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Skylab天工测控技术有限公司2023-08-03深圳市天工测控技术有限公司（SKYLAB M&C Technology Co.,Ltd），是一家从事GNSS、WiFi、蓝牙等无线产品的研究和应用的高新技术企业，总部位于深圳，在中国北京、青岛、上海、成都、厦门、香港以及美国、波兰华沙、新加坡、印度孟买、越南、埃及等地均有销售点，全方位为客户提供有力的支持。公司旨在向国内外OEM/ODM客户以及系统集成商提供高品质、高性能的无线模块和应用方案，致力为客户创造长期的价值和潜在的增长。自2002年成立以来，SKYLAB依靠在无线通讯技术领域的研发经验，SKYLAB建立了一支具有丰富的RF技术、GNSS/WIFI/Bluetooth/GPRS软硬件开发经验的技术团队。SKYLAB能提供系列的工业级高品质GPS、BDS、GLONASS、GALILEO等GNSS导航定位模块、WIFI模块、蓝牙模块及室内定位解决方案，并基于模块内核进行二次开发应用，给客户提供低成本的无线产品解决方案，降低客户整体成本。SKYLAB公司执行ISO-9001质量管理体系和IATF-16949汽车行业质量标准体系，并通过德国TUV南德认证。公司始终坚持客户至上，以客户为... 查看更多 -
从手机快充到新能源汽车，氮化镓的发展之路2023-07-14从消费级到车规级，氮化镓技术的优势何在作为电力电子领域的核心技术之一，基于GaN的电能转换技术在消费电子、数据中心等领域有广泛应用，这对提高电能的高效利用及实现节能减排起着关键作用。目前，GaN正在从低功率消费电子市场转向高功率数据中心、光伏逆变器、通信电源等市场。这些应用需要的电源具有更大的功率密度、更高的能效、更高的开关频率、更出色的热管理以及更小的尺寸，而GaN正是达成这些目标的关键一步。相较于硅元件，氮化镓功率器件的优势在于更高的电流密度、迁移率以及优秀的耐热性、导电性和散热性。由于GaN的物理特性，它能够为电力电子设备提供小型化和高效率化的解决方案。例如，GaN的低开关损耗和高工作频率能够显著提高电源的运行效率和功率密度，这在很大程度上推动了其在电源市场的应用。据行业预测，从2021年到2027年，全球GaN功率器件市场的复合年增长率（CAGR）预计将达到30%，并预计到2027年，其市场规模将超过10亿美元。这种增长的推动力主要源自电力电子设备的小型化和高效率化需求。预计在2021年到2027年间，全球GaN功率器件市场的复合年增长率将达到30%，到2027年市场规模有望超... 查看更多 -
新能源汽车市场蓬勃发展，第三代半导体加速“上车”2023-07-142023年以来，第三代半导体市场发展热度进一步攀升，产业内各企业合作频繁的同时，扩产动作也不断。继3月英飞凌宣布收购加拿大氮化镓系统公司后，6月初，三安光电也与意法半导体宣布合资建设碳化硅工厂。作为三代半产业中较为成熟的两类应用材料，碳化硅与氮化镓以高频高功率低损耗的优势在多样化的应用场景中获得了广阔市场，其中备受瞩目的一个应用领域正是新能源汽车。在近日2023集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会上，TrendForce集邦分析师龚瑞骄表示：“碳化硅市场的发展受到了新能源产业的强力驱动，特别是新能源汽车的蓬勃发展，带动了碳化硅产业的腾飞。氮化镓在汽车市场的前景也很不错，许多OEM和Tier1非常看好氮化镓在汽车市场的应用，但是仍需要产业界共同努力推进发展。”据预测，在下游应用与市场的驱动下，碳化硅功率元件市场规模将从2022年的16.1亿美金成长到2026年的53.3亿美金，复合增长率达到35%；而氮化镓功率元件的市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。其中，新能源汽车是目前占比最高的应用场景。根据CASA Research数据，202... 查看更多 -
SiC功率器件种类及应用分析2023-07-14一、SiC功率器件的种类SiC功率器件主要有SiC二极管、SiC JFET、SiC MOSFET、SiC IGBT、SiC GTO等。1.SiC二极管目前SiC二极管已经大量运用于商业化的电能转换装置中。SiC功率二极管有3种类型：PiN二极管、肖特基二极管（schottky barrier diode，SBD）和结势垒肖特基二极管（junctionbarrierschottky diode，JBS），其结构如下图所示：3种类型SiC二极管结构示意图JBS二极管结合了肖特基二极管在正向导通情况下单极型导电的优点及PiN结二极管反向漏电流较低的优点，在4.5kV阻断电压以下通常采用此结构。随着器件耐压的进一步提高（4.5~10kV以上），漂移区的电阻增加，限制了单极型器件性能的进一步提高，因此相比于肖特基二极管，PiN结二极管在高压场合更具优势，但SiC厚外延生长工艺会引入额外的缺陷面密度会导致PiN二极管的良率较低，控制少数载流子寿命工艺不成熟。混合PN结肖特基二极管（merged PiN schottky diode）是在JBS二极管的基础上提出的优化结构，通过加大面积P区以及P型欧... 查看更多 -
半导体功率器件市场竞争格局及产业机遇分析2023-07-14一、功率半导体品类繁多，市场规模庞大功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。从发展历程来看，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统；20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展；20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来；20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代；20世纪90年代，超结MOSFET逐步出现，打破传统“硅限”以满足大功率和高频化的应用需求。技术演进方面，随着社会电气化程度的不断提高，功率半导体器件从早期简单的二极管逐渐向高性能、集成化方向发展。从结构和等效电路图看，为满足更广泛的应用需求和复杂的应用环境，器件设计及制造难度逐渐提高。以功率MOSFET为例，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，MOSFET器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的... 查看更多 -
氮化镓功率器件领域的新选择2023-07-14自2021年苹果首次推出氮化镓（GaN）快充，将GaN技术在功率器件上的应用推向首个巅峰后， GaN在600~900V以及200V以下电压区间应用实现了迅猛增长。Yole数据指出，2021年到2027年期间，GaN功率器件市场CAGR达52%，整体市场规模达到20亿美元，其中消费类市场规模超过9.156亿美元。随着入局GaN领域的玩家不断增加，研究机构TrendForce认为，GaN在低功率消费电子领域的应用已进入红海市场。在技术、供应链不断成熟以及成本下降趋势下，GaN功率器件正朝着中大功率储能、数据中心、家用微型逆变器、通讯基站以及汽车等领域拓展，在此过程中，众多GaN企业不断分化，做出了各自的新选择。GaN合封方案成为主流当前GaN 功率器件（GaN FET）分为增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）两种。增强型是常关的器件，而耗尽型则是常开的器件。在电力电子应用中，常开的器件会带来使用上的不便和安全方面的问题。因此实际应用中的GaN器件都需要是常关型的器件，工作时需要驱动芯片来使其导通。根据控制芯片集成度来划分，可以分为分立式GaN控制器以及合封GaN 控制器两种，市面... 查看更多
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