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21年经验！前台积电高管加盟三星，170亿晶圆代工厂要撼动北美战局？2025-06-03在全球晶圆代工竞争愈发白热化的当下，企业间的“人才战”也日益激烈。近日，三星电子高调聘请了在台积电任职21年的资深高管Margaret Han，并任命其为三星北美晶圆代工业务负责人。这一动作不仅是三星全球化战略的重要一环，也透露出其意图在北美晶圆代工市场发起新一轮攻势的决心。与此同时，三星在美国得克萨斯州泰勒市投资170亿美元兴建的先进制程晶圆厂也将于2025年投入运营，剑指台积电长期占据主导地位的北美高端客户市场。那么，三星的这一系列布局能否真正撼动北美晶圆代工格局？一、从台积电到三星：资深人才的战略转向根据LinkedIn资料，Margaret Han自2000年加入台积电，历任技术开发、制造整合及客户支持等关键岗位，是台积电微米级制程向纳米级制程跃迁的亲历者和推动者之一。她参与了多个核心项目，包括28nm、16nm及7nm制程工艺的工艺集成与量产导入，为台积电先进制程的量产良率与客户满意度提升发挥了关键作用。离开台积电后，Han曾在英特尔及恩智浦半导体担任高管职位，扩展了她在芯片设计与系统集成方面的专业能力，也对北美客户生态建立起更广泛的理解。2024年3月，三星电子正式聘请她领... 查看更多 -
3万美元一片！台积电2纳米制程天价起航，半导体产业路在何方？2025-06-03在技术驱动型产业中，半导体行业始终走在全球科技变革的最前沿。2024年，台积电（TSMC）正式启动2纳米制程（N2）试产，每片晶圆的代工报价高达3万美元（约合人民币21.6万元），再次引发行业广泛关注。如此高昂的价格背后，不仅是一项尖端技术的商业化落地，更代表着整个半导体产业即将迈入一个全新的发展阶段——以极致工艺为标志的“精尖制程时代”。一、2纳米时代开启：台积电的技术赌局与成本高墙台积电在2纳米制程研发上的投资规模前所未有。据公司披露，其在新竹宝山、高雄等地新建2纳米生产线的初期资本支出超过400亿美元，仅2023年研发投入就高达57.6亿美元，占其全年营收的9%以上。业内权威机构IC Insights指出，全球半导体产业2023年研发支出总额为约1470亿美元，而台积电、英特尔、三星三巨头合计占据了近一半的比重。2纳米制程标志着台积电首次引入全环绕栅极（GAA）晶体管架构——即纳米片（nanosheet）技术，取代此前长期主导的FinFET晶体管。在性能方面，据台积电官方数据，N2相较于N3E可在相同功耗下提升10-15%的性能，或在相同性能下降低25-30%的功耗，并使晶体管密... 查看更多 -
多铁材料突破：电场驱动磁化翻转助力低功耗存储2025-06-03在数字化时代对更大存储容量与更快读写速度的持续追求下，磁性存储技术正逐步成为前沿研究的热点。然而，传统磁性存储设备存在一项固有缺陷：它们依赖电流产生磁场以实现磁化方向的翻转，这一过程伴随着较大的能量损耗，主要以热量形式散失。因此，如何在不牺牲性能的前提下进一步降低磁性存储的功耗，成为研究人员关注的焦点。多铁性材料因同时具备铁电性与铁磁性，被视为下一代存储技术的潜在颠覆者。理想状态下，这类材料的磁化应能够通过电场而非电流来操控，从而有效减少能耗。但长期以来，研究受限于一个普遍假设：为了有效翻转磁化方向，外加电场的方向必须与磁化反转方向一致，这一认知制约了多铁性器件的发展。针对这一挑战，日本东京工业大学的重松敬助理教授与特别聘任副教授Hena Das，联合研究生伊藤拓真和东工业大学教授东正树，以及住友化学公司，共同在多铁性材料研究上取得了关键性突破。他们的成果已发表在《Advanced Materials》期刊上。团队首次实验证明，在BiFe₀.₉Co₀.₁O₃这类罕见的单晶薄膜多铁材料中，即使电场方向与磁化方向垂直，也能实现磁化翻转。这种材料在室温下表现出铁电性与铁磁性的耦合特性，为未来... 查看更多 -
预计2031年半导体老化测试系统市场规模将达到14亿美元2025-06-03全球半导体老化测试系统市场在2024年估值为7.56亿美元，预计到2031年将增长至14.48亿美元，年均复合增长率达9.9%。推动该市场持续扩张的背后，是多个行业对高可靠性电子元件的强劲需求，包括汽车、航空航天、消费电子和数据中心等领域。随着集成电路日趋复杂，且应用日益向关键性场景延伸，制造商愈加重视通过老化测试排除早期失效产品，确保长期稳定运行。先进封装、小型化芯片以及5G设备的兴起，使得对更严苛测试标准的需求不断增长。同时，半导体产能扩张以及测试外包服务的普及，也进一步带动了老化测试系统的需求。在各种测试方式中，动态老化测试扮演着重要角色。通过在加电状态下同时施加热和信号应力，该测试方式模拟实际应用环境，能有效识别潜在故障。尤其是在AI、5G和物联网等前沿应用加速落地的背景下，芯片性能稳定性成为重点关注对象，动态老化测试的重要性愈发凸显。相比之下，静态老化测试则通过施加持续的电压和温度压力，在无信号切换的条件下进行筛查，适用于如存储器和模拟电路等器件。该方式虽然测试条件相对温和，但同样擅长揭示潜在早期失效，特别适合发展中国家的制造商在追求可靠性的同时控制成本。随着集成电路的体积进... 查看更多 -
全球半导体行业动态：技术合作、地缘布局与市场应对2025-06-032025 年 6 月，全球半导体行业延续着高活跃度，头部企业在技术研发、地缘布局与市场策略上动作频频，既有跨国巨头的深度合作，也有地缘政治影响下的产能调整，更有针对出口限制的产品迭代。以下从技术合作、区域布局、市场应对三个维度解析近期行业焦点。一、技术合作：跨国巨头联手突破存储瓶颈英特尔与软银的合作成为近期技术领域的一大亮点。据 Tom's Hardware 报道，双方合资成立了 Saimemory 公司，旨在开发堆叠式 DRAM 替代方案，以缓解高带宽内存（HBM）的供应压力。该技术融合了英特尔的先进封装工艺与日本的专利技术，目前已进入原型开发阶段，计划在 2030 年前实现商业化落地。这一合作的背景是 HBM 在 AI 服务器领域的需求爆发式增长，导致全球供应链紧张。英特尔的 Foveros 封装技术可实现芯片堆叠的高密度互联，而日本在存储材料领域的专利积累则为性能优化提供支撑。软银不仅注资推动研发，更计划通过旗下愿景基金获取优先供货权，意图在下一代 AI 基础设施中占据先机。二、地缘布局：台积电中东设厂与美国出口政策博弈台积电的海外扩产计划再次引发地缘关注。有消息称，台积... 查看更多 -
英飞凌推出自主制造辐射加固GaN晶体管，强化太空电源方案布局2025-05-30英飞凌科技公司近日宣布，推出其首款采用自主CoolGaN®技术制造的辐射加固氮化镓（GaN）晶体管，标志着其高可靠性电源解决方案进入全新阶段。该产品不仅适用于严苛的太空环境，还成为业内首款获得美国国防物流局（DLA）依据联合军种空间规范 MIL-PRF-19500/794 颁发的最高等级 JANS 质量与可靠性认证的内部制造GaN器件。此次推出的辐射加固型高电子迁移率晶体管（HEMT）专为轨道航天器、载人航天任务以及深空探测等关键航天应用打造。通过将GaN HEMT的卓越性能与英飞凌50余年来在高可靠性领域的丰富经验相结合，这一系列新器件在能效、热管理和功率密度方面均表现出色，助力打造更小型、更轻便、更可靠的太空电源系统。新产品也进一步完善了英飞凌现有的辐射加固硅基MOSFET产品线，为航天客户提供更完整的功率解决方案组合。图：英飞凌推出自主制造辐射加固GaN晶体管，强化太空电源方案布局英飞凌高可靠性事业部高级副总裁兼总经理 Chris Opoczynski 表示：“我们正以全新的GaN晶体管系列产品不断突破电源设计的极限。这一重要里程碑，为关键国防和航天任务带来了新一代高可靠性电源解... 查看更多
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