近日,台积电南京工厂成功获得了美国商务部VEU(Verified End-Use)永久许可,这一里程碑式的事件标志着台积电在半导体制造领域的重要地位得到了进一步的巩固,同时也为其中国大陆的业务发展提供了有力支持。VEU是美国政府为了促进美国企业与外国合作伙伴的贸易往来而设立的一种特殊认证项目。只有经过美国政府审核和批准的外国终端用户,才能获得VEU地位,并享受在特定范围内无需申请许可就能从美国进口受限制的商品、软件或技术的便利。VEU永久许可的获得意味着台积电南京工厂在未来可以更自由地采购所需的半导体制造设备和原料,无需担心受到美国出口禁令的限制。这将极大地提高台积电南京工厂的生产效率和灵活性,有助于更好地满足市场需求。其次,VEU永久许可的获得也是对台积电在半导体制造领域技术实力和管理水平的认可。作为全球领先的半导体制造商之一,台积电一直致力于提供高质量的半导体产品和服务,其南京工厂作为其在中国大陆的重要生产基地,也一直保持着高效、稳定的生产状态。获得VEU永久许可也将进一步巩固台积电在全球半导体领域的领先地位。图:台积电南京工厂获美国VEU永久许可台积电表示,获得VEU永久许可权后...
近日,罗姆半导体与中国最大的智能座舱SoC制造商南京芯驰科技有限公司宣布双方已联合开发了一款智能座舱参考设计。该设计主要基于芯驰的X9M和X9E汽车SoC,并包括罗姆的PMIC、SerDes IC、LED驱动器IC和其他组件。此外,还提供基于该设计的参考板,参考板由核心板、SerDes板和显示板组成。近年来,随着汽车智能驾驶舱和 ADAS 的普及,汽车电子及零部件的需求也随之增加。PMIC 和 SerDes IC 是汽车电子系统的核心,其性能直接影响整个系统的稳定性和效率。在此背景下,罗姆的 PMIC 和 SerDes IC 实现了电源模块的高集成度,同时支持高速数据传输期间的更高稳定性。罗姆半导体和芯驰科技 自 2019 年以来一直在进行技术交流,特别是在汽车驾驶舱应用开发方面。2022 年,两家公司建立了战略合作伙伴关系,共同开发汽车领域的先进技术。这导致罗姆 的组件(例如 PMIC 和 SerDes IC)被集成到芯驰的 X9H 车载 SoC 的参考板中。此后,该参考板已被多家汽车制造商采用,为驾驶舱和其他车辆应用提供高级功能。此次,罗姆与芯驰合作开发了 搭载车载 SoC X9M...
激光雷达产业的发展经历了从奢侈品时代到轻奢时代,再到平权时代的过程。2024年开始,激光雷达将从20-30万乘用车价格带向15-20万突破,实现技术的下放和智驾平权。光雷达技术,作为自动驾驶和智能汽车领域的关键组件,其市场神话仍在续写。速腾聚创最新发布的财报显示,2024年第一季度车载激光雷达销量达到11.6万台,实现了同比542%的惊人增长。速腾聚创在资本市场的表现同样令人瞩目。1月5日,公司在港股IPO后市值达到193.2亿港币,成为全球市值最高的激光雷达上市公司。3月27日,速腾聚创发布的年报显示,2023年销售了25.95万台激光雷达,营收同比增长111%。到了第一季度,公司营收达到3.611亿元,市值一度超过300亿港币,稳居全球市值最高的激光雷达企业宝座。图:车载激光雷达示意图(图片来自网络)尽管市场热情高涨,激光雷达的市场渗透率却远低于预期。2023年,激光雷达市场渗透率仅为3%,国内汽车市场保有量计算,渗透率甚至在1%-2%之间徘徊。与毫米波雷达和摄像头等成熟技术相比,激光雷达上车的潜力巨大。速腾聚创和禾赛科技作为国内激光雷达行业的“双雄”,在第一季度的营收表现相近,但...
在全球半导体产业的快速发展中,台积电(TSMC)作为行业的领头羊,其技术进步和产能扩张一直是业界关注的焦点。最新消息显示,台积电计划在2024年将3nm芯片的产量增长300%以上,这一计划将进一步巩固其在全球半导体市场的领导地位。3nm技术是台积电在先进制程技术方面的重要里程碑。与5nm技术相比,3nm技术在逻辑密度、功耗和性能方面都有显著提升。这一技术的进步不仅能够满足高性能计算(HPC)、人工智能(AI)、移动设备等领域对芯片性能的极端需求,同时也为台积电带来了新的增长动力。台积电3nm芯片产量的大幅增长,背后是市场需求的强劲推动。随着5G、云计算、物联网等技术的快速发展,对高性能芯片的需求日益增长。台积电的主要客户,包括苹果、英伟达、AMD等,都在积极寻求更先进的芯片技术以支持其产品的创新和发展。图:台积电3nm芯片产量预计在2024年增长300%以上为了实现2024年3nm芯片产量增长300%以上的目标,台积电正在采取一系列措施来扩大产能。这包括对现有生产线的升级改造、新建工厂以及对研发的持续投入。据报道,台积电已经在南科的Fab 18厂区加速扩张3nm代工产能,并计划将月产能...
Arteris, Inc. 是一家加速片上系统 (SoC) 创建的系统 IP 提供商,而 Andes Technology 是 RISC-V International 的创始成员兼高性能/低功耗 RISC-V 处理器 IP 供应商,今天宣布双方建立合作伙伴关系,以推动基于 RISC-V 的 AI、5G、网络、移动、存储、AIoT 和空间应用的 SoC 设计的创新。Andes QiLai RISC-V 平台是一款开发板,配备 QiLai SoC,采用 Andes 的 RISC-V 处理器 IP 以及用于片上连接的 Arteris FlexNoC 互连 IP。QiLai SoC 集成了运行频率为 2.2 GHz 的 Andes 64 位 AX45MP 多处理器(集群中四个内核)和运行频率为 1.5 GHz 的 NX27V 矢量处理器,使用 Arteris 片上网络 (NoC) 互连 IP,并配备使用 AMBA AXI 协议的 PCIe、DDR、SRAM 和通用 IO 子系统。支持软件包括 OpenSUSE Linux 发行版、AndeSight™ 工具链、AndeSoft™ 软件堆栈和 ...
在全球半导体市场中,DRAM(动态随机存取存储器)一直占据着举足轻重的地位,广泛应用于计算机、服务器以及消费电子等领域。然而,近期市场传出的消息显示,DRAM产品可能面临供不应求的局面,这主要源于HBM(高带宽存储器)产能的排挤效应。HBM作为一种新兴的内存技术,以其高带宽、低延迟的特点,在高性能计算、人工智能等领域得到了广泛应用。随着这些领域技术的不断发展和市场的持续扩大,HBM的需求也呈现出快速增长的趋势。然而,HBM的生产过程对DRAM晶圆的需求极高,因为HBM是通过堆叠多个DRAM芯片制成的。这导致在半导体制造过程中,HBM的生产会占用大量的DRAM晶圆产能。HBM作为一种新型存储技术,主要用于满足高性能计算(HPC)、人工智能(AI)、数据中心等领域对高带宽和大容量存储的需求。市场研究机构Yole预计,到2024年,HBM市场规模将达到141亿美元,到2029年将增至380亿美元,显示出强劲的增长势头。图:受HBM产能排挤DRAM产品恐面临供不应求根据最新的市场分析报告,随着HBM需求的持续增长,其所需的DRAM晶圆产能也在不断增加。而由于HBM的良品率相对较低,且制造周期较...