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2024中国算力大会揭示未来技术趋势！2024-06-20在数字化浪潮的推动下，算力已成为推动经济增长的关键力量。2024中国算力大会，定于8月中旬在郑州举行，不仅是对我国算力产业发展成果的一次集中展示，更是对未来算力技术趋势和应用前景的深入探讨。中国出海半导体网将在本文中，尝试深入分析这一盛会的背景、意义及其对郑州乃至全国数字化转型的深远影响。一、大会背景与意义中国算力大会是国内算力领域最具影响力的行业盛会之一。据中国信通院数据显示，截至2023年6月底，中国算力规模达到197EFLOPS，其中通用算力规模占比达74%，智能算力规模占比约22.8%，智能算力规模与去年相比增加了41.4%。这一数据显示，智能算力正成为推动算力增长的主要驱动力。二、郑州的机遇与挑战郑州作为国家中心城市，近年来在数字化建设方面取得了显著成效。举办2024中国算力大会，郑州将有机会进一步扩大其在全国乃至全球的知名度和影响力。然而，与此同时，郑州也面临着如何有效整合资源、提升服务能力、保障大会顺利举行的挑战。图：2024中国算力大会宣布8月郑州开幕三、算力产业的发展趋势中国算力规模的持续增长，特别是智能算力规模的提升，为各行各业的数字化转型提供了强有力的支撑。随着人... 查看更多 -
告别续航焦虑：路特斯14分钟颠覆电动汽车充电现状2024-06-20在电动汽车行业迅速发展的今天，续航能力和充电便利性一直是消费者关注的焦点。路特斯汽车以其首款电动超级跑车EMEYA（繁花）的问世，向世界宣告了一个可能改变游戏规则的充电技术突破。这款在德国权威机构《2323 P3 充电指南-亚洲》报告中获得认可的车型，以其惊人的充电速度，为电动汽车行业带来了颠覆性的变革。一、技术突破：路特斯EMEYA繁花的充电革命路特斯EMEYA繁花的充电技术之所以能够颠覆现状，源于其多项创新设计。首先，该车型采用了电池直接背负式结构，这一设计允许在相同空间内比标准模块架构多容纳20%的电池单元。其次，新的冷却系统架构显著提高了电池组的热性能和效率，这对于快速充电过程中电池的稳定性和安全性至关重要。在P3测试中，繁花在10%至80%电池状态下，可以达到402千瓦的峰值充电功率，平均充电功率为331千瓦，这一数据在当前市场上是极为罕见的。图：路特斯首款纯电超跑EMEYA繁花，14分钟充电到80%二、市场影响：充电速度的快速提升对电动车市场的推动作用路特斯EMEYA繁花的快速充电能力，对于电动车市场具有深远的影响。根据国际能源署（IEA）的数据，全球电动汽车销量在2022... 查看更多 -
芯片荒：半导体行业面临67,000人才缺口2024-06-20在数字化时代，半导体行业已成为全球经济增长的重要引擎。然而，这一行业正面临前所未有的人才危机。据半导体行业协会的报告，到本世纪末，全球半导体行业可能面临高达67,000名专业人才的缺口。这一数字不仅是一个警示，更是对行业未来可持续发展的严峻挑战。行业增长与人才需求半导体行业的增长速度是惊人的。据国际半导体产业协会（SEMI）的数据，2023年全球半导体销售额预计将达到5000亿美元，比前一年增长近10%。然而，这种增长的背后，是专业人才的极度紧缺。随着智能手机、云计算、人工智能等技术的普及，对半导体芯片的需求呈指数级增长，而能够满足这些需求的专业人才却远远不足。人才短缺的原因人才短缺是一个多维度问题。首先，教育体系与行业需求之间存在脱节。许多学生在完成学业后发现自己的技能与市场需求不匹配。其次，半导体行业的高技术门槛也使得新进入者面临较大的学习曲线。此外，全球范围内对STEM（科学、技术、工程和数学）专业人才的需求普遍增加，这也加剧了半导体行业的人才竞争。GlobalFoundries的应对策略面对人才短缺的挑战，GlobalFoundries的首席人才官Pradheepa Raman... 查看更多 -
三星预计2025年推出SAINT 3D封装服务2024-06-19据韩媒《韩国经济日报》报道，三星预计在2025年之前提供3D封装服务，命名为“SAINT”，这将为下一代HBM内存标准HBM4做准备。据悉，HBM4将于2026年首次亮相。在半导体封装领域，传统的2.5D封装技术已经难以满足日益增长的性能需求。三星的“SAINT”技术通过采用全新的3D封装方式，将多个芯片垂直堆叠在一起，与传统的2.5D技术相比，三星3D封装技术具有多项优势，不仅极大地缩短了芯片之间的距离，还显著提高了数据传输速度和效率。这种技术突破不仅解决了传统封装技术在性能上的瓶颈，还为半导体行业的发展开辟了新的道路。SAINT平台涵盖了三种不同类型的封装服务：SAINT-S、SAINT-L和SAINT-D，分别针对SRAM、逻辑和DRAM等不同类型的芯片进行优化设计。这种灵活多样的封装服务能够满足不同客户的需求，为各类高端应用提供定制化的解决方案。同时，通过垂直堆叠的方式，SAINT技术还实现了更低的碳足迹，为环保事业贡献了一份力量。图：三星SAINT 3D 封装三星的SAINT技术将直接服务于即将到来的HBM4时代。随着人工智能、云计算等技术的飞速发展，对于高性能、低功耗内存的... 查看更多 -
TSV工艺：AI时代的基石2024-06-19人工智能等先进技术应用需要处理、存储、访问和重写数据，而HBM可以处理单元和内存之间的耦合，以实现访问和存储，减少延迟从而提高整个设备系统的速度，并减少功耗和热量等。所以HBM是推动AI技术发展的关键。随着对更快数据访问的需求不断增长，HBM堆栈持续受到关注，这也给TSV（硅通孔）带来了更大的需求。TSV技术是一种先进的封装和互连技术，通过在硅片上制作垂直贯通的微小通孔，并在通孔中填充导电材料，实现芯片内部不同层面之间的电气连接。这种技术打破了传统二维集成电路的局限，使得芯片在垂直方向上也能进行高密度集成，从而大大提高了芯片的性能和集成度。TSV技术通过在硅片上垂直打孔，实现了不同硅片之间的电气连接，极大地提高了芯片的集成度和性能。这种技术的应用，使得内存解决方案能够满足AI时代对高带宽、大容量和低延迟的严苛要求。在AI应用中，对计算性能的要求极高。TSV技术通过提高芯片内部的互连密度，能够降低信号传输延迟，从而提升芯片的计算性能，满足AI应用对高性能计算的需求。图：TSV技术：AI时代的基石（图源：半导体工程)TSV技术被广泛应用于各种领域，如微处理器、存储器、传感器等，是推动集成电... 查看更多 -
LMUF：HBM制造商的新选择2024-06-19随着高性能计算和人工智能领域的快速发展，对高带宽内存（HBM）的需求日益增长。HBM以其高速度、高容量和低功耗特性成为高端计算设备的首选内存解决方案。然而，随着技术的进步和市场对更高内存密度的需求，HBM制造商面临着新的挑战。在这种情况下，液态模塑料下填料（Liquid Mold Underfill，简称LMUF）技术应运而生，成为HBM制造过程中的关键选择。以下是HBM制造商选择LMUF的几个主要原因。提升热传导性能HBM内存的堆叠技术要求在保持标准封装高度的同时，增加DRAM层的数量。这导致堆叠芯片的散热成为一个重大挑战。SK海力士等公司采用的液态环氧模塑料（Liquid EMC）作为下填料，相较于传统非导电膜（NCF），其热导率提高了一倍，有效提高了芯片的散热效率。增加内存密度液态模塑料下填料技术允许制造商在不牺牲性能或产量的前提下，制造更薄的DRAM层，并通过减少层间空间来增加DRAM层的数量。这不仅提高了内存模块的整体密度，而且有助于实现更高的内存容量。简化组装过程采用液态模塑料下填料的Mass Reflow Molded Underfill（MR-MUF）技术，可以在回流过... 查看更多
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