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国产GPU突破：摩尔线程MTT S80挑战Nvidia RTX 30602024-06-11在全球半导体产业的竞争格局中，中国企业摩尔线程技术公司（Moore Threads Technology）以其MTT S80显卡的推出，向Nvidia的RTX 3060发起了挑战。这一事件不仅在国内市场引起了广泛关注，更在全球范围内展示了中国在GPU设计领域的潜力与决心。性能对比：MTT S80与RTX 3060的较量根据摩尔线程官方发布的数据，MTT S80显卡基于台积电7nm工艺，拥有4096个MUSA核心，主频1.8GHz，配备16GB GDDR6显存，显存位宽256bit。在单精度浮点性能上，MTT S80达到了14.4 TFLOPS，这一理论算力已经超越了RTX 3060。然而，实际游戏性能的对比显示，尽管MTT S80在某些方面与RTX 3060不相上下，但在处理AAA级游戏时，仍存在一定差距。以《英雄联盟》为例，MTT S80在1080P高画质下能够达到平均136帧的流畅体验，而在2K高画质下，帧数仍能维持在120帧以上。这一表现对于大多数玩家而言，已经足够满足日常游戏需求。图：摩尔线程MTT S80挑战Nvidia RTX 3060价格优势：性价比的重新定义在价格方面，... 查看更多 -
CGD推出革命性新型GaN功率IC封装2024-06-07Cambridge GaN Devices（CGD）最近推出了两款新型的ICeGaN™产品系列GaN功率IC封装，这些封装具有低热阻和便于光学检查的特性，为数据中心、逆变器及其他工业应用提供了更高的功率密度和效率优势。这些新型封装包括DHDFN-9-1（双散热器DFN）和BHDFN-9-1（底部散热器DFN），它们都采用了经过充分验证的DFN封装，确保了封装的坚固可靠性。DHDFN-9-1和BHDFN-9-1这两种型号，它们都采用了经过充分验证的DFN封装技术，确保了封装的坚固性和可靠性。DHDFN-9-1封装以其双面冷却设计，提供了底部、顶部和双侧冷却的灵活性，特别在顶部和双侧冷却配置中，性能超越了市场上常用的TOLT封装。而BHDFN-9-1封装则以其0.28 K/W的热阻，提供了与领先设备相媲美或更优的性能。新型封装的设计不仅考虑了性能，还兼顾了应用的灵活性和便利性。DHDFN-9-1的双极引脚设计优化了PCB布局，简化了并联过程，使得客户能够轻松应对高达6千瓦的应用需求。BHDFN-9-1封装则因其相似的封装布局，可以与常用的TOLL封装GaN功率IC通用，便于现有设计的应用和... 查看更多 -
本田与GM联手在美投产插电式氢燃料电池车2024-06-07本田与GM自2017年开始在氢燃料电池领域展开合作，共同成立了一家合资企业——燃料电池系统制造有限责任公司（Fuel Cell System Manufacturing LLC），致力于氢燃料电池的研发和生产。这一合作基于两家公司在燃料电池技术方面的长期投入和积累。目前，本田已将其位于俄亥俄州玛丽斯维尔的性能制造中心小批量工厂从生产 Acura NSX 跑车转变为生产该公司 CR-V 紧凑型跨界 SUV 的氢燃料电池版本。本田工程师已针对燃料电池应用优化了2025 款 CR-V e:FCEV 的结构和悬架。与内燃机驱动的 CR-V 相比，后部横向刚度提高了 10%，后部扭转刚度提高了 9%，这要归功于安装在地板上的电池组提供的额外强度。插电式氢燃料电池车作为一种新型清洁能源汽车，结合了氢燃料电池和插电式充电技术，具有零排放、高能效和长续航等优点。它的问世将有效减少汽车尾气排放，降低对环境的污染，为人们提供更加绿色、健康的出行方式。图：本田开始生产氢燃料电池 SUV（图源：Design News）本田与通用汽车联手研发的插电式氢燃料电池车，在技术创新方面取得了重要突破。首先，该系统采用了... 查看更多 -
GPU 加速技术对其他工艺技术的影响2024-06-07GPU加速技术在掩模设计和生产以及其他工艺技术中的应用，可以显著提高设计和制造的效率和精度。GPU加速技术的应用不仅显著提升了工作效率，还推动了工艺技术的创新与发展。掩模是半导体制造中不可或缺的关键工具，其设计与生产的精度直接影响到芯片的性能和质量。GPU加速技术的引入，使得掩模设计与生产过程变得更加高效和精确。首先，GPU的高并行计算能力使得掩模设计过程中的复杂计算得以快速完成。传统的CPU计算方式在处理大量数据时往往效率低下，而GPU则能够同时处理成千上万个数据点，大大提高了计算速度。这使得设计师能够更快地迭代和优化设计，缩短了产品上市时间。其次，GPU加速技术还使得掩模生产过程中的关键步骤——光刻模拟变得更加准确和高效。光刻是半导体制造中最为关键的工艺之一，其精度直接影响到芯片的性能。GPU加速技术能够实时模拟光刻过程中的光学效应和材料特性，为生产人员提供准确的工艺参数，从而提高了掩模的生产质量和效率。图：GPU加速技术革新掩模设计与生产及其他工艺技术除了掩模设计与生产外，GPU加速技术还在其他工艺技术中发挥着重要作用。在图像处理领域，GPU加速技术使得高清视频处理、实时图像渲染... 查看更多 -
Navitas推出第三代快速SiC MOSFET2024-06-07据报道，Navitas Semiconductor推出了一系列新型第三代“快速”（G3F）650 V 和 1,200 V SiC MOSFET。这些 MOSFET 旨在提供最快的开关速度、最高的效率和更高的功率密度。它们专门针对 AI 数据中心电源、车载充电器 (OBC)、快速 EV 路边增压器以及太阳能/储能系统(ESS) 等应用进行了优化。广泛的产品选择包括各种行业标准封装，从 D2PAK-7 到 TO-247-4。这些封装专门用于满足需要高功率和高可靠性的苛刻应用的要求。G3F 系列旨在实现卓越的开关性能，与竞争的 CCM TPPFC 系统相比，硬开关性能系数 (FOM) 提高了 40%。这将使即将推出的 AI 电源单元 (PSU) 的功率增加到最高 10 kW，并将每机架功率从 30 kW 增加到 100-120 kW。G3F GeneSiC MOSFET 采用一种称为“沟槽辅助平面”的独特工艺制造而成。此外，这些 MOSFET 不仅超越了沟槽 MOSFET 的性能，而且与竞争产品相比，还具有更高的弹性、制造简易性和成本效益。G3F MOSFET 具有卓越的效率和快速的性能，与... 查看更多 -
Niobium 融资 550 万美元，推出 FHE 芯片2024-06-07据悉，初创公司Niobium已筹集了550万美元的种子资金并推出其首款FHE（全同态加密加速器）芯片。该公司表示，Niobium的首款芯片将使FHE的速度比标准CPU快1000-5000倍。全同态加密（Fully Homomorphic Encryption，简称FHE）是一种高级加密技术，它允许在不解密数据的前提下对密文进行各种计算，且解密后的结果与直接在明文上进行相应计算的结果相同。然而，由于计算量非常大，FHE目前无法实现。目前包括Cornami、Optalysys、Niobium和英特尔在内的公司都在计划推出FHE硬件加速器。对于1000-5000倍的性能提升能否可以实现可用FHE，其负责人表示他们相信这性能的提升可行，并且已经与一些大公司合作。该项目的负责人表示：“政府的支持给我们提供了很大的帮助，有了支持，我们可以完成芯片的流片，然后对其进行测试、封装、并将其放在PCIe卡上。”他还补充说道该公司还筹集了550万美元的种子资金，这些资金将用于投资在Niobium的软件设计开发团队上。这笔资金还将用于开发 FHE 的商业应用，包括医疗保健和制药研究、金融欺诈检测、区块链和数字... 查看更多
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