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人工智能可能会超越量子计算？2024-11-08随着人工智能（AI）技术的快速发展，量子计算的潜力面临严峻挑战。一些业内人士认为AI技术有可能在未来可能会抢先解决量子计算尚未能够解决的实际问题，或者在某些应用领域超越量子计算的潜力，尤其是在解决实际问题和技术应用方面。尽管量子计算被视为未来技术的革命性突破，AI的迅猛发展正在迅速填补许多本应由量子计算解决的空白。本文将结合该文章的观点，探讨为何AI可能会超越量子计算的潜力，并在多个领域取得领先地位。AI的飞速进展近年来，AI，尤其是大型语言模型（LLMs）和深度学习等技术，已经在多个领域展现了强大的应用潜力。无论是在药物研发、材料科学、金融科技，还是在复杂优化问题的求解上，AI的表现都超出了许多人的预期。例如，AI已经能够预测疾病的风险、设计新材料，并在数分钟内解决以往需要几周甚至几个月时间的传统计算任务。与此相比，量子计算的进展相对较慢。尽管量子计算在理论上拥有无与伦比的处理能力，特别是在解决复杂的模拟和优化问题上，但它距离在实际世界中应用仍有很长的路要走。目前，量子计算面临一系列技术障碍，包括量子比特的纠错、量子退相干时间的限制以及缺乏成熟的量子算法等问题。因此，尽管量子计算被寄... 查看更多 -
意法半导体推出先进隔离栅极驱动器2024-11-08STMicroelectronics（意法半导体）在电力电子领域再次取得突破，宣布推出STGAP3S家族，这是一系列专为绝缘栅双极晶体管（IGBT）和碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）设计的先进隔离栅极驱动器。这些新型驱动器以其卓越的性能和可靠性，为工业和能源应用提供了强大的支持。技术细节和性能参数STGAP3S家族采用了STMicroelectronics最新的鲁棒隔离技术，提供了增强的电容隔离，能够在栅极驱动通道和低压控制及接口电路之间提供隔离。这种隔离技术能够承受高达9.6kV的瞬态隔离电压（VIOTM）以及200V/ns的共模瞬态抑制（CMTI），显著提高了电机驱动在工业应用中的可靠性。此外，STGAP3S家族提供了10A和6A的电流能力选项，每种都配有不同的欠压锁定（UVLO）和去饱和干预阈值，帮助设计者选择最佳设备以匹配他们选择的SiC MOSFET或IGBT功率开关的性能。应用案例和市场趋势STGAP3S家族的栅极驱动器在电动汽车、可再生能源系统、充电站、能源存储系统、功率因数校正（PFC）、DC/DC转换器和太阳能逆变器等应用中展现出卓越的性能... 查看更多 -
Navitas推出新一代数据中心电源2024-11-07Navitas开发出了世界上第一款用于数据中心应用的8.5kW电源装置（PSU），该设计采用了三相LLC拓扑中的GaN和SiC晶体管，实现了98%的效率，为下一代AI和超大规模芯片提供动力。三相LLC拓扑结构是一种高效电源模块中的常见结构，基于全桥逆变电路，输出一定频率的方波电压。在LLC或LC谐振回路中，产生滞后于基波电压的基波电流。当功率器件开通时，电流流过其反并联二极管，将功率器件两端电压钳位为零，实现零电压开通，进而实现DC-DC变换器的软开关。在三相LLC拓扑结构中，GaN和SiC晶体管作为功率器件，能够充分利用其高击穿电压、低导通电阻和高热导率等优势，提高电源模块的效率和可靠性。同时，由于GaN和SiC晶体管的快速开关速度，三相LLC拓扑结构还能够实现高频化工作，有效减小电路中电感、变压器以及电容的尺寸，提高功率密度。一、产品特点高效率：通过采用GaN和SiC晶体管，该PSU实现了98%的效率，这大大超过了传统电源装置的效率水平。高功率密度：与最接近的竞争系统相比，该PSU将GaN和SiC器件的数量减少了25%，从而降低了总体成本，并实现了84.6W/in³的密度。符合规范... 查看更多 -
预计2033年复合半导体市场估值超690.2亿美元2024-11-07复合半导体是一类由不同族或同族元素组合而成的材料，在近年来因其出色的性能而迎来迅猛发展。随着全球对电子和移动设备需求的持续攀升，复合半导体在市场中占据了越来越重要的地位。为了生产这些材料，制造商采用了化学气相沉积、原子层沉积等多种先进工艺，以确保材料的高性能和高精度。复合半导体之所以备受青睐，是因为它们具备多种独特的优势。相比传统半导体，复合半导体具有更强的耐高温性能、更高的频率、更大的带隙，以及更快的操作速度。未来，由于对高性能半导体的需求日益增加，复合半导体预计将保持供不应求的状态。正是这些显著特征，推动了全球对复合半导体的需求，吸引了大量供应商积极开发新技术，努力生产具有竞争力的复合半导体产品。根据市场研究机构Straits Research的数据，2024年全球复合半导体材料市场规模预计为359.6亿美元，并将在2025年增至381.1亿美元，预计到2033年达到607.5亿美元，2025-2033年间的复合年增长率为6%。这种增长主要受到全球电子设备需求扩张的驱动。在制造过程中，薄膜沉积、原型制作、选择性蚀刻和修正等环节至关重要，它们帮助制造出包含数以亿计的功能组件的微电子电... 查看更多 -
3D集成与先进计量技术：未来半导体产业的关键2024-11-07随着芯片制程步入深亚微米乃至纳米时代，3D集成和先进计量技术的迅速发展正推动半导体产业的深度变革。作为芯片性能提升的关键技术，3D集成不仅推动了摩尔定律的延续，更为高性能计算、人工智能、5G、6G等尖端应用奠定了基础。同时，先进计量技术的发展确保了这种集成方式的精度和质量，显著提高了芯片的良率和一致性。在本篇文章中，我们将探讨这两项技术如何共同塑造未来的半导体格局。1. 3D集成：突破传统架构的限制传统的芯片制程通常采用平面式布局，芯片组件水平排列在单一层面内。然而，随着制程尺寸逐步缩小，芯片设计在横向扩展中遭遇瓶颈。在此背景下，3D集成技术应运而生。3D集成通过将多个芯片堆叠在垂直方向上，从而使得在相同的物理空间内实现更高密度的电路布局。这一创新改变了芯片的物理结构，大幅度提高了芯片的计算密度、数据传输速度和功耗效率。具体而言，3D集成有三种主要的实现方式：芯片堆叠（Chip Stacking）、系统级封装（System-in-Package，SiP）、和晶圆级封装（Wafer-Level Packaging）。每种方式各有其独特的优势，但它们的共同目标是通过更紧凑的封装实现更强的功... 查看更多 -
Empower Semiconductor引领AI和HPC处理器电源架构革命2024-11-07在2024年的electronica展会上，Empower Semiconductor公司将会展示其创新的垂直电源架构——Crescendo平台，这一平台专为人工智能和高性能计算处理器设计，以其专有的FinFast™技术为特色，能够满足AI和HPC应用日益增长的电源需求。Empower半导体作为集成稳压器（IVRs）领域的全球领导者，一直致力于研发创新的能源管理解决方案。该公司通过其专利技术——集成稳压器（IVR）技术，成功地将数十个组件集成至单个IC中，从而提高了效率，并显著缩小了封装面积。这种技术对于提升系统性能、降低能耗以及减少数据密集型应用程序的能源消耗具有重要意义。Crescendo平台：真正的垂直电源解决方案Crescendo平台以其FinFast™技术为核心，提供了高达3000A的真正垂直电源域，提供了前所未有的系统效率、电流密度和纳秒级瞬态响应的组合。这一平台的出现，标志着电源解决方案的一个新时代，它能够满足现代数据中心工作负载对更高功率和速度的需求。传统电源架构的局限性随着AI芯片功率需求的指数级增长，传统的横向电源解决方案因其速度慢、效率低和占用空间大而不再适用。这... 查看更多
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