CXL内存(Compute Express Link Memory)是基于CXL(Compute Express Link)接口的一种新型内存体系架构,旨在优化不同计算资源之间的内存访问效率。CXL是一种开放标准的高速互连接口,允许CPU、GPU、内存、存储设备等计算资源之间实现低延迟、高带宽的通信。CXL内存的关键特性:异构计算支持: CXL内存使得CPU和其他加速器(如GPU、FPGA)能够共享同一块内存,从而消除了不同设备间的内存拷贝需求,大大提升了计算效率。这对需要大规模数据处理的应用,如人工智能和高性能计算(HPC),非常有利。内存扩展性: CXL内存可以通过连接外部内存模块来扩展系统的总内存容量,超越传统内存架构的限制。这样,系统可以更灵活地应对不同的工作负载需求。内存级别的持久性: CXL还可以支持非易失性内存(NVM),即使在断电的情况下,数据也不会丢失。这使得CXL内存可以用于构建更加可靠的系统,尤其是在需要持久化数据的应用场景中。统一的内存空间: CXL内存支持统一的内存地址空间,使得CPU和其他设备可以在共享的内存空间中直接操作数据,无需复杂的内存管理过程。图:C...
CXL是一种新型接口,旨在提升计算系统中CPU、内存、GPU和存储器等资源的利用效率。传统架构中,各类设备如内存和存储器通常通过独立的接口与CPU连接,因此,当这些设备之间需要通信时,必须经过多个接口的中转,这往往会引发延迟问题。随着AI和机器学习等领域的数据处理需求急剧增加,这种延迟现象变得更加突出。而CXL则通过简化设备间的通信路径,有效缓解了这一问题。三星近几年一直致力于对CXL内存模块的研发,早在2022年就推出了业界首款基于CXL的512GB CXL DRAM。三星内存部门新业务规划团队负责人Choi Jang Seok在近期举行的活动上,明确表示三星计划今年年底之前生产支持CXL 2.0的256GB CXL DRAM,称CXL市场预计下半年开始进入蓬勃发展阶段,到2028年将呈现爆炸性增长。CXL(Compute Express Link)内存技术因其在提高内存性能、扩展内存容量和降低延迟方面的能力,被看作是AI和高性能计算(HPC)领域的下一个重要技术 。随着AI大模型的快速发展,对内存带宽和存储速度的需求日益增长,而CXL技术通过提供高速缓存一致的内存共享,有助于解决所...
随着人工智能、5G技术的飞速发展,全球数据中心运营商对于更高数据传输速度的需求日益迫切。这一需求推动了数据中心对高效能光通信技术的追求。三菱电机(Mitsubishi Electric)宣布,为应对全球数据中心对更高数据传输速度的需求,将于明年1月份开始大规模生产下一代光芯片。这些光芯片利用光电转换效应进行信息传输和转换,由磷化铟等特殊化合物制成,广泛应用于5G基站和数据中心光模块等新兴领域 。当前数据传输的行业标准主要为200Gbps,但预计未来几年内将迅速提升至800Gbps及1.6Tbps。三菱电机此次量产下一代光芯片,正是为了顺应这一行业趋势,满足市场对高速、高容量网络的需求。一代光芯片利用光电转换效应,实现信息以光信号的形式进行高效传输和转换。这类芯片通常由磷化铟等特殊化合物制成,具有高速、低延迟的特点。新产品不仅适用于数据中心光模块,还广泛应用于5G基站等新兴领域,展现出其广泛的市场潜力和应用前景。三菱电机还宣布,将从今年10月开始出货用于800Gbps和1.6Tbps光纤通信的200Gbps PIN-PD芯片样品。这意味着配备这些芯片的光收发器将能够实现更高速度的通信,推...
群创光电近期宣布出售位于台南的第四工厂,这是一座5.5代LCD面板制造厂。据《经济日报》此前报道,有猜测称,美光和台积电都在积极评估收购该工厂的可能性。目前,台积电正在积极扩充产能,并持续增加设备投入。据《自由时报》8月15日报道,台积电已与先进封装及面板厂商群创光电签订合约,收购其位于南科园区的厂房及相关设备。此次交易的厂房总面积超过9.6万平方米,成交价为171.4亿新台币,低于市场预测的约200亿新台币。台积电表示,该设施将用于其运营和制造。一直以来台积电的先进封装技术有着诸多优势,比如:通过使用如CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)这样的技术,台积电能够在更小的空间内封装更多的芯片和存储器,从而提升整体性能 。先进封装技术通过优化芯片间的连接和数据传输,降低了功耗,特别是在高性能计算和人工智能应用中,这有助于提升能效比。此外,台积电的3D集成技术允许客户将不同工艺节点的芯片集成在一起,加速产品从设计到市场的过程。随着芯片尺寸平均增加5-10%,每片晶圆能够生产的芯片数量有所减少,进一步加大了晶圆和先进封装能力的需求压力。业内人士认为,从晶圆级封装向...
OKI 集团的 PCB 业务公司 OKI Circuit Technology 在位于新潟县上越市的上越工厂新建了一条超高多层 PCB 生产线,并计划于 7 月全面投入运营。这条生产线将用于制造和测试涉及 AI、数据中心及下一代通信网络应用的半导体设备。新生产线能够实现高精度和高清晰度的电路形成,支持 0.23 毫米的通孔间距,同时将生产能力提升到原有水平的约 1.4 倍,并增强了小批量生产多样化产品的能力。公司希望借此扩大在半导体制造和测试设备制造商中的市场份额。半导体行业正经历飞速发展,功能不断增强、尺寸不断缩小、功耗持续降低、容量逐渐增大。随着设备的小型化和多层化,高耐压、大容量数据处理以及高速传输的技术和新材料也在不断进步。这导致了端子引脚数量的增加和间距的缩小,以应对大容量数据的处理需求。为制造和测试这些下一代半导体,PCB 需要实现更窄的间距和 100 层以上的超高多层化。这要求开发新型超薄材料,以在多层化的情况下保持较低的厚度,并使用超精细钻孔技术准确穿透多层板上的微电路。图:OKI设立新的半导体制造生产线为满足这些需求,上越工厂扩建了 3,300 平方米的生产面积(约为...
根据商务部和海关总署于2024年8月15日联合发布的公告,自2024年9月15日起,未经许可,满足规定特性的锑矿及原料、金属锑及制品等锑相关物项,以及超硬材料相关物项不得出口。消息一出引起了一些西方国家对供应链的担忧,但此举的主要目的是维护国家安全和利益,履行国际义务,并非针对任何特定国家和地区。锑作为一种关键的战略资源,在全球经济中占据重要位置,尤其在半导体、军工等多个领域具有极为重要的战略价值。中国是全球最大的锑生产国和出口国,供应量占全球市场的80%以上。因此,出口管制政策将对全球市场产生显著影响,可能导致全球锑供给短缺,推高价格,并影响到依赖锑资源的下游产业的成本结构和生产计划。锑在半导体领域的应用非常广泛:化合物半导体材料锑化铟(InSb)和锑化镓(GaSb):这两种化合物是锑在半导体中的重要应用形式。它们具有独特的电子和光学特性,如禁带宽度较窄、电子迁移率高、量子效率高、响应速度快等,这些特性使它们在红外探测器、光电器件、高速电子器件等应用中具有重要地位。例如,它们被广泛应用于红外传感器、红外探测器、红外发光二极管(LED)、激光器、转换器以及恒温光电系统等设备中。其他锑化...