随着人工智能(AI)技术的飞速发展,数据处理能力成为了推动科技进步的关键因素。在这样的背景下,图形双倍数据速率内存(图形DRAM)因其卓越的性能和广泛的应用前景,成为了三星电子、SK海力士、美光这三大存储巨头新的竞争焦点。2022年7月,三星电子宣布开发出业界首款32Gbps GDDR7 DRAM,标志着存储半导体行业的一个新里程碑。这款产品以其每秒高达1.5TB的数据处理速度,相当于一秒钟处理50部30GB的超高清(UHD)电影,引起了业界的广泛关注。与上一代GDDR6相比,GDDR7的数据处理速度提高了1.4倍,能效提高了20%,显示出其在高速数据处理方面的巨大潜力。图形DRAM,尤其是最新一代的GDDR7,以其高速的数据处理能力和优异的能效比,成为了AI加速器、加密货币挖掘等领域不可或缺的核心组件。据市场研究公司Omdia预测,到2024年年底,图形DRAM将占据整个DRAM市场的15%,相较于2022年的7%,这一增长幅度令人瞩目。2022年7月,三星电子宣布开发出业界首款32Gbps GDDR7 DRAM,标志着存储半导体行业的一个新里程碑。这款产品以其每秒高达1.5TB的数...
虽然AMD Ryzen AI 300系列尚未发布,但根据Geekbench跑分显示这款芯片的性能表现良好。Ryzen AI 9 HX 370采用了先进的12核24线程配置,结合4 Zen 5和8 Zen 5C的核心架构,为用户提供了强大的计算能力。与此同时,该处理器还拥有高达5.1 GHz的运行频率和36 MB的缓存(24 MB L3 + 12 MB L2),确保了在高负载任务下依然能够保持出色的性能表现。在性能跑分方面,Ryzen AI 9 HX 370的表现令人瞩目。根据Geekbench跑分库的信息,该处理器在Geekbench 5.4.5中的单核成绩达到了1847分,多核成绩更是高达14316分。而在Geekbench 6.3.0基准测试中,其单核分数提升至2544分,多核分数依然稳定在14158分的高位。这些出色的性能跑分充分展示了Ryzen AI 9 HX 370在处理多任务时的强大能力,为用户带来了前所未有的计算体验。图:AMD Ryzen AI 9 HX 370(图源:AMD)与上一代旗舰产品Ryzen 9 8945HS相比,Ryzen AI 9 HX 370在内核/线...
在全球电子产业的持续复苏中,中国台湾PCB(印刷电路板)产业正展现出强大的生命力和增长潜力。根据中国台湾电路板协会(TPCA)的预测,台商PCB产业正走出低谷,有望逐季增长,预计第二季度产值环比增加7.3%。此外,TPCA预计2024年全年,以美元计价的产值将呈现5%到7%的增长。这表明中国台湾PCB产业正在逐步恢复增长势头。长期以来,中国台湾作为全球电子产业的重要一环,其PCB产业一直占据重要地位。然而,在经历了一段时间的市场低迷后,该产业正迎来新的发展机遇。据中国台湾电路板协会(TPCA)的近期报告,台商PCB产业已经走出低谷,展现出复苏的迹象,并有望在未来几个季度内持续增长。在第一季度,尽管全球及中国台湾PCB市场并未显著恢复正增长,但整体表现仍优于市场预期。这主要得益于人工智能(AI)、低轨卫星等新兴技术的快速发展,以及它们对PCB产品的持续需求。此外,通信、计算机、半导体、汽车和消费电子等领域的需求也在稳步增长,为PCB产业提供了广阔的市场空间。图:台湾PCB产业逐季增长从产品分类来看,多层板、软板(柔性PCB)、HDI(高密度互联板)和IC载板(基板)等仍然是PCB市场的主...
据悉,Intel的Lunar Lake处理器预计将在2024年第三季度发布,具体日期可能在9月17日至24日之间。这款处理器在AI性能上有着显著的提升,Intel声称其AI性能比高通Snapdragon X Elite芯片高出1.4倍。同时,Lunar Lake在电池寿命和能效方面也有巨大提升,提供了x86处理器中最低的功耗,比高通芯片低20%,比AMD的Ryzen 7 7840U低30%。 Lunar Lake处理器被寄予厚望,因为它被设计为AI PC的最佳搭档。据传闻,Lunar Lake在AI性能上将远超现有的Meteor Lake处理器,这将为AI应用提供更为强大的计算能力。此外,Lunar Lake在功耗控制上也取得了显著的进步,据称功耗降低了多达40%,这将为用户带来更为节能的使用体验。Lunar Lake处理器主要面向超轻薄笔记本、游戏掌机等移动设备市场。而Arrow Lake处理器预计将在2024年第四季度发布,将与AI注入的桌面PC和移动设备竞争。预计解锁版K系列将在10月份首次发售,搭配新的高端主板Z890,采用LGA1851封装接口。非K的桌面主流系列和相应的B8...
近日,英飞凌公司推出了CoolGaN晶体管700V G4产品系列,据称该产品在高达700V的电压范围内具有高性能的功率转换效率。CoolGaN 700V G4 系列是英飞凌对创新和性能承诺的证明。这个系列包括 13 种设备,覆盖了 700V 的电压等级和从 20mΩ 到 315mΩ 的导通电阻范围。这种设备规格的粒度允许精确选择可以针对特定应用进行优化的组件,确保电气和热系统性能最大化,同时保持成本效益。CoolGaN 700V G4 系列的主要特点快速开关速度:这些设备以快速的开启和关闭速度为特点,显著减少了开关损耗,有助于提高整体系统效率。广泛的功率范围:导通电阻范围设计用于支持从 20W 到 25,000W 的功率系统,使这些晶体管适用于多种应用。高瞬态电压:700V E-mode 设备拥有行业领先的 850V 瞬态电压,增强了系统对用户环境中电压异常的鲁棒性。行业标准封装选项英飞凌确保 CoolGaN 700V G4 系列与包括 PDFN、TOLL 和 TOLT 在内的广泛行业标准封装兼容。这种兼容性不仅便于集成到现有系统中,还允许未来的可扩展性和升级。图:英飞凌全新 Cool...
三星晶圆代工部门近日透露,预计将于2027年推出1.4nm制程工艺、芯片背面供电网络(BSPDN)和硅光子技术。三星电子的1.4nm工艺技术,是基于其在全环绕栅极(GAA)技术领域的深入研究和成功应用。相较于传统的FinFET晶体管,GAA晶体管提供了更优的电流控制能力,这将使得1.4nm工艺在性能和能效上实现显著提升。三星已经在3nm工艺中成功应用了GAA技术,并计划在2nm工艺中进一步增强,为1.4nm工艺的推出奠定了坚实的基础。三星的1.4nm工艺将采用更先进的纳米片技术,通过增加纳米片的数量来优化晶体管的性能。这一设计能够显著提升驱动电流,提高芯片的性能,同时更好地控制电流,降低功耗。这意味着,采用1.4nm工艺制造的芯片将拥有更高的能效比和更出色的性能表现。为了实现这一工艺,三星计划在2025年采用ASML High NA EUV光刻机进行生产。这一设备是目前最先进的光刻机之一,能够精确地在硅片上刻蚀出纳米级别的电路结构。通过引入这一设备,三星将确保1.4nm工艺的顺利实现,并为其未来的芯片生产提供有力保障。图:三星将于2027年推出1.4nm工艺、硅光子技术(图源:三星)除...