遥遥领先!中国团队近期在拓扑光子学领域取得了突破性进展,成功研制出一种完全可编程的拓扑光子芯片。这一成果由北京大学物理学院现代光学研究所的王剑威研究员、胡小永教授和龚旗煌教授团队,联合中国科学院微电子研究所的杨妍研究员等合作者共同完成。拓扑光子芯片的创新设计在仅11mm7mm的面积内集成了2712个元件,包括高品质因子微环阵列和可任意独立调控的光学相移器与干涉仪。这一集成技术使得芯片能够实现完全可编程的光学人造原子晶格,为动态模拟真实材料体系中的无序、缺陷和非均匀介质提供了可能。图:中国团队成功研制完全可编程的拓扑光子芯片与传统的硅芯片相比,可编程拓扑光子芯片的优势主要体现在以下几个方面:1.动态模拟能力:可编程拓扑光子芯片可以动态模拟包含无序、缺陷和非均匀介质的真实材料体系,为拓扑材料科学研究和拓扑光子技术发展提供了新途径。2.高精度和高集成度:在仅有11mm7mm的面积内,单片集成了高达2712个元件,其中包括96个高品质因子微环阵列,每一个的品质因子都达到了10^5^以上。3.任意独立调控:通过调控该拓扑芯片,可以实现人造原子间跃迁强度、跃迁相位的任意独立调控,以及晶格势垒的任意...
俄罗斯近期在半导体制造领域取得了显著进展,成功推出了首台国产光刻机,具备350nm工艺的生产能力。这一技术突破不仅打破了西方在该领域的技术垄断,也为俄罗斯自身的半导体产业发展提供了重要支撑。光刻机作为半导体制造的核心设备,其技术水平直接决定了芯片的制造工艺和性能。尽管350nm工艺与当前最先进的7nm、5nm工艺相比存在差距,但对于许多特定应用领域,如汽车电子、工业控制等,350nm工艺仍然具有广泛的应用价值。图:俄罗斯推出首台国产350nm光刻机俄罗斯的这一技术突破将有助于降低对外部供应链的依赖,增强国内产业的自主可控能力。同时,这也将为俄罗斯在全球半导体市场中争取更多的话语权。然而,俄罗斯在光刻机领域仍面临诸多挑战。首先,需要持续的技术迭代和创新以缩小与国际先进水平的差距。其次,半导体产业链复杂,光刻机只是其中一环,俄罗斯需要在材料、设计、制造等多个环节实现突破,才能真正建立起完整的半导体产业体系。在全球半导体产业竞争日益激烈的背景下,俄罗斯的这一进展为国际竞争格局增添了新的变数。这可能会激发其他国家在半导体领域的技术创新和产业布局,也可能引起一些国家对半导体技术出口管制的重新评估...
本月,中国工业和信息化部(工信部)针对锂电池行业发布了《锂电池行业规范条件(2024年本)》征求意见稿,这一政策文件为行业的未来发展提供了明确的方向和规范。产业布局与项目设立新规明确了锂电池企业及项目应符合国家资源开发利用、生态环境保护、节能管理、安全生产等法律法规要求。特别是在永久基本农田、生态保护红线等区域,不得建设锂电池及配套项目,现有企业则需按规定逐步迁出或拆除。图:工信部发布锂电池行业征求意见稿技术创新与产能优化新规鼓励企业减少单纯扩大产能的制造项目,转而加强技术创新、提高产品质量、降低生产成本。这一点对于推动产业转型升级、优化产能结构具有重要意义。生产经营与工艺水平企业应具备独立法人资格、独立生产销售能力,并在研发及工艺改进上投入不低于主营业务收入的3%。新规还提出了具体的生产工艺和设备要求,如电极涂覆均匀性监测、含水量控制、电极毛刺控制等。产品性能标准新规对消费型、动力型(包括小动力型和大动力型)、储能型锂电池的性能提出了具体要求,包括能量密度、循环寿命等关键指标。例如,消费型锂电池的单体电池能量密度不得低于260Wh/kg,电池组能量密度不得低于200Wh/kg。安全与...
2024年5月21日,深圳市坪山区人民政府与复旦大学微电子学院签署了合作备忘录,标志着双方在集成电路与半导体产业领域的合作迈入新阶段。此举不仅是对国家集成电路产业发展政策的积极响应,更是对集成电路人才培养机制的一次重要创新。集成电路产业的重要性集成电路作为现代电子信息产业的核心,对国家安全和经济发展具有重大的战略意义。近年来,随着全球科技竞争的加剧,我国集成电路产业面临人才短缺的问题日益凸显。在此背景下,加强集成电路人才培养,成为推动产业持续健康发展的关键。合作内容与目标根据备忘录,双方将依托坪山区在集成电路和半导体产业的“强制造”基础,结合复旦大学微电子学院在科研、人才、平台方面的优势,共同开展应用技术研究、成果转化和产业化、平台共建、政产学研合作以及人才交流培养等多方面合作。目标是提升集成电路科研和产业创新转化水平,助力坪山区打造具有国际竞争力的集成电路与半导体产业集群。图:复旦大学联手深圳坪山打造集成电路与半导体产业集群(图片来自南方都市报)人才培养的战略布局复旦大学微电子学院作为国内集成电路领域的重要人才培养基地,拥有丰富的科研攻关团队和全产业链布局。此次合作,学院将与坪山区共...
北京,这座创新之城,再次见证了国内半导体设备制造领域的一大突破。北京中电科电子装备有限公司(以下简称“北京中电科”)近期交付了多台国内首创的WG-1220自动减薄机,这不仅是公司技术实力的体现,更是国产半导体设备自主创新的重要里程碑。国内首创,满足定制需求北京中电科公司的WG-1220自动减薄机,是国内首创产品,具有占地面积小、集成度高、适用性强等优势。这款万能自动减薄机,广泛适用于硅、环氧树脂、钽酸锂、铌酸锂、陶瓷、蓝宝石等多种硬质和脆性材料以及电子元件产品的磨削加工。单主轴单工位的结构,使其占地面积仅为1.47平方米,根据产线工艺需求可支持轴向进给(In-Feed)磨削原理和深切缓进给(Creep-Feed)磨削原理,满足多种定制需求。图:北京中电科交付国内首创的WG-1220自动减薄机技术创新,深耕细作北京中电科公司作为国内重要的半导体设备供应商之一,是中电科电子装备集团有限公司的全资控股公司。公司主要从事集成电路、第三代半导体及其他分立器件领域用减薄机、划片机、研磨机等设备的研发生产和销售,覆盖4英寸、6英寸、8英寸和12英寸晶圆的材料加工、芯片制造和封装等工艺段。荣誉与使命北...
随着电力电子技术的不断进步,高可靠性功率半导体正成为推动行业创新的关键因素。在即将到来的PCIM 2024展会上,这一领域的最新技术将得到全面展示,为行业带来一场技术和创新的盛宴。纳微半导体引领行业潮流纳微半导体(Navitas Semiconductor),作为氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率半导体技术的领导者,将在PCIM 2024上展示其下一代高功率、高可靠性的功率半导体技术。这些技术专为快充、功率转换和储能、电机驱动等应用设计,旨在提供最安全、最高效、最可靠的功率器件解决方案。创新技术展示纳微半导体的展台将成为PCIM 2024上的亮点之一,展出的技术和产品包括:1. GaNSafe宽禁带平台:这是一个安全、可靠的大功率旗舰产品,代表了公司在高功率应用领域的最新成就。2. 第四代GaNSense Half-Bridge半桥氮化镓功率芯片:这一产品以其高集成度引领行业,为设计更小型化、更高性能的电力电子设备提供了可能。3. 第三代快速GeneSiC功率FETs:这些功率FETs专为电机驱动和能量存储应用设计,预计将为这些领域带来颠覆性的变化。图:高可靠性功率半导体技术亮相P...