据报道,SemiQ公司,作为高压、高效应用领域先进碳化硅(SiC)解决方案的领先设计者、开发者及全球供应商,重磅推出了一系列全新的1200V SiC MOSFET六单元模块。这一举措,无疑为众多行业带来了新的希望与机遇。随着各行业对电力密度和能源效率的要求越来越高,SemiQ的这款新产品应运而生。它旨在满足大规模、更紧凑且更具成本效益的系统设计需求,能够广泛应用于多个领域,缓解当前电力系统在空间和成本上的压力。这款SiC MOSFET六单元模块,采用了先进的平面技术,其坚固的栅氧化层结构,搭配集成的可靠体二极管,从根源上保障了卓越的性能。在模块的电路拓扑设计上,采用了三相桥结构,同时具备直流负端分裂、压接式端子连接和开尔文源连接等特性。这些设计不仅确保了稳定的电气性能,还能有效提升信号的完整性,让模块在运行过程中更加可靠。在性能方面,该模块表现十分出色。高速开关特性使其拥有低开关损耗和极小的结壳热阻,具备优秀的热性能和电气性能。模块在研发过程中经过了严苛的测试,不仅能在超过1350V的电压下正常运行,还进行了全面的100%晶圆级老化测试(WLBI)。这些测试确保了模块在各种苛刻的工作条...
近日,美光宣布基于市场细分对业务部门进行重组。这一决策旨在充分利用人工智能(AI)在从数据中心到边缘设备等各个市场领域所驱动的变革性增长机遇。美光科技在动态随机存取存储器(DRAM)和闪存(NAND)技术领域,长期处于行业领先地位,历经多代技术迭代,积累了深厚的技术底蕴。其产品组合在行业内首屈一指,涵盖了各类高性能内存和存储产品,并且凭借世界级的制造执行能力,能够为不同终端市场的客户提供差异化解决方案。然而,随着人工智能技术的飞速发展,高性能内存和存储在推动 AI 进步过程中扮演着愈发关键的角色。从大规模数据处理到复杂模型训练,AI 对内存和存储的性能、容量以及速度都提出了极为苛刻的要求。在这样的行业变革背景下,美光科技进行业务部门重组是顺势而为。此次重组共设立了四个业务部门,每个部门都有着明确的市场定位和任务分工。云内存业务部门(CMBU)主要针对大型超大规模云客户提供内存解决方案,并为所有数据中心客户提供高带宽内存(HBM)。HBM 在人工智能数据处理中至关重要,它能够显著提升数据传输速度,满足 AI 模型对海量数据快速读写的需求。领导该部门的 Raj Narasimhan 此前领...
根据麦肯锡的报告,在过去二十年里,当今主导产业(即“今日竞技场”)深刻地改变了我们的生活,而未来的新兴产业(“明日竞技场”)则有望带来更为深远的变革。在前两章中,我们回顾了过去的发展历程,并剖析了当前竞技场在数字技术推动下的成长与演进。本章则聚焦未来,探索18个具有高成长性和高度活力潜力的“明日竞技场”。这些领域覆盖交通、医疗、数字连接、能源和娱乐等多个关键行业,未来有望引发系统性变革。2022年,这18个潜在竞技场的年营收总额已达到7.2万亿美元。根据模型预测,到2040年,这一数字可能增长至29万亿至48万亿美元之间,年均复合增长率为8%至11%。相比之下,当前竞技场在2005至2020年间的年均增长率为10%,而其他行业同期的平均增速仅为4%。若按这些行业典型的税后利润率计算,到2040年,明日竞技场的利润总额有望达到1.9万亿至6.1万亿美元。从全球经济的角度来看,竞技场所占全球GDP的比重也将不断上升:从2022年的4%预计增长至2040年的10%至16%,相当于未来GDP增长总额的18%至34%。事实上,当前竞技场也曾经历类似趋势:2005年,这些行业占全球GDP的比重为3...
公司概况武汉芯源半导体有限公司,于2018年8月28日成立,是上市公司武汉力源信息技术股份有限公司全资子公司,专注芯片的设计、研发、销售及技术服务。武汉芯源半导体CW品牌源于Creative Wisdom首字母CW,传递“创芯源于智慧”的品牌理念。作为中国本土的MCU厂商,武汉芯源半导体始终坚持以创新驱动发展,专注32位MCU芯片设计,致力于提供本土化、工业级、高品质、低成本的集成电路产品。 武汉芯源半导体为电子行业用户提供微处理器MCU、小容量存储芯片EEPROM、功率器件SJ-MOSFET等系列产品,具有产品质量保证、技术性能可靠、供货能力稳定三大竞争优势。 在MCU领域目前已推出通用高性能CW32F003/030系列、安全低功耗CW32L083/031/052系列、无线射频CW32W031系列产品,广泛应用于消费电子、智能家居、物联网、工业控制、医疗电子以及汽车电子行业,未来将能够满足更多的市场需求。 武汉芯源半导体持续进行技术革新,确保稳定可靠的供应链能力,致力于成为国产芯片产业的领航者!图:武汉芯源半导体荣膺21ic电子网2024年度“创新驱动奖”竞争优势产品质量保证芯源半导...
随着全球对自主可控技术的高度关注和国内“国产替代”战略的稳步推进,存储芯片作为信息系统的核心部件,已成为国家重点发展的关键技术之一。在这一背景下,佰维存储凭借两款标志性产品——100%国产化的电力专供eMMC和全国产自研的车规级eMMC,成功突围,展现了中国存储产业的强劲实力。这不仅标志着佰维技术路线的成熟和落地,也为国产高可靠存储在关键领域的应用提供了范例。一、电力专供eMMC:国产存储为“国之基建”保驾护航在4月14日于江苏常州召开的第五十届中国电工仪器仪表产业发展大会上,佰维存储正式发布了其电力行业专用eMMC存储芯片。据官方资料显示,该产品采用全国产芯片及自主固件算法设计,覆盖8GB至128GB容量区间,并支持-40℃至105℃的工业宽温范围,P/E(擦写)寿命高达30,000次以上,能有效满足电力行业对高可靠性、长生命周期和极端环境适应性的苛刻要求。电力系统通常工作在户外、无人值守和高频数据写入的环境中,对存储芯片的可靠性、安全性、功耗控制和掉电保护机制提出了极高标准。佰维的这款eMMC具备包括掉电保护、pSLC模式、冗余数据校验等多重技术保障,在突发断电、温度骤变、瞬时电压...
在全球半导体产业持续向高性能计算(HPC)和人工智能(AI)场景倾斜的大背景下,HBM(高带宽内存)作为突破数据传输瓶颈的关键器件,正成为存储技术演进的焦点。三星电子作为长期位居全球DRAM市场龙头的厂商,其在HBM4芯片研制过程中的“冰火两重天”现状,再次将其置于行业聚光灯之下。一方面,三星在HBM4逻辑芯片上取得了显著进展:采用4nm工艺制造的逻辑Die测试良率已达40%,远高于业界新节点10%的普遍起步水平;而另一方面,其计划搭配的1c nm DRAM芯片却受制于电容漏电问题,开发进度迟滞,严重制约了HBM4整体解决方案的商业化节奏。这种一喜一忧的局面,折射出当今高端存储芯片研发中“制造工艺-材料物理-系统封装”多重复杂变量交织的挑战,也为三星未来在高性能存储市场的地位增添了诸多变数。一、HBM市场竞争格局:从“失利”到“反攻”高带宽内存已成为AI服务器与GPU加速器的标准配套。根据TrendForce 2024年初的数据,全球HBM市场已进入高速增长期,其中HBM3/3E出货量在2024年预计同比增长超过200%。SK海力士凭借其在HBM3和HBM3E中的技术成熟度与可靠供货能...