本月,中国工业和信息化部(工信部)针对锂电池行业发布了《锂电池行业规范条件(2024年本)》征求意见稿,这一政策文件为行业的未来发展提供了明确的方向和规范。产业布局与项目设立新规明确了锂电池企业及项目应符合国家资源开发利用、生态环境保护、节能管理、安全生产等法律法规要求。特别是在永久基本农田、生态保护红线等区域,不得建设锂电池及配套项目,现有企业则需按规定逐步迁出或拆除。图:工信部发布锂电池行业征求意见稿技术创新与产能优化新规鼓励企业减少单纯扩大产能的制造项目,转而加强技术创新、提高产品质量、降低生产成本。这一点对于推动产业转型升级、优化产能结构具有重要意义。生产经营与工艺水平企业应具备独立法人资格、独立生产销售能力,并在研发及工艺改进上投入不低于主营业务收入的3%。新规还提出了具体的生产工艺和设备要求,如电极涂覆均匀性监测、含水量控制、电极毛刺控制等。产品性能标准新规对消费型、动力型(包括小动力型和大动力型)、储能型锂电池的性能提出了具体要求,包括能量密度、循环寿命等关键指标。例如,消费型锂电池的单体电池能量密度不得低于260Wh/kg,电池组能量密度不得低于200Wh/kg。安全与...
2024年5月21日,深圳市坪山区人民政府与复旦大学微电子学院签署了合作备忘录,标志着双方在集成电路与半导体产业领域的合作迈入新阶段。此举不仅是对国家集成电路产业发展政策的积极响应,更是对集成电路人才培养机制的一次重要创新。集成电路产业的重要性集成电路作为现代电子信息产业的核心,对国家安全和经济发展具有重大的战略意义。近年来,随着全球科技竞争的加剧,我国集成电路产业面临人才短缺的问题日益凸显。在此背景下,加强集成电路人才培养,成为推动产业持续健康发展的关键。合作内容与目标根据备忘录,双方将依托坪山区在集成电路和半导体产业的“强制造”基础,结合复旦大学微电子学院在科研、人才、平台方面的优势,共同开展应用技术研究、成果转化和产业化、平台共建、政产学研合作以及人才交流培养等多方面合作。目标是提升集成电路科研和产业创新转化水平,助力坪山区打造具有国际竞争力的集成电路与半导体产业集群。图:复旦大学联手深圳坪山打造集成电路与半导体产业集群(图片来自南方都市报)人才培养的战略布局复旦大学微电子学院作为国内集成电路领域的重要人才培养基地,拥有丰富的科研攻关团队和全产业链布局。此次合作,学院将与坪山区共...
北京,这座创新之城,再次见证了国内半导体设备制造领域的一大突破。北京中电科电子装备有限公司(以下简称“北京中电科”)近期交付了多台国内首创的WG-1220自动减薄机,这不仅是公司技术实力的体现,更是国产半导体设备自主创新的重要里程碑。国内首创,满足定制需求北京中电科公司的WG-1220自动减薄机,是国内首创产品,具有占地面积小、集成度高、适用性强等优势。这款万能自动减薄机,广泛适用于硅、环氧树脂、钽酸锂、铌酸锂、陶瓷、蓝宝石等多种硬质和脆性材料以及电子元件产品的磨削加工。单主轴单工位的结构,使其占地面积仅为1.47平方米,根据产线工艺需求可支持轴向进给(In-Feed)磨削原理和深切缓进给(Creep-Feed)磨削原理,满足多种定制需求。图:北京中电科交付国内首创的WG-1220自动减薄机技术创新,深耕细作北京中电科公司作为国内重要的半导体设备供应商之一,是中电科电子装备集团有限公司的全资控股公司。公司主要从事集成电路、第三代半导体及其他分立器件领域用减薄机、划片机、研磨机等设备的研发生产和销售,覆盖4英寸、6英寸、8英寸和12英寸晶圆的材料加工、芯片制造和封装等工艺段。荣誉与使命北...
随着电力电子技术的不断进步,高可靠性功率半导体正成为推动行业创新的关键因素。在即将到来的PCIM 2024展会上,这一领域的最新技术将得到全面展示,为行业带来一场技术和创新的盛宴。纳微半导体引领行业潮流纳微半导体(Navitas Semiconductor),作为氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率半导体技术的领导者,将在PCIM 2024上展示其下一代高功率、高可靠性的功率半导体技术。这些技术专为快充、功率转换和储能、电机驱动等应用设计,旨在提供最安全、最高效、最可靠的功率器件解决方案。创新技术展示纳微半导体的展台将成为PCIM 2024上的亮点之一,展出的技术和产品包括:1. GaNSafe宽禁带平台:这是一个安全、可靠的大功率旗舰产品,代表了公司在高功率应用领域的最新成就。2. 第四代GaNSense Half-Bridge半桥氮化镓功率芯片:这一产品以其高集成度引领行业,为设计更小型化、更高性能的电力电子设备提供了可能。3. 第三代快速GeneSiC功率FETs:这些功率FETs专为电机驱动和能量存储应用设计,预计将为这些领域带来颠覆性的变化。图:高可靠性功率半导体技术亮相P...
随着人工智能技术的飞速发展,对于数据处理能力的处理和存储容量的需求也在不断增加。传统的内存和显存技术在面临AI计算时,往往会遇到宽带和容量上的瓶颈,这就是所谓的“内存墙“问题。然而,随着高带宽内存(HBM)技术的出现,这一问题得到了有效的解决,HBM内存与AI处理器的结合,正在加速人工智能的未来。一、HBM内存技术的特点HBM内存技术采用了3D堆叠技术,将多个DRAM芯片堆叠在一起,通过垂直互连通道(TSVs)连接,从而实现了高密度、高带宽和低延迟的内存解决方案。与传统的GDDR5和GDDR6显存相比,HBM内存具有以下几个显著的特点:高带宽:HBM内存的带宽可以达到传统显存的数倍,这使得它能够更快地传输数据,满足AI处理器对高带宽的需求。高容量:HBM内存采用了多层堆叠技术,可以在小尺寸的封装中实现大容量的存储,从而满足AI计算中大型数据集的需求。低功耗:HBM内存采用了先进的制造工艺和散热技术,能够在保证高性能的同时降低功耗,提高系统的稳定性和可靠性。图:HBM与AI处理器的融合 加速人工智能的未来二、HBM内存与AI处理器的完美结合AI处理器是人工智能技术的核心部件,它负责执行复...
近年来,国际地缘贸易关系日趋紧张,特别是在EUV光刻机受到严格管制后,中国转向加大成熟工艺芯片工厂的建设力度,显著提升了其整体性能。根据分析师在1月11日发布的研究报告所述,基于中国本土制造商的当前规划,预计中国芯片产能将在接下来的五年至七年内实现一倍以上的增长。与此同时,国际半导体产业协会(SEMI)近期发布的最新报告也证实了全球晶圆厂产能的增长趋势。尽管2023年全球半导体行业面临挑战,但全球晶圆厂的产能仍实现了5.5%的增长,达到每月2960万片晶圆,增长势头并未减缓。其中,中国大陆成为了这一增长趋势的主要引领者。随着科技的快速发展和数字化转型的推进,全球对半导体的需求持续增长。为了满足这种需求,中美等半导体大国纷纷加大投资,扩大生产能力。这不仅包括先进的工艺节点,也包括一些已经相对成熟的工艺。因为这些成熟工艺在生产效率、成本和市场接受度等方面仍具有竞争力,特别是在某些特定应用领域。数据显示,中国在2023年的成熟工艺产能已经占据了全球成熟工艺产能的29%,位居全球首位。这一显著的增长态势引起了国际社会的广泛关注,特别是美国的注意。因此,有美国议员甚至联名发出呼吁,要求对成熟制程...