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首批名单公布！反向充电前景如何？2025-04-03近期，国家发展和改革委等四部门公布了首批车网互动规模化应用试点项目。首批试点涵盖了上海市等 9 个城市以及 30 个项目。上海市以 4 个试点项目独占鳌头，且项目场景丰富多样，涵盖了多个领域；成都市有 3 个项目入选，重庆市、武汉市、海口市等也各有 2 个项目参与其中。这标志着车网互动从理论探讨和小规模试验，正式迈向大规模实践应用的新阶段。在此之前，全国范围内已开展了大规模的车网互动尝试。3 月 28 日，南方电网经营区内启动了全国最大规模车网互动活动，令人惊叹的是，有 10 万多辆次新能源汽车积极参与，互动电量达到了 50 万度，并且是在 5 省区同时开展，涉及 63 个城市。这一前期试点成果充分展示了车网互动在大规模应用方面的可行性与巨大潜力，为后续的深入发展奠定了坚实基础。反向充电的独特优势相较于传统充电方式，车网互动（V2G）技术的优势十分显著。传统充电方式仅仅是电能从电网单向流入新能源汽车的电池，而 V2G 技术则打破了这种单一模式。它不仅能让新能源汽车根据电价的波动灵活调整充电速度，在电价较低时加快充电，降低充电成本；更重要的是，当车辆闲置时，还允许电动车将车载电池中的电能... 查看更多 -
未来电池技术如何演变？2025-04-03主流技术的争议，一直是光伏行业经久不衰的话题之一。“何为技术主流？市场占有率超过50%方可称之。”据了解，目前常见的电池技术正处于百花齐放时期，有锂离子电池技术、固态电池技术、钠离子电池技术、结构创新技术等。业内人士指出，未来几年内，TOPCon电池技术仍将是市场主流，而且具有可持续提升的潜力。什么是TOPCon电池TOPCon电池，全称为隧穿氧化层钝化接触（Tunnel Oxide Passivated Contact）太阳能电池，是一种高效晶硅太阳能电池技术。它由德国Fraunhofer ISE研究所于2013年首次提出，旨在通过在电池背面使用一层超薄的氧化硅和一层掺杂多晶硅来实现更高的转换效率。这种结构能够有效地减少载流子在电极接触区域的复合损失，从而提高电池的整体性能。TOPCon技术允许电流通过一个非常薄的绝缘层进行“隧穿”，这使得电子可以很容易地穿过这个障碍层，同时减少了能量损失，提高了光电转换效率。由于其高效能和较低的成本潜力，TOPCon电池被认为是下一代主流的太阳能电池技术之一，吸引了全球众多光伏企业的关注与研究开发。随着技术的进步，TOPCon电池的效率不断刷新纪录... 查看更多 -
5900晶体管碾压全球！复旦“无极”芯片凭99.77%良率终结摩尔定律焦虑？！2025-04-03在全球半导体行业面临摩尔定律放缓挑战的当下，复旦大学团队带来的突破性成果——全球首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器“无极（WUJI）”引发了行业轰动。这款芯片不仅突破了二维半导体材料在大规模集成中的瓶颈，还创下了5900个晶体管的规模记录，远超此前国际最高水平115个晶体管的纪录，并在实验中实现了99.77%的反相器良率。这一成就不仅是中国半导体产业的里程碑式突破，也重新燃起了业界对超越摩尔定律的信心。一、摩尔定律焦虑：半导体产业的极限困境自上世纪60年代起，摩尔定律一直是半导体产业发展的基石，即晶体管数量每18至24个月翻一倍。然而，随着硅基工艺逐渐接近物理极限，芯片制造的成本和难度大幅上升，传统硅基半导体难以继续维持指数级增长。例如，当前最先进的3nm工艺芯片已经面临严重的量产挑战，而台积电等龙头企业的研发重心也开始从单纯的晶体管缩放，转向新的架构设计与材料创新，以应对摩尔定律放缓的挑战。在此背景下，二维半导体材料被寄予厚望。由于其原子级厚度和优异的电子特性，二维材料有望突破硅基芯片的物理极限，推动半导体产业进入新的发展阶段。然而，二维材料的可控生长、器件集成度... 查看更多 -
90%效率突破！中国团队颠覆深紫外LED关键瓶颈2025-04-03在半导体照明领域，深紫外LED（UVC LED）因其在杀菌消毒、空气净化、水处理等领域的广泛应用而备受关注。然而，其低外部量子效率（EQE）长期以来限制了商业化进程。近期，中国研究团队通过优化氮化铝（AlN）模板层的制备策略，在蓝宝石基板上取得重大突破，大幅提升了UVC LED的性能，推动产业向高效低成本方向发展。一、UVC LED的技术瓶颈与研究背景UVC LED采用铝镓氮（AlGaN）材料，但由于AlGaN与蓝宝石基板之间存在晶格失配和热失配问题，导致材料内部产生高密度位错及界面缺陷。这些结构性缺陷不仅影响晶体质量，还降低了载流子复合效率，从而显著限制了器件的发光效率。为了克服这些挑战，研究人员致力于提升AlN作为模板层的质量，以减少位错密度，提高UVCLED的光电转换性能。二、AlN模板的创新制备策略研究团队在蓝宝石基板上采用三种不同方法制备AlN缓冲层，并借助金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺，实现了无裂纹、应力受控的高质量AlN薄膜。1. AlN-I方法：外延层再生长（ELO）通过三维生长机制减少缺陷密度，但位错密度仍高达5.110⁹/cm²，表面粗糙度6.69nm。2.... 查看更多 -
性能比肩AMD/Intel！睿思芯科“灵羽”：RISC-V从边缘到数据中心的逆袭2025-04-032025年4月2日，睿思芯科正式发布中国首款全自研高性能RISC-V服务器芯片——灵羽（Lingyu）处理器。这一里程碑事件不仅标志着RISC-V架构在高性能计算领域的突破，也为中国半导体产业在国际市场竞争中提供了新的可能性。作为一款瞄准数据中心和企业级计算市场的处理器，灵羽的推出表明RISC-V架构正在从边缘计算逐步渗透至核心计算领域，并对传统x86和ARM阵营构成挑战。中国出海半导体网将从技术创新、市场潜力、生态挑战及未来展望四个方面，深度剖析灵羽处理器的行业影响。一、技术创新：高性能RISC-V架构的突破1.计算架构与核心技术灵羽处理器基于睿思芯科自主研发的高性能CPU核心IP，采用乱序（OoO）执行架构，配合高带宽数据通路和Mesh互连结构，实现了单核与多核计算性能的显著提升。其设计目标是比肩甚至超越Intel Xeon和AMD EPYC等主流服务器处理器，在部分应用场景下，灵羽的SPEC CPU基准测试成绩已经达到行业领先水平。此外，灵羽支持高达128核的多核扩展，并采用Chiplet小芯片封装技术，提升计算密度和功耗比。其高效缓存架构和智能预取机制，使其在大规模并行计算、人... 查看更多 -
超充狂飙or安全至上？宁德CTO高焕警告：牺牲寿命换速度是行业毒药2025-04-02宁德时代首席技术官（CTO）高焕近日在中国电动汽车百人会论坛上的演讲，引发了行业内外的广泛关注。他明确指出，为了实现超高速充电（超充），若过度牺牲电池的可靠性、寿命、安全性，甚至能量密度，将对行业的长期发展带来深远影响。他的观点不仅为新能源汽车行业提供了新的发展思路，也引发了关于技术创新与安全保障平衡的深刻讨论。与此同时，小米SU7在高速公路上的严重事故再次凸显了新能源汽车在安全性方面的挑战。中国出海半导体网将结合高焕的演讲内容及小米SU7事故，深入探讨动力电池技术发展与安全保障的平衡点。图：宁德CTO高焕警告：牺牲寿命换速度是行业毒药一、超充技术的突破与安全隐患超充技术的推广对于提升新能源汽车的便利性具有重要意义，尤其是对公共充电基础设施尚不完善的市场而言，高效的超充能够有效提升用户体验。然而，超充对电池材料、热管理系统和电池寿命提出了更高的要求。1.1 超充对电池寿命的影响高焕在演讲中强调，电池寿命的缩短是超充技术带来的主要隐患。高倍率充电导致的高温环境会加速电池内部的化学反应，导致电池材料的衰退速度加快，进而缩短电池的循环寿命。根据宁德时代的研究，在极端快充模式下，部分电池的寿命... 查看更多
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