随着人工智能处理器电力需求的增加,服务器电源需要在不超过服务器机架规定尺寸的前提下,提供越来越多的电力。这是因为GPU的能源需求激增,专家预测,到2030年底,每片芯片功耗可能达到2kw甚至更多。英飞凌公司表示,能源的需求和市场用户群体等的需求将促使SiC MOSFET的开发扩展到650V以下的电压。该公司现在正推出全新的CoolSiC MOSFET 400V系列,该系列是基于今年3月份推出的第二代(G2)CoolSiC技术的升级版。SiC MOSFET在开关时的损耗较低,这使得它们在功率转换应用中比传统的硅基MOSFET更高效。这款新的MOSFET产品组合是专为AI服务器的AC/DC阶段而开发的,与英飞凌今年5月份公布的PSU路线图相辅相成。此外,这些设备还适用于太阳能和储能系统(ESS)、逆变电机控制器、工业和辅助电源(SMPS)以及住宅建筑的固态断路器。图:英飞凌CoolSiC 400V MOSFET英飞凌公司相关负责人表示:“英飞凌提供广泛的高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合,以满足AI服务器电源的苛刻设计和空间要求,”“我们致力于通过CoolSiC MOSFET 400...
根据Fact.MR市场调查报告预测,全球SiC和GaN功率半导体市场将以22.9%的年复合增长率从2024年的14.1亿美元增长至2034年的110.8亿美元。由于其适合高温和高频应用的特性,SiC和GaN功率半导体在汽车、可再生能源、工业和消费电子领域的到广泛的应用。在汽车领域,它们可以制造节能型电动和混合动力汽车。由于其有效的能量转换能力,工业环境中的SiC和GaN功率半导体用于可再生能源逆变器和电机驱动器。SiC器件因其具有低开关和高温稳定性,可减少电动车系统的效率并延长电池寿命。另一方面,它也可以减少电动车的体积和重量,提高整体性能。业内人士指出,消费电子小型化趋势是推动高需求的一个关键因素。SiC和GaN功率半导体市场竞争激烈,行业巨头正在采取扩张战略来增加其产品供应和市场覆盖率。比如,2023年10月,英飞凌科技公司宣布收购GaN Systems,与此同时,2023年,日本的Flosfia开始提供由氧化稼制成的电源芯片。据悉,这种芯片的能效甚至比GaN和SiC还高。图:SiC和GaN功率半导体市场年复合增长率22.9%中国公司如天科合达、天岳先进等也在积极追赶,并取得了显著...
随着人工智能(AI)技术的快速发展,对于计算能力的需求也在不断增长。为了满足这种需求,高性能的内存解决方案变得至关重要。HBM内存芯片作为其中的佼佼者,正在逐渐成为人工智能领域的新宠,为AI技术的创新和应用提供了强大的动力。HBM是一种创新的内存技术,它通过垂直堆叠多个DRAM(动态随机存取存储器)芯片,实现了极高的带宽和低延迟。这种设计使得HBM能够在保持较小体积的同时,提供比传统内存更高的数据传输速率和更大的容量。因此,HBM在需要高性能计算的应用中,如人工智能、深度学习、高性能计算等领域,展现出了巨大的优势。解决“内存墙”问题在人工智能应用中,随着模型复杂度的增加,对内存带宽和容量的需求也在不断增加。传统的内存技术往往无法满足这种需求,导致出现了所谓的“内存墙”问题。而HBM通过其高带宽和低延迟的特性,能够有效地解决这一问题,提高AI算法的性能和效率。图:海力士HBM内存芯片优化系统性能HBM不仅提供了更高的内存带宽和容量,还通过优化电源传输架构和散热设计,使得整个系统的性能得到了进一步的提升。这种优化使得AI服务器能够处理更复杂的任务,提高了系统的整体性能和稳定性。推动AI技术...
生成式人工智能是指能够创建新内容的人工智能系统,这些内容可以是文本、图像、音频或视频等。这类AI系统通过学习大量数据,理解数据中的模式和结构,并能够生成新的、以前未见过的数据实例。通过深度学习技术,生成式AI能够模仿并超越原始数据分布,在教育、娱乐、媒体、设计等多个行业产生深远影响。大模型技术的发展与算力提升为生成式AI提供了强大支撑,丰富的训练数据资源也推动生成式AI快速发展。虽然现有的边缘 AI 加速器都不适合变压器,但半导体行业正在努力弥补这一缺陷。苛刻的计算要求从三个不同的层面得到解决:创新架构、硅片向较低技术节点的扩展以及多芯片堆叠。然而,数字逻辑的进步并没有解决内存瓶颈问题。相反,它们导致了所谓的“内存墙”这一不良影响。记忆墙是一个比喻,用来描述当处理器速度提升而内存访问速度跟不上时,系统性能受限的情况。随着处理器技术的发展,CPU的速度越来越快,但内存技术的进步速度却没有跟上,导致内存成为了性能瓶颈。这就像一堵墙,阻碍了数据流的快速传输。图:生成式人工智能与记忆墙:IC 行业的警钟多年来,内存壁垒一直困扰着半导体行业,而且随着每一代处理器的推出,这一问题都愈发严重。为了应...
近日,马来西亚总理安瓦尔·易卜拉欣宣布,马来西亚的半导体产业投资目标至少为5000亿林吉特(约合1070亿美元)。这一巨额投资旨在提升马来西亚在全球半导体产业中的地位,并推动其向全球制造业中心的目标迈进。马来西亚此前已推动新的工业总体规划(NIMP)2030,旨在发展前端制造能力。此次投资目标更是聚焦于集成电路设计、先进封装等高端制造领域,旨在实现产业结构的转型升级,提升产业链的整体价值。作为全球半导体测试和封装市场的重要参与者,马来西亚已占据13%的市场份额。近年来,该国成功吸引了包括英特尔和英飞凌在内的全球半导体巨头数十亿美元的投资。安瓦尔表示,新的投资计划将聚焦于集成电路设计、先进封装及半导体芯片制造设备等领域。这笔投资将主要用于半导体产业的多个领域,包括集成电路设计、先进封装和半导体芯片制造设备。这些领域是半导体产业的核心组成部分,对于提高马来西亚在全球半导体产业中的竞争力具有重要意义。图:马来西亚斥资千亿投资半导体此外,马来西亚还计划在半导体芯片设计和先进封装领域培育至少10家本土公司。这些公司的预期年营收将在2.1亿美元至10亿美元之间,为马来西亚的半导体产业注入新的活力。...
比亚迪作为新能源汽车的领军企业,其技术创新和产品迭代一直备受业界关注。近日,比亚迪发布了第五代DM技术,这一技术以其卓越的性能参数——2.9L的全球最低百公里亏电油耗和2100公里的综合续航能力——再次刷新了公众对插电混动汽车性能的认知。技术亮点解析第五代DM技术的核心亮点在于其三大架构的创新:以电为主的动力架构、全温域整车热管理架构和智电融合电子电气架构。- 以电为主的动力架构:这一架构通过提升发动机热效率至46.06%,实现了更高的能量转换效率,从而降低了油耗并提升了续航能力。- 全温域整车热管理架构:通过第二代电池直冷系统,实现了能耗的大幅度节省,同时提升了电池的均温性,这对于保证电池在不同温度下的性能至关重要。- 智电融合电子电气架构:通过集成插混动力域控七合一,提升了功率密度和整车的集成度,增强了整车性能。图:比亚迪第五代DM技术开创油耗2时代深度分析1. 技术创新的行业影响:比亚迪第五代DM技术的发布,不仅是对比亚迪自身产品力的一次重大提升,也可能对整个插电混动汽车市场产生深远影响。它将推动行业向着更高效率、更长续航的方向发展。2. 市场竞争的新格局:随着秦L DM-i和海...