据报道，SemiQ公司，作为高压、高效应用领域先进碳化硅（SiC）解决方案的领先设计者、开发者及全球供应商，重磅推出了一系列全新的1200V SiC MOSFET六单元模块。这一举措，无疑为众多行业带来了新的希望与机遇。
随着各行业对电力密度和能源效率的要求越来越高，SemiQ的这款新产品应运而生。它旨在满足大规模、更紧凑且更具成本效益的系统设计需求，能够广泛应用于多个领域，缓解当前电力系统在空间和成本上的压力。
这款SiC MOSFET六单元模块，采用了先进的平面技术，其坚固的栅氧化层结构，搭配集成的可靠体二极管，从根源上保障了卓越的性能。在模块的电路拓扑设计上，采用了三相桥结构，同时具备直流负端分裂、压接式端子连接和开尔文源连接等特性。这些设计不仅确保了稳定的电气性能，还能有效提升信号的完整性，让模块在运行过程中更加可靠。
在性能方面，该模块表现十分出色。高速开关特性使其拥有低开关损耗和极小的结壳热阻，具备优秀的热性能和电气性能。模块在研发过程中经过了严苛的测试，不仅能在超过1350V的电压下正常运行，还进行了全面的100%晶圆级老化测试（WLBI）。这些测试确保了模块在各种苛刻的工作条件下，都能稳定、可靠地运行。
图：SemiQ推出1200V碳化硅MOSFET六单元模块，赋能高性能电力系统
从应用场景来看，这一系列模块的适用范围非常广泛。在AC/DC转换器中，它能高效实现电流转换；在储能系统里，有助于提升储能和释放能量的效率；对于电动汽车快速充电基础设施而言，可大幅缩短充电时间；在电池充电单元、电机驱动、PFC升压转换器、感应加热和焊接设备、可再生能源系统以及不间断电源（UPS）等领域，也都能发挥关键作用。值得一提的是，该模块能在高达175°C的结温下正常工作，并且支持直接安装在散热器上，这使得它在散热空间有限的环境中，也能轻松实现集成。
在产品规格方面，此次推出的初始产品包含三个不同的型号。电阻为20mΩ的GCMX020A120B2T1P，功率耗散额定值为263W；40mΩ的GCMX040A120B2T1P，功率耗散额定值为160W；80mΩ的GCMX080A120B2T1P，功率耗散额定值为103W。它们都能传导连续漏极电流，范围在29A - 30A之间，脉冲漏极电流最高可达70A。在开关性能上，导通开关能量在0.1mJ - 0.54mJ之间，关断开关能量在0.02mJ - 0.11mJ之间，开关时间（包括导通延迟、上升、关断延迟和下降时间）在56ns - 105ns范围内。而且，所有这些电气性能指标都是在25°C的结温下测定的。
目前，这些模块已经可以立即投入市场。其采用了62.8mm×33.8mm×15mm的紧凑封装，还集成了便于安装散热器的结构，极大地降低了安装难度，提高了使用便利性。
SemiQ推出的1200V SiC MOSFET六单元模块，凭借其出色的性能、广泛的适用性和便捷的安装设计，有望在高性能电力系统领域掀起新的变革，推动各行业电力应用的升级与发展。
