在全球能源转型和可持续发展的大潮中,电池技术作为新能源领域的核心,正在以前所未有的发展速度进行着变革。锂电池虽然以其卓越的性能成为市场的主导者已经长达数十年,但其局限性也在日益凸显。本文中,中国出海半导体网将尝试深入探讨主流的“锂电池替代产品”的技术前沿、市场动态,并结合行业案例,为半导体行业的从业者提供全面的行业分析。行业背景电池技术是新能源车、移动设备和储能系统的核心。随着这些领域的快速发展,对电池性能的要求也越来越高。锂电池虽然具有高能量密度和长循环寿命等优点,但其资源的地理分布不均、成本问题和安全顾虑限制了其进一步发展。因此,行业正在寻求替代技术,以期实现性能与成本的平衡。锂电池替代产品概览钠离子电池、钾离子电池、固态电池,以及氢燃料电池是目前讨论度较高的锂电池替代产品,他们每种都具有自己独特的优势和挑战,中国出海半导体网整理如下:图:四大锂电池替代产品优劣势对比图:锂离子电池、钠离子电池和钾离子电池各项指标对比优势与挑战分析以下是对上述替代技术的深入分析,我们将结合行业内的具体案例进行更深入的分析和讨论:1. 钠离子电池钠离子电池因其低成本和高安全性而备受瞩目。宁德时代作为全...
引言:能源存储的前景在全球能源转型和电动汽车迅速发展的背景下,高效、安全且具备成本效益的电池技术需求不断增加。尽管锂离子电池长期主导市场,但由于资源有限和成本高昂,行业内正在寻找替代方案。钾离子电池的出现,标志着能源存储技术的一个重要突破。技术创新:钾离子电池的诞生Group1公司推出了全球首款18650圆柱形钾离子电池。该电池不仅在尺寸上与传统的18650锂离子电池兼容,更在材料和性能上实现了显著创新。该电池采用钾离子作为电荷载体,并结合了市场上常见的商用组件,如石墨负极、隔膜和电解质配方,从而简化了供应链并减少了对关键矿物的依赖。图:Group1公司推出全球首款18650圆柱形钾离子电池性能优势:钾离子电池的特点钾离子电池展示了与磷酸铁锂电池相当的160-180Wh/kg能量密度,并且具有优越的循环寿命和强大的放电性能。这些特点使其在电动汽车等高性能移动应用中具有巨大的应用潜力。同时,钾离子电池的3.7V标称电压确保了与现代电子设备和系统的兼容性。挑战与机遇:钾离子电池的商业化道路尽管钾离子电池在技术和性能上展现了巨大潜力,但其商业化进程仍面临诸多挑战。技术成熟度、市场需求、政策支...
Arm,这家长期以来在芯片设计领域占据领导地位的公司,近期宣布了本季度和全年的盈利预期后,其股价在周三盘后交易中下跌逾 13%。低盈利预期:市场挑战的直面面对复杂多变的市场环境,Arm在最新一财季的业绩报告中给出了全年盈利预期,这一预期低于部分分析师的先前预测。尽管Arm在第一财季取得了超出市场预期的业绩,但公司在关键AI业务领域的收入预测却有所下调,并维持了相对保守的全年营收指引。这一低盈利预期无疑反映了Arm在当前市场中的挑战,包括全球供应链的不稳定、客户需求的波动以及竞争加剧等因素。然而,这也体现了Arm对市场变化的敏锐洞察和务实态度,通过调整预期来更好地应对潜在的风险和挑战。出货数据披露的变革:聚焦长期价值此外,Arm宣布从本季度开始将不再披露已出货的芯片数量。这一决策标志着Arm在信息披露策略上的重大转变,也引发了市场的广泛讨论。过去,出货数量一直是衡量芯片设计公司业绩的一个重要指标,但Arm认为,随着公司战略重点的转移和市场环境的变化,这一指标已经不能全面反映公司的实际业绩和价值。图:ARM CEO Rene Haas在台北举行的Computex大会上发言 (图源:CNBC...
芯片作为电子设备的核心部件,推动着整个电子产业的飞速发展。那么,为什么芯片会越做越小?小型化又带来了哪些好处呢?技术进步的驱动力芯片小型化的首要驱动力来自于半导体制造工艺的飞速进步。从早期的微米级工艺到如今的纳米级甚至更精细的制程,光刻、刻蚀等技术的不断突破使得晶体管等元器件的尺寸得以不断缩小。这种技术上的飞跃不仅提高了芯片的集成度,还使得芯片的性能得到了质的飞跃。成本与效率的双重考量在经济全球化的背景下,成本控制和效率提升成为了企业竞争的关键。芯片的小型化恰好满足了这一需求。在同等性能下,更小的芯片意味着每片晶圆可以切割出更多的芯片,从而降低了单个芯片的生产成本。同时,小型芯片在封装和集成时也更为便捷,提高了生产效率和灵活性。这种成本优势使得小型芯片在市场竞争中更具吸引力。功耗与散热的优化随着电子设备的普及和功能的复杂化,功耗和散热问题日益凸显。小型芯片通过缩短电流路径、降低电阻等方式有效降低了功耗和发热量。这不仅延长了电池的使用寿命,还提高了设备的稳定性和可靠性。在移动设备和可穿戴设备等对功耗有严格要求的领域,小型芯片的优势尤为明显。图:芯片为什么越做越小推动新应用的创新小型化芯片...
近日,SEMI发布了最新报告,报告显示,2024年第二季度,全球硅晶圆出货量实现了7.1%的环比增长,达到30.35亿平方英寸(MSI),尽管这一数字相较于去年同期仍有所下降(8.9%),但已明显展现出市场复苏的积极信号。这一增长态势的背后,数据中心和生成式AI产品的强劲需求成为了主要推手。随着数字化转型的加速和大数据时代的到来,数据中心作为数据存储与处理的核心基础设施,其建设与扩容需求激增,直接带动了对高性能硅晶圆的需求。同时,生成式AI技术的快速发展,尤其是ChatGPT等大规模语言模型的兴起,对计算能力和存储容量的要求达到了前所未有的高度,进一步刺激了硅晶圆市场的回暖。尤为值得注意的是,300毫米(即12英寸)晶圆在第二季度表现出色,出货量环比增长了8%,成为所有晶圆尺寸中增长最为迅猛的类别。这一尺寸晶圆因其更高的集成度和生产效率,在先进制程半导体制造中占据主导地位,其增长不仅反映了市场对高端半导体产品的旺盛需求,也预示着半导体产业正朝着更高技术水平和更大规模生产迈进。图:2024年第二季度全球硅晶圆出货量增长此外,报告还指出,全球范围内越来越多的新半导体工厂正在紧锣密鼓地建设中...
有报道称Lam Research Corp推出了Lam Cryo3.0技术。这是该公司经过生产验证的第三代低温电介质蚀刻技术,进一步巩固了其在3D NAND闪存蚀刻领域的领导地位随着生成式人工智能技术的蓬勃发展,全球对于更高容量、更高性能存储解决方案的需求急剧攀升。在这一背景下,Lam Cryo3.0技术应运而生,它凭借超低温度环境下的高功率受限等离子反应技术和前沿的表面化学创新,实现了较高的蚀刻精度与轮廓控制能力。据Lam Research全球产品部高级副总裁介绍:“Lam Cryo 3.0技术的问世,为客户迈向千层3D NAND铺平了道路。截至目前,已有超过500万片晶圆采用我们的低温蚀刻技术成功产出,而此次推出的最新技术更是3D NAND生产领域的一次重大突破。它能够在埃级尺度上精准打造高纵横比(HAR)特征,同时显著降低环境影响,蚀刻速率较传统介电工艺提升逾两倍,是AI时代NAND制造不可或缺的关键技术。”目前通过垂直堆叠存储单元层以实现容量增长已成为3D NAND的主流趋势,而这一过程高度依赖于对深且窄的HAR存储通道的精确蚀刻。任何微小的偏差都可能对芯片的电气性能造成不利影...