根据市场调查公司TrendForce的最新报告,过去几年,全球各大半导体行业公司都在投资8英寸碳化硅生产线,目前这些投资正逐步投入运营。在全球范围内,意法半导体 (ST)、安森美、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、博世、富士电机、三菱电机、世界领先半导体 (VIS) 和 EPISIL、士兰微电子和 UNT 等公司都已宣布计划建设 8 英寸 SiC 芯片工厂。根据TrendForce的调查,其中许多公司也在上游基板和外延材料领域取得了进展。以下是一些具体的项目情况:STMicroelectronics (ST):ST在意大利卡塔尼亚宣布建设一个新的8英寸SiC工厂,预计2026年开始生产,2033年达到全产能,最大产能为每周15,000片晶圆,预计总投资约50亿欧元。据悉,于2023年6月宣布的意法半导体与中国三安光电合资在重庆建设的8英寸SiC制造工厂将成为意法半导体的第三个SiC生产中心,预计将于2025年第四季度开始生产,于2028年全面竣工。Onsemi:Onsemi在韩国富川的SiC晶圆厂在2023年完成了扩张,并计划在2025年完成技术验证后转向8英寸生产,届时产能将扩大到现...
今年上半年,苹果公司爆出要取消Micro LED Apple Watch的开发,此消息一出,业界一度不看好Micro LED技术,也让其合作伙伴LG Display承担了大量的沉默成本,包括购买的与Micro LED相关的专利费用和生产设备的转移费用。根据业内分析,苹果取消MicroLED智能手表开发的原因主要包括以下几点:成本过高:苹果公司发现MicroLED屏幕的生产成本过高,且不具有投资效益。这种屏幕虽然具有更亮、更生动的视觉效果,但其制造过程需要尖端技术和复杂的LED转移过程,导致成本难以降低。技术挑战:MicroLED技术面临的主要技术挑战之一是巨量转移技术,即在显示屏中精确放置数百万计的微型LED像素。这一过程的精度要求极高,且目前尚未完全成熟,尤其是在提升良率和降低成本方面。项目经济可行性:苹果公司评估了MicroLED技术的长期前景和短期挑战后,认为该项目在经济上不可行,尤其是在智能手表这种小尺寸设备上的应用。战略调整:苹果公司可能在评估了公司的长期战略后,决定将资源重新分配到其他项目上,如AI等,以集中资源发展其他有前景的业务。MicroLED技术作为一种革命性的显示...
Flex Power Modules最近推出了新的数字中间总线转换器(Intermediate Bus Converters, IBC),这些产品专为数据中心中的人工智能(AI)应用而设计。这些新的IBC产品旨在提高操作效率和设计灵活性,同时支持开放计算项目(Open Compute Project, OCP)的目标,即减少能源消耗并改善数据中心电源架构的设计,包括支持每个机架的更大功率密度。随着AI应用的能源需求不断增加,数据中心需要更高效的电源解决方案来满足这些需求。Flex Power Modules的数字中间总线转换器通过优化功率分配和能源效率,帮助最小化能源损失,并确保以最有效的方式将电力传输到服务器。AI训练服务器的极高机架功率密度可能会给数据中心的运营商带来额外的挑战,尤其是在冷却方面。为了应对AI带来的高密度服务器需求,数据中心需要新的冷却方法。Flex Power Modules的产品可能支持从空气冷却向液体冷却的过渡,这是应对AI集群有效性的必要解决方案。液体冷却提供了比空气冷却更多的优势,包括改进的处理器可靠性和性能,以及更高的热惯性。新型BMR321 IBC的特...
在数字化时代,技术的迭代速度令人目不暇接,而华为的星闪技术无疑是通信领域的一颗新星。这项技术以其低时延、高可靠性、高同步精度和低功耗等特性,正在逐步重塑智能设备的通信框架,预示着智能家居、智能汽车、智能终端和智能制造等领域的革命性变革。星闪技术的核心优势星闪技术作为一种新一代无线短距通信技术,其核心优势在于能够满足万物互联时代的智能需求。与传统的蓝牙、WiFi等无线连接技术相比,星闪技术在功耗、传输速率、传输时延、组网连接数等方面展现出显著的性能优势。例如,星闪技术的传输时延可实现20微秒内的延迟,远低于蓝牙与WiFi,且最大连接数可达4096台设备,远超蓝牙的8台和WiFi-7的256台。星闪技术的应用场景星闪技术的应用场景广泛,涵盖了消费电子、智慧家庭、汽车电子等多个领域。在智能家居领域,星闪技术能够提供实时的交互体验,如通过智能冰箱获取食材的保鲜和使用建议,延长食材保质期,减少浪费。在智能汽车领域,星闪技术可用于车内无线主动降噪、车机互联、AR/VR与云交互等,推动车内通信从有线向无线演变。此外,星闪技术在智能终端和智能制造领域也展现出巨大潜力,如在手机与耳机无线音频传输、可穿戴...
在5G技术迅猛发展的今天,中国联通、中兴通讯和高通技术公司的联合声明,无疑为这一领域注入了一剂强心针。他们在深圳完成的手机终端高低频NR-DC(New Radio-Dual Connectivity)速率验证,实现了超过9.3Gbps的下行峰值速率,这一数字是现有4G网络速率的数百倍,标志着5G通信技术的又一重大突破。这一成就不仅展示了中国在5G技术领域的领先地位,更为全球5G发展树立了新的标杆。技术突破的实质:在这次测试中,高频段800MHz带宽与3.5GHz低频段100MHz带宽的结合,不仅提升了信号覆盖,也极大地增强了数据传输速率。这种NR-DC技术的应用,实际上是在不同频段之间架起了一座桥梁,使得高频段的大带宽和低频段的广泛覆盖得以完美结合。高频段(如毫米波)能够提供极高的带宽,从而实现极高的数据传输速率,但受限于传播距离和穿透能力;而低频段则能够提供更广泛的覆盖和更好的穿透能力,但带宽相对较小。NR-DC技术的出现,正是为了将两者的优势结合起来,实现更高效、更全面的5G网络覆盖和数据传输。此外,1024QAM调制技术的引入,相较于传统的256QAM,每个符号传输的比特数增加了...
在半导体制造这一精密且复杂的工艺链中,光刻胶作为核心材料之一,其质量和性能直接决定了集成电路的性能、成品率及可靠性。随着全球半导体产业的蓬勃发展,光刻胶的市场需求持续攀升,预计到2025年,全球光刻胶市场规模将超过150亿美元。在这一背景下,中国光谷企业武汉太紫微光电科技有限公司(以下简称“太紫微公司”)成功实现了半导体专用光刻胶领域的重大突破——其自主研发的T150 A光刻胶产品已顺利通过半导体工艺量产验证,极限分辨率高达120nm。这一里程碑式的成就不仅标志着中国在半导体光刻制造领域取得了关键性进展,更为国产光刻胶在全球市场的竞争中赢得了宝贵的一席之地。技术革新:超越国际同类产品,展现卓越性能太紫微公司的T150 A光刻胶产品在技术层面取得了显著突破。其极限分辨率达到120nm,这一数据不仅超越了国外同系列产品如UV1610等,更在工艺宽容度、稳定性以及坚膜后烘留膜率等关键性能指标上展现出了卓越的优势。具体而言,T150 A光刻胶在光刻过程中能够精准控制图形的尺寸和形状,确保集成电路的微细结构得以精确复制,这对于提升集成电路的性能和成品率至关重要。同时,其良好的工艺宽容度使得在光刻...