于321层4D NAND闪存技术开发的UFS 4.1存储解决方案正式问世。这一突破性技术不仅将为智能手机带来性能与能效的双重提升，还计划在年内应用于PC固态硬盘（SSD）及数据中心领域，进一步巩固SK海力士在AI存储领域的领先地位。一、UFS 4.1芯片的性能与优势SK海力士的321层4D NAND UFS 4.1芯片在多项关键指标上实现了显著突破。数据显示，其最大顺序读取速度高达4.3GB/s，这一表现超越了主流PCIe NVMe Gen 3 SSD（通常最高约3.5GB/s），虽与前代238层产品的顺序读取速度持平，但随机读写性能提升显著——随机读取速度提升15%，随机写入速度提升40%。这意味着搭载该芯片的设备在多任务处理、应用启动和游戏加载等场景下将拥有更流畅的体验。在能效方面，新一代芯片较前代产品实现了7%的功耗优化，这对于智能手机等移动设备尤为重要，可在保持高性能的同时延长续航时间。此外，芯片厚度从1.00mm缩减至0.85mm，为轻薄型设备的设计提供了更大空间。容量方面，该芯片支持512GB和1TB两种规格... 查看更多 -
荷兰神经形态芯片初创公司 Innatera发布其首款商用微控制器2025-05-23荷兰神经形态芯片初创公司 Innatera 正式发布其首款商用微控制器——Pulsar，将“类脑智能”引入边缘设备。凭借超过十年的神经形态计算研究积累，Pulsar 实现了比传统 AI 处理器高达 100 倍的低延迟和 500 倍的能效优势，为传感器端部署实时智能开辟了全新路径。脑启未来：类脑智能走向边缘设备随着传感器无处不在，从可穿戴设备、智能家居到汽车与工业系统，对边缘侧实时、低功耗、安全处理数据的需求日益迫切。Pulsar 应运而生，它让“传感器自己思考”成为可能——无需借助能耗巨大的主处理器或依赖云端运算，便可在本地完成复杂的数据处理与智能判断。“Innatera 并非在做一颗普通的 AI 芯片，而是推动智能边缘进入全新时代。”Innatera 联合创始人兼 CEO Sumeet Kumar 表示，“Pulsar 不只是我们十年技术积累的成果，更是我们面向大规模市场落地的重要一步。未来需要具备实时响应、极致低功耗、原地决策能力的智能系统，而 Pulsar 就是打开这扇未来大门的钥匙。”革命性架构：神经形态与传统处理融合Pulsar 采用基于脉冲神经网络（Spiking Neur... 查看更多 -
富士康百亿投资印度，苹果供应链外迁背后的“惊涛骇浪”2025-05-232025年5月23日，一则消息在科技与商业领域投下“震撼弹”——据《金融时报》报道，苹果主要供应商富士康不顾美国总统特朗普的反对，宣布推进在印度金奈附近建设一座15亿美元（约合108亿元人民币）组件工厂的计划，进一步扩展苹果在印度的供应链布局。这一举措看似是企业逐利的常规操作，实则在苹果产业链发展、全球供应链重塑以及地缘政治等多维度激起千层浪，以下将从多层面剖析此事件背后的深层逻辑与影响。一、苹果的供应链多元化“谋局”长期以来，苹果的生产制造高度依赖中国，超90%的组装环节集中于此。然而，随着中美贸易摩擦阴云笼罩，加征关税使苹果产品成本攀升。例如，2018年美国对价值2000亿美元中国输美商品加征10%关税后，苹果产品价格应声上涨，当年第四季度营收增速较上一年同期放缓3个百分点。将生产环节逐步转移至印度，成为苹果降低贸易风险、稳定成本的关键一步棋。据CounterpointResearch预测，2025年印度将贡献全球iPhone产量的32%，而2024年这一比例仅为18%，短短一年内超10个百分点的跃升，彰显苹果供应链外迁速度之快、力度之大。苹果并非单纯的“逃离中国”，而是出于全球战... 查看更多 -
华为之后，小米上场：中国第二个自研SoC玄戒O1意味着什么？2025-05-23在全球智能手机市场竞争日益激烈的背景下，自主研发系统级芯片（SoC）已成为衡量一家科技企业核心竞争力的重要标志。继华为之后，小米于2025年5月22日正式发布了其首款自研SoC芯片——玄戒O1，标志着小米在芯片研发领域迈出了关键一步。一、小米自研芯片的历程与战略转型小米的芯片研发还要追溯到2014年，那一年，小米成立了全资子公司北京松果电子，启动了“澎湃”项目。2017年，推出首款自研芯片澎湃S1，采用28nm工艺，定位中高端市场，但由于性能与市场反馈不及预期，后续的澎湃S2未能成功推出。此后，小米调整策略，转向研发电源管理、影像处理等“小芯片”，积累技术经验。2021年，小米在决定进军智能汽车领域的同时，重启“大芯片”项目，成立上海玄戒技术有限公司，专注于高端SoC芯片的研发。经过四年多的努力，玄戒O1于2025年5月发布，标志着小米在自研芯片领域实现了从“小芯片”到高端SoC的跨越。二、玄戒O1的技术规格与性能表现玄戒O1采用台积电第二代3nm工艺制程，集成了约190亿个晶体管，芯片面积约为109㎜²。CPU架构为十核四丛集设计，包括2个X925超大核（3.9GHz）、4个A725... 查看更多 -
续航超600公里！红旗EH7、天工08闯中东，挑战特斯拉2025-05-23近年来，全球新能源汽车市场呈现爆发式增长，各大汽车品牌纷纷加速布局，抢占市场份额。在这一背景下，中国一汽红旗品牌于2025年5月18日在约旦安曼地标酒店St.Regis举行红旗EH7及天工08两款纯电新能源车型上市活动，正式开启其中东新能源领域新布局，向特斯拉等国际新能源巨头发起挑战。一、红旗新能源车型的技术优势红旗EH7和天工08在技术性能上展现出红旗品牌的强大实力。2025款红旗EH7纯电轿车尺寸为498019151490mm，轴距达3000mm，CLTC续航600-820公里，售价20.88万元起；红旗天工08中大型SUV提供多款配置，CLTC续航520-730公里，售价21.59万元起。相较之下，特斯拉Model 3的EPA续航里程为339-402公里，ModelY的EPA续航里程为253-330公里，红旗车型在续航里程上具有一定优势。图：红旗纯电轿车EH7图：红旗智造豪华纯电SUV，天工08红旗新能源车型的电池技术是其核心竞争力之一。据中国一汽官方资料，红旗EH7采用高能量密度三元锂电池，能量密度可达180Wh/kg以上，且配备先进的电池管理系统，可实现精准的温度控制和能量回... 查看更多 -
突破瓶颈：铁磁半导体实现530 K居里温度，助力室温自旋电子器件发展2025-05-22铁磁半导体（Ferromagnetic Semiconductors, FMSs）兼具半导体与磁性材料的独特特性，是构建兼具电子与自旋功能的新一代自旋电子器件的理想候选。然而，FMSs在实际应用中长期面临一个关键瓶颈——居里温度（Curie Temperature, TC）过低，难以满足常温下稳定运行的要求。尽管此前已有研究将TC提升至420 K，高于室温，但仍不足以支撑高效的自旋功能器件。这一难题甚至被《Science》杂志于2005年列为全球125个未解科学问题之一。以往研究中常用的材料如（Ga,Mn）As，由于居里温度较低，难以实用于实际器件。而试图通过在窄带隙半导体如GaSb中引入Fe元素以提升TC的做法，受限于高浓度掺杂导致晶体质量下降，难以实现兼顾高TC与高结晶质量的材料设计。针对这一挑战，日本东京工业大学的Pham Nam Hai教授团队提出创新解决方案。他们采用高偏角（10）GaAs (100)台阶衬底上的step-flow生长法，成功制备出高品质的（Ga,Fe）Sb铁磁半导体薄膜。这一方法显著提升了材料在高Fe掺杂浓度下的结晶性，使得Fe含量高达24%的样品依旧保持良... 查看更多
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