在全球化的浪潮中,定位技术已不仅仅是地图上的一个点,而是连接世界的纽带,它正在深刻改变我们的生活方式和商业模式。天工测控技术公司,作为定位技术领域的佼佼者,其首席技术官(CTO)周大鹏在11月8日深圳国际会展中心举行的【2024国际元器件产业链出海拓展论坛】(相关阅读:探索全球化:2024国际元器件产业链出海拓展论坛圆满举行)上的精彩演讲,无疑为我们揭开了该公司在全球定位领域的雄心壮志与实践探索。本文由中国出海半导体网整理,将基于周大鹏先生的演讲内容,结合SKYLAB海外应用报告,深入探讨天工测控的全球定位之旅,并以此为镜,探讨其对中国半导体行业的启示。图:天工测控技术公司CTO周大鹏先生分享其公司全球导航模组一、室内室外一体化定位解决方案:全球应用与技术创新天工测控技术公司,自2006年成立以来,便致力于定位技术的研发与创新。从最初的普通定位技术,到如今的精准定位、换定位,再到室内定位系统的全面应用,天工测控已经成功完成了室内室外一体化的解决方案,这一成就不仅标志着公司在定位技术领域的深厚积累,更预示着其在全球市场的广阔应用前景。在杭州机场,天工测控的室内定位方案已经得到实际应用。这...
2024年11月8日(周五)-今天上午9:30,【2024国际元器件产业链出海拓展论坛】在深圳国际会展中心13号馆的深圳国际电子元器件及物料采购展览会现场顺利召开,论坛议程涵盖了一系列专业演讲和交流,包括VIP致辞、关于海外市场品牌拓展、半导体行业新机会、东南亚电子元器件市场开拓、全球导航模组应用前景,以及RISC-V生态崛起等议题,由来自易海创腾、伏芮人力顾问科技、振芯荟、天工测控技术和矽力杰等公司的行业专家和高管进行分享。值得一提的是,参与企业都将获得海外参展补贴机会。期待通过此次论坛活动,为参会者搭建起一座桥梁,让大家能够互相学习、互相启发、携手出海,闯出一篇新天地。图:【2024国际元器件产业链出海拓展论坛】在深圳国际会展中心13号馆顺利召开本次论坛由知名半导体专家&半导体投资人,赵兴华先生担任主持人,他指出,2024年中国元器件行业面临激烈的内卷竞争,出海成为行业共识,但国际化过程中需要克服文化、法规差异和商业挑战,才能确企业的保稳健发展。今天我们齐聚一堂,大家相互学习,相互探讨如何才能成功出海。图:2024国际元器件产业链出海拓展论坛主持人赵兴华先生深圳市宝安区企业服务中心...
伊利诺伊大学香槟分校的最新研究提出了一种创新的电化学方法,可以在一个过程中捕获、浓缩并销毁水中的各种PFAS(全氟和多氟烷基物质),包括越来越常见的超短链PFAS。这项新技术有望解决半导体制造业日益严重的污染问题。此前,伊利诺伊大学的研究表明,通过电化学吸附(电吸附)可以去除水中的长链和短链PFAS,但由于超短链PFAS分子小且化学特性不同,这种方法对其并不奏效。此次研究由化学与生物分子工程教授苏晓领导,采用了将“还原氧化电渗析”技术与电吸附结合的方式,成功应对了捕捉完整PFAS分子谱的挑战。“我们选择了还原氧化电渗析技术,因为超短链PFAS在水中行为类似于盐离子,”苏教授解释道,“关键是要设计出一个高效的电渗析系统,能够捕捉超短链PFAS,并与电吸附过程协同作用,去除长链和短链PFAS,同时通过电化学氧化过程销毁它们,最终在单一设备中实现这一过程。”苏教授团队之前已成功展示了高效的电渗析装置,这些装置能够去除各种非PFAS污染物。然而,该过程依赖于离子交换膜,这些膜昂贵且容易被PFAS分子堵塞。为了克服这一问题,团队引入了一种廉价的纳滤膜,能够通过电场驱动去除PFAS,而不容易发生污...
随着人工智能技术的不断进步,对高性能半导体的需求也迅速增长。为了实现更高性能的半导体,开发新材料和创新结构已变得至关重要。近日,全球首例基于等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术的4英寸异质结构半导体制造技术问世。这一突破使得生产低功耗、高性能的半导体成为可能,其性能超越了传统硅基技术的局限。PECVD技术,即等离子体增强化学气相沉积技术,是一种在沉积腔室利用辉光放电使气体分子电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法。这项技术通过等离子体激活作用增强化学气相反应物质活性,提高表面反应速率,并通过高能离子显著降低了薄膜沉积温度。PECVD技术在半导体制造、太阳能电池、涂层技术、显示面板等领域都有着广泛的应用。例如,在半导体制造中,PECVD用于制备栅极电介质、钝化层和互连器件;在太阳能电池中,用于制备抗反射涂层和其他功能层;在显示技术中,用于制备液晶显示器的透明电极和光学膜。此外,PECVD还可用于光学元件涂层以及汽车和航空航天部件的保护涂层。此次研究由韩国机械与材料研究院(KIMM)半导体制造研究中心的首席研究员金亨宇领导,研究团队与成均馆大学机械工...
随着人工智能(AI)技术的快速发展,量子计算的潜力面临严峻挑战。一些业内人士认为AI技术有可能在未来可能会抢先解决量子计算尚未能够解决的实际问题,或者在某些应用领域超越量子计算的潜力,尤其是在解决实际问题和技术应用方面。尽管量子计算被视为未来技术的革命性突破,AI的迅猛发展正在迅速填补许多本应由量子计算解决的空白。本文将结合该文章的观点,探讨为何AI可能会超越量子计算的潜力,并在多个领域取得领先地位。AI的飞速进展近年来,AI,尤其是大型语言模型(LLMs)和深度学习等技术,已经在多个领域展现了强大的应用潜力。无论是在药物研发、材料科学、金融科技,还是在复杂优化问题的求解上,AI的表现都超出了许多人的预期。例如,AI已经能够预测疾病的风险、设计新材料,并在数分钟内解决以往需要几周甚至几个月时间的传统计算任务。与此相比,量子计算的进展相对较慢。尽管量子计算在理论上拥有无与伦比的处理能力,特别是在解决复杂的模拟和优化问题上,但它距离在实际世界中应用仍有很长的路要走。目前,量子计算面临一系列技术障碍,包括量子比特的纠错、量子退相干时间的限制以及缺乏成熟的量子算法等问题。因此,尽管量子计算被寄...
STMicroelectronics(意法半导体)在电力电子领域再次取得突破,宣布推出STGAP3S家族,这是一系列专为绝缘栅双极晶体管(IGBT)和碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)设计的先进隔离栅极驱动器。这些新型驱动器以其卓越的性能和可靠性,为工业和能源应用提供了强大的支持。技术细节和性能参数STGAP3S家族采用了STMicroelectronics最新的鲁棒隔离技术,提供了增强的电容隔离,能够在栅极驱动通道和低压控制及接口电路之间提供隔离。这种隔离技术能够承受高达9.6kV的瞬态隔离电压(VIOTM)以及200V/ns的共模瞬态抑制(CMTI),显著提高了电机驱动在工业应用中的可靠性。此外,STGAP3S家族提供了10A和6A的电流能力选项,每种都配有不同的欠压锁定(UVLO)和去饱和干预阈值,帮助设计者选择最佳设备以匹配他们选择的SiC MOSFET或IGBT功率开关的性能。应用案例和市场趋势STGAP3S家族的栅极驱动器在电动汽车、可再生能源系统、充电站、能源存储系统、功率因数校正(PFC)、DC/DC转换器和太阳能逆变器等应用中展现出卓越的性能...