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态度大转变？特斯拉巨额采购激光雷达引争议2024-05-13近期，特斯拉的一项投资决策引起了行业的广泛关注。据媒体报道，特斯拉在第一季度向激光雷达供应商Luminar采购了价值超过210万美元（约合人民币1500万元）的货品。这一行为与其CEO埃隆·马斯克过往对激光雷达技术的批评态度形成了鲜明对比，引发了业界对于特斯拉技术路线和未来战略的广泛猜测。一、投资事件概述特斯拉对激光雷达厂商Luminar的大额采购，似乎与马斯克之前对激光雷达技术的强烈批评相悖。这一出人意料的投资行为，不仅令人质疑特斯拉在自动驾驶技术上的立场是否发生了变化，也引起了市场对特斯拉未来战略方向的广泛猜测。二、市场反应与技术路线探讨马斯克曾将激光雷达技术称为“傻子的玩意”，并坚持特斯拉自动驾驶技术将完全基于摄像头的“纯视觉”方案。然而，特斯拉此次对Luminar的投资行为，可能预示着其在自动驾驶技术上的某种转变。市场对此反应强烈，认为特斯拉可能在探索将激光雷达技术与现有纯视觉系统结合，以提升自动驾驶的性能和安全性。图：特斯拉巨额采购激光雷达引争议三、对行业的影响分析特斯拉的这一举措可能会对自动驾驶行业产生深远影响。如果特斯拉确实开始采用激光雷达技术，其他汽车制造... 查看更多 -
AI供全球7万亿美元“红包”，我们准备好了吗？2024-05-13在全球经济的版图上，人工智能（AI）技术正以迅雷不及掩耳之势，重塑着每一个角落。预测显示，AI将为全球经济贡献高达7万亿美元的价值，这一数字无疑像一颗重磅炸弹，震撼着每一个国家、每一个行业、每一个劳动者的心。但在这场被认为比肩工业革命的AI革命面前，我们真的准备好了吗？一、AI技术的经济效益麦肯锡全球研究院的研究表明，AI技术的应用将为全球经济贡献约7万亿美元的价值，特别是在高科技、先进制造、电子与半导体、能源和银行等行业，AI的影响将尤为显著。然而，这一巨大的经济潜力背后，是对技术、人才、政策等多方面准备的全面考验。图：AI将贡献全球7万亿美元“红包”二、就业市场的转型与挑战预计到2030年，约70%的公司将采用至少一种形式的AI，这将导致约50%的工作内容实现自动化，对劳动力市场的冲击不言而喻。劳动者必须进行技能转型和升级，教育体系亟需改革以适应新的挑战。三、伦理与法律的挑战AI“复活”技术引发的伦理争议，凸显了AI技术发展中必须面对的伦理和法律问题。技术的发展不能突破国家安全、社会公共利益和公序良俗的底线，需要法律法规的引导和约束。四、国际竞争与合作AI技术的国际竞争日趋激烈，同... 查看更多 -
芯片越来越小 SRAM安全问题加剧2024-05-11根据摩尔定律预测，集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，性能也随之提升，功耗也会更低。近年来，芯片制程不断突破，芯片被分解成小芯片，静态随机存储器的安全问题也随之加剧。随着新的和现有技术手段的结合使用，黑客能够在设备断电后更长时间内访问数据，这使得SRAM（静态随机存取存储器）的安全问题日益严重。尤其是在设计前沿从平面系统级芯片（SoC）过渡到封装内异构系统的趋势中，这种情况更令人担忧，比如在人工智能或边缘计算中使用的那些系统，其中芯片组经常拥有各自的内存层级。到目前为止，易失性内存相关的网络安全问题大多集中于DRAM（动态随机存取存储器），因为它通常是外部的，相对容易受到攻击。与此相反，SRAM由于没有像DRAM那样明显的脆弱组件，如对热敏感的电容器，过去一直较难成为攻击的目标。然而，随着系统级芯片的解构和设备中功能的增加，SRAM的安全风险正在显著增加。例如之前CPU大厂英伟达遭受黑客组织勒索病毒攻击等。与通过网络实施的攻击相比，如针对DRAM的rowhammer攻击，冷启动攻击在操作上相对简便。图：芯片越来越小 SRAM安全问题加剧究其被黑客入侵的主要原因，就是因为芯片上... 查看更多 -
AI内存成科技巨头新战场2024-05-11近年来，人工智能快速发展。人工智能的崛起是21世纪最显著的技术趋势之一，它正在以前所未有的速度和规模重塑世界。而AI芯片的关键之一高带宽内存（HBM）成为行业的焦点。与传统DRAM相比，HBM有着许多显著的优点。例如：HBM通过使用TSV（硅通孔）技术将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，这种设计允许更多的内存芯片紧密连接到处理器或GPU，从而实现更高的内存容量和带宽。HBM提供比传统DDR内存更高的内存带宽，这对于需要处理大规模数据集和复杂计算任务的高性能计算、深度学习和图形渲染等应用至关重要。另外，由于HBM的堆叠设计和更短的数据传输路径，其功耗相对较低。HBM内存芯片与CPU或GPU封装在同一模块中，有助于减小芯片的物理尺寸，使得高性能计算设备更加紧凑和便携。对于高性能计算和AI服务器，因其高带宽和高容量特性，能够满足这些应用对数据处理速度的极高要求。图：HBM成科技巨头新宠自2016年第一代HBM1发布以来，HBM技术已经经历了多次迭代，每一代产品都在带宽、I/O速率、容量等方面取得了显著提升。生成式AI的出现让高带宽炙手可热，根绝市场调查数据显示，2024全年HBM供应给位元年增... 查看更多 -
美光率先出货用于 AI 数据中心的关键内存产品2024-05-11在人工智能和高性能计算领域，内存的性能和容量一直是限制整体系统效率的关键因素。为了应对这一挑战，美光科技（Micron Technology Inc.）近日宣布，已在业界率先验证并出货了一款专为AI数据中心设计的128GB DDR5 RDIMM内存模组。这一里程碑事件标志着美光在内存技术领域的新突破，同时也为AI和HPC应用提供了更为强大的内存支持。美光的128GB DDR5 RDIMM内存模组采用了业界领先的1β（1-beta）制程技术，相较于采用3DS硅通孔（TSV）技术的竞品，该模组在容量密度上提升了45%以上，能效提升了高达22%，延迟降低了高达16%。这些提升使得美光的这款内存模组在所有主流服务器平台上能够达到5600 MT/s的速率，满足了内存密集型生成式AI应用对速率和容量的严苛要求。图：美光DDR5 128GB RDIMM （图源：美光科技）该内存模组特别针对数据中心常见的任务关键型应用，包括但不限于人工智能（AI）和机器学习（ML）、高性能计算（HPC）、内存数据库（IMDB），以及需要对多线程、多核通用计算工作负载进行高效处理的场景。通过提供大容量、高带宽... 查看更多 -
先进封装中电迁移问题日益严重2024-05-11随着芯片速度需求的不断增长，需要通过将更多能量传输到日益微缩的器件上来实现，从而导致了电流密度的增加，这对长期的芯片可靠性构成了威胁。尽管这个问题已被广泛认知，但在前沿设计中对其进行控制却变得越来越困难。特别值得关注的是电迁移问题，在具有多个芯片片的先进封装中，电迁移问题愈发棘手。其中，各种键合和互连方案会带来材料和几何形状的突变。例如，电子可能会从铜线路流动到锡银铜（SAC）焊料凸点，然后转向基于镍的凹点金属层，最后流入中继器的铜垫。这种流动可能导致原子的移动，进而引发高密度扇出封装中的焊点失效或铜重分布层的故障。在微电子封装中，特别是随着集成电路的微型化和集成度的提高，微焊点间的距离越来越小，导致互连焊点中的电流密度不断增加。这种高电流密度环境下，电迁移现象会导致金属互连线上形成空洞、小丘或凸起，破坏焊点，进而影响整个电路的可靠性。具体来说，电迁移可能导致以下问题：空洞：金属互连结构上的空洞出现将导致电路的断路或线路电阻的增加，从而引起电路功能的失效。小丘（或晶须）：小丘（或晶须）的出现将导致相邻互连的短路，导致极其严重的可靠性问题。图：先进封装中电迁移问题日益严重特别是在超大规模... 查看更多
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