随着科技持续突破与跨界融合,多个前沿赛道正加速演进,成为全球创新竞争的焦点。其中,算力芯片、细胞与基因治疗、以及元宇宙被广泛认为是未来具有巨大成长潜力的三大关键领域。赛道八:算力芯片——AI时代的“心脏引擎”在人工智能快速发展的背景下,算力芯片作为底层核心技术,显著提升了AI系统的效率与灵活性。该领域涵盖GPU、TPU、NPU、ASIC、FPGA等多种架构,满足不同应用场景对高并发计算和低功耗的需求。其中,GPU以其高度并行的计算能力和成熟的软硬件生态系统,在AI训练与推理任务中发挥着重要作用。英伟达作为该领域的领先企业,其GPU架构历经A100、H100、H200到最新的B200系列,每一代都在性能、能效比与通用适应性方面实现跨越式提升。据MarketsandMarkets预测,2024至2029年全球AI芯片市场年均复合增长率将达20.4%;Allied Market Research更预计2020年至2030年,该市场规模将增长十倍以上,迈入高速发展阶段。赛道九:细胞与基因治疗——精准医疗的核心驱动力细胞与基因治疗正引领生命科学的新革命,技术路径涵盖免疫细胞治疗、干细胞治疗、溶瘤...
在全球人工智能技术竞争日趋白热化的当下,如何在算法层面实现训练效率的突破,成为中美科技竞争、算力基础设施构建和国产芯片突围的关键焦点。近日,由我国科研团队主导研发的一项名为GroPipe的混合并行训练算法,因在多个主流深度学习模型中显著提升训练效率、并在国产芯片平台上实现性能反超,成为国内外学术界与产业界关注的焦点。据公开实验数据披露,GroPipe算法在训练ResNet、VGG和BERT-base等典型模型时,性能提升最高达79.2%,平均训练加速率超过50%;更具突破性的是,其在国产寒武纪MLU平台上实现了比国际旗舰GPU(如英伟达A100)高出17%的训练性能。这不仅标志着我国在AI算法优化与芯片协同设计方面的重大进展,也为全球AI产业的格局重构按下了加速键。一、突破瓶颈:GroPipe如何破解AI训练的“速度墙”?当前,随着深度学习模型参数规模呈指数级增长,传统的训练加速手段如数据并行(Data Parallelism, DP)和流水线模型并行(Pipeline Model Parallelism, PMP)逐渐暴露出效率瓶颈。DP通常在参数同步阶段存在大量通信延迟,而PMP又...
在全球存储产业快速演进、AI应用井喷发展的时代背景下,AI DRAM成为新的战略高地。作为中国台湾地区的关键内存厂商,南亚科技(Nanya Technology)正在以前所未有的技术投入和产品策略,在这片红海市场中谋求突破。其布局不仅是企业层面的跃迁尝试,更可能在全球DRAM生态中撬动结构性变化。一、AI驱动新存储需求,市场格局亟待重塑AI的高速发展正在深刻改变存储产业的需求结构。传统通用内存已难以满足AI在高带宽、低延迟、大容量和低功耗等方面的严苛要求。例如,AI训练模型参数动辄百亿级,实时数据分析和推理亦对存储吞吐量提出极高挑战。据Omdia数据,2023年全球AI DRAM市场规模约为89亿美元,预计到2026年将突破180亿美元,年复合增长率接近27%。面对这一潜力巨大的市场,各大存储原厂纷纷加码布局。三星、SK海力士和美光依然占据主导,但以南亚科技为代表的“第二梯队”厂商,正试图通过差异化技术切入并争夺话语权。二、南亚科技的四大核心布局:直击AI DRAM痛点南亚科技正围绕四大技术方向全面发力,构建其在AI DRAM领域的差异化竞争优势。1. 高密度先进DRAM:突破容量与能...
近期,瑞萨电子(Renesas Electronics)宣布终止其碳化硅(SiC)功率半导体生产计划,震动整个半导体产业链。这一决定不仅涉及高达20亿美元的预付款风险,更折射出全球功率半导体市场在供应链波动、技术瓶颈、区域竞争与需求回落多重压力下的深层变局。中国出海半导体网将围绕瑞萨此举背后的逻辑,深入分析全球功率半导体市场的当前格局与未来趋势。一、电动车市场承压:SiC需求增速不及预期碳化硅功率器件在电动汽车(EV)领域的渗透率持续上升,尤其在高压驱动系统中优势明显。然而,2023—2024年间,欧美电动车市场出现增长放缓,直接冲击了SiC的上游需求。根据日本市场研究机构Fuji Keizai公布的数据,2024年全球碳化硅功率器件市场规模预计为3910亿日元(约25亿美元),同比增长18%,显著低于前一年的27%增长预期。而IEA(国际能源署)数据显示,2024年前四个月,欧洲电动车销量同比下降13.8%,4月仅售出15.5万辆;相较之下,中国纯电动车销量在同期逆势增长44%,达到78.6万辆。这种“中强外弱”的全球电动车市场格局,导致以欧美车厂为核心客户的SiC厂商,包括瑞萨电子...
在全球晶圆代工竞争愈发白热化的当下,企业间的“人才战”也日益激烈。近日,三星电子高调聘请了在台积电任职21年的资深高管Margaret Han,并任命其为三星北美晶圆代工业务负责人。这一动作不仅是三星全球化战略的重要一环,也透露出其意图在北美晶圆代工市场发起新一轮攻势的决心。与此同时,三星在美国得克萨斯州泰勒市投资170亿美元兴建的先进制程晶圆厂也将于2025年投入运营,剑指台积电长期占据主导地位的北美高端客户市场。那么,三星的这一系列布局能否真正撼动北美晶圆代工格局?一、从台积电到三星:资深人才的战略转向根据LinkedIn资料,Margaret Han自2000年加入台积电,历任技术开发、制造整合及客户支持等关键岗位,是台积电微米级制程向纳米级制程跃迁的亲历者和推动者之一。她参与了多个核心项目,包括28nm、16nm及7nm制程工艺的工艺集成与量产导入,为台积电先进制程的量产良率与客户满意度提升发挥了关键作用。离开台积电后,Han曾在英特尔及恩智浦半导体担任高管职位,扩展了她在芯片设计与系统集成方面的专业能力,也对北美客户生态建立起更广泛的理解。2024年3月,三星电子正式聘请她领...
在技术驱动型产业中,半导体行业始终走在全球科技变革的最前沿。2024年,台积电(TSMC)正式启动2纳米制程(N2)试产,每片晶圆的代工报价高达3万美元(约合人民币21.6万元),再次引发行业广泛关注。如此高昂的价格背后,不仅是一项尖端技术的商业化落地,更代表着整个半导体产业即将迈入一个全新的发展阶段——以极致工艺为标志的“精尖制程时代”。一、2纳米时代开启:台积电的技术赌局与成本高墙台积电在2纳米制程研发上的投资规模前所未有。据公司披露,其在新竹宝山、高雄等地新建2纳米生产线的初期资本支出超过400亿美元,仅2023年研发投入就高达57.6亿美元,占其全年营收的9%以上。业内权威机构IC Insights指出,全球半导体产业2023年研发支出总额为约1470亿美元,而台积电、英特尔、三星三巨头合计占据了近一半的比重。2纳米制程标志着台积电首次引入全环绕栅极(GAA)晶体管架构——即纳米片(nanosheet)技术,取代此前长期主导的FinFET晶体管。在性能方面,据台积电官方数据,N2相较于N3E可在相同功耗下提升10-15%的性能,或在相同性能下降低25-30%的功耗,并使晶体管密...