援引日经新闻网的消息,澳大利亚的科学家正在研究采矿废料,以便提供先进半导体和其他先进技术所必需的材料。在现代科技飞速发展的背景下,半导体材料作为电子设备的核心组成部分,其来源和制造过程逐渐受到关注。芯片材料的主要原料大多源自各种矿物,这些矿物通过提炼和加工,转化为用于制造高性能芯片的材料。那么芯片材料主要有哪些呢?1. 硅矿石:半导体的基石硅(Si)是半导体行业中最常用的材料,其主要来源为硅矿石(如石英)。石英矿石中含有高纯度的二氧化硅(SiO₂),经过高温熔炼和提纯,便可得到高纯度的单晶硅。这种硅材料广泛应用于集成电路和微电子器件中,是现代电子设备不可或缺的基础。2. 砷化镓与砷矿砷化镓(GaAs)是一种用于高频和高效能应用的重要半导体材料。它的主要成分——砷,来自砷矿(如黄铁矿)。砷化镓在射频应用和光电器件中表现优异,使得它在通信和光电子领域得到了广泛应用。3. 铟矿与新兴技术铟是用于氧化铟镓(InGaAs)等半导体材料的关键元素,主要来源于铟矿。随着高效太阳能电池和光电探测器的兴起,铟的需求量不断增加,其在半导体领域的应用也愈发重要。图:澳大利亚寻求废弃矿物 芯片材料有哪些?4....
应用材料东南亚有限公司(Applied Materials South East Asia Pte. Ltd.)与新加坡国立大学(NUS)进一步加强合作,致力于提升新加坡的先进半导体研究能力和人才发展机会。在国家研究基金会(NRF)的支持下,该合作项目纳入了2025研究、创新与企业计划(RIE2025)。自2018年成立以来,位于NUS肯特岭校园的应用材料-NUS先进材料企业实验室将进行扩建,配备最先进的半导体加工设备,并设有更大、更先进的洁净室。此外,应用材料与新加坡国立大学还在加强新加坡人才培养的项目方面展开合作。新加坡副总理兼国家研究基金会主席黄循财先生今天在NUS出席了庆祝新阶段的仪式,众多来自行业、地方研究生态系统和政府机构的嘉宾也出席了此次活动。“六年前,NUS与应用材料首次建立企业实验室时,我们奠定了合作的基础,而这一合作自那时起取得了显著成功,”NUS校长陈永杰教授表示。“在这里开发的多项创新成果已经从研究阶段推进到规模化阶段,为能惠及社会的实际应用铺平了道路。我们非常期待与应用材料开启新的合作篇章,进一步推动半导体科学与技术的发展,激励下一代创新者在这一重要领域突破界...
在过去十年中,两个技术领域迅速发展:人工智能(AI)和物联网(IoT)。AI系统在数据分析、图像识别和自然语言处理等任务中表现出色,已经在学术界和工业界获得了显著的认可。同时,电子技术的进步使得设备的微型化成为可能,从而创造出能够连接互联网的紧凑型IoT设备。专家们预测未来IoT设备将随处可见,构成一个高度互联的生态系统的基础。AI与IoT的融合是一个快速发展的领域,它涉及到技术革新、应用拓展以及未来趋势等多个方面。随着边缘计算、5G技术以及智能化应用的不断成熟,AI与IoT将为智能生活、智能城市和智能工业等领域带来更深远的影响。边缘计算与5G技术的结合将成为未来的主要趋势,自主学习与自适应系统的发展也是重要的技术趋势。然而,将AI能力集成到IoT边缘设备中面临着重大挑战。人工神经网络(ANN)作为AI的重要组成部分,通常需要大量的计算能力。与此相对,IoT边缘设备被设计为小型且资源受限,具有有限的功率、处理能力和电路空间。因此,开发能够有效学习和在这些限制内运行的ANN成为了一项重大难题。为了解决这一问题,东京科学大学的川原隆之教授和藤原雄也正在积极研究创新解决方案。在他们最近于20...
德州仪器(TI)宣布,其位于日本会津的工厂已正式启动氮化镓(GaN)基功率半导体的生产。通过结合位于德克萨斯州达拉斯的 GaN 制造工厂,TI 现已将内部生产的 GaN 基功率半导体数量增加了四倍,随着会津工厂逐步投入生产。TI日本负责人Samuel Vicari曾透露,TI将主要投资福岛县的会津工厂以扩大产能,将GaN半导体提升为会津工厂的主要产品,进一步扩大GaN晶圆产能。据称,TI在日本增加GaN制造能力是为了扩大内部生产、满足市场需求、利用技术优势、优化供应链管理、推动GaN技术在消费电子领域的应用,并实现环境效益。GaN 技术的优势作为硅的替代材料,氮化镓在能效、开关速度、功率解决方案的体积和重量、整体系统成本以及高温和高压性能等方面具备明显优势。GaN 芯片能够提供更高的功率密度,即在更小的空间内实现更大的功率,支持笔记本电脑和手机的电源适配器,以及用于空调和家用电器的更小、更高效的电机等应用。TI 目前提供了最广泛的集成 GaN 基功率半导体产品组合,覆盖从低压到高压的范围,以实现最高的能效、可靠性和功率密度。图:德州仪器员工正在检查成品GaN芯片(图源;半导体文摘)先进...
在人工智能的浪潮中,人形机器人正逐渐从科幻走向现实,成为推动产业数字化、智能化发展的关键装备。2024年10月28日,中国在人形机器人领域迈出了坚实的一步,全国首批人形机器人具身智能标准在上海发布,这不仅是技术进步的体现,更是市场即将爆发的信号。一、技术标准发布的深远影响《人形机器人分类分级应用指南》和《具身智能智能化等级分级指南》的发布,为中国乃至全球的人形机器人技术发展提供了统一的技术语言和明确的发展方向。这些标准将人形机器人的技术等级细分为L1至L4,智能化等级从G1至G5,覆盖了从基础到高级智能化水平的全方位能力。这样的细分不仅有助于行业内部的技术交流与合作,还为相关企业在研发和市场定位上提供了重要参考,有效降低了技术壁垒,促进了资源的合理配置。与此同时,这些标准的推出也将吸引更多的投资者和创业者进入这一市场。明确的标准意味着市场成熟度的提升,这对投资者而言,是一个重大的利好消息。标准化能够降低投资风险,增加市场预期,从而激励更多的技术研发与创新。图:《人形机器人分类分级应用指南》和《具身智能智能化等级分级指南》发布(图片来源:浦东发布公众号)二、产业规模与市场潜力根据21财经...
在全球半导体行业竞争日益激烈的背景下,台积电(TSMC)凭借其卓越的技术创新和强大的生产能力,继续引领行业发展。近期,台积电在高雄厂的建设进展显著,其2nm制程技术预计将在2025年如期量产。这一消息不仅标志着半导体技术的重大突破,也将进一步巩固台积电在市场中的竞争优势。中国出海半导体网将从技术突破、环境可持续性、市场反应与行业影响、市场挑战与机遇等多个方面深入分析台积电的2nm制程技术及其潜在影响。一、技术突破与性能提升台积电的2nm制程技术采用了创新的纳米片晶体管架构(Nanosheet),即GAAFET(环绕栅极晶体管),替代了传统的FinFET架构。这一转变不仅显著提升了晶体管的性能,还大幅降低了功耗。根据台积电公布的数据,2nm制程芯片的性能有望提升10%至15%,而功耗则能够降低25%至30%。这样的进步将为高性能计算(HPC)和人工智能(AI)应用提供强有力的支持。此外,2nm制程的晶体管密度提高了15%,意味着更多复杂功能可以集成在同一芯片上,从而提高了处理能力和数据处理效率。这一技术的应用将极大推动各类智能设备的发展,从移动终端到数据中心,都将受益于其高性能和低功耗的...