Wolfspeed Inc.,一家位于北卡罗来纳州达勒姆的碳化硅材料和功率半导体器件生产公司,日前与美国商务部签署了一份初步条款备忘录,根据CHIPS Act,公司将有望获得最高达7.5亿美元的资金支持。此外,由Apollo等公司牵头的投资财团还同意提供额外的7.5亿美元融资。这些投资将共同支持Wolfspeed的长期增长战略,推动碳化硅生产的发展,为电动汽车、人工智能数据中心和电池存储等清洁能源系统提供动力。Wolfspeed预计,还将从CHIPS Act里的先进制造业税收抵免中获得约10亿美元的现金退税。通过这些支持,Wolfspeed的总预期资本将达到25亿美元,用于推动在美国扩大碳化硅制造能力。Wolfspeed强调了碳化硅生产的重要性,这一战略已获得多个联邦机构的认可。美国能源部将碳化硅列为17种“关键材料”之一,这些材料对清洁能源技术至关重要,且供应链存在较大中断风险。与此同时,美国商务部则认为碳化硅对于国家安全至关重要。Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe表示:“这些支持措施将增强我们在美国扩展制造能力、加速下一代半导体技术创新的能力,并帮助我们满足全球对碳化...
今天,KLA公司发布了业内最全面的IC基板(ICS)制造工艺控制和工艺支持解决方案。凭借在前端半导体、封装和IC基板领域的深厚专业知识,KLA将帮助客户在高性能应用的芯片封装互连密度方面实现突破性进展。随着先进封装技术持续采用异构集成方法,将多个半导体元件整合在一起以提升性能、降低功耗和控制成本,互连需求也在不断变化。基于面板的中间封装层(如IC基板和中介层)的创新正在加速发展,这些技术用于高效连接芯片与印刷电路板(PCB)。随着封装尺寸的增大、特征尺寸的减小以及新材料如玻璃的引入,制造商可以利用KLA的解决方案组合来提升产量、缩短交付周期并提高整体盈利能力。KLA提供的综合产品组合包括直接成像(DI)、缺陷检测、整形、计量、化学过程控制和智能软件解决方案,全面优化了先进封装制造的工作流程。其中,KLA的直接成像解决方案种类丰富,能够满足各种客户的光刻需求。Corus直接成像平台已被市场广泛接受,证明其在提供高度灵活和高效成像解决方案方面的卓越能力。为了应对IC基板和下一代高密度互连(HDI)等应用不断变化的需求,KLA通过引入下一代光学器件和激光器,扩展了这一功能,以优化动态成像和层...
根据Omdia的最新报告,NexChip和三星代工(Samsung Foundry)在2024年第三季度的LCD和OLED驱动IC(DDIC)市场中占据领导地位。NexChip在大尺寸显示和LCD驱动IC领域获得了最大的市场份额,而三星代工则在AMOLED DDIC市场中领先,巩固了它们作为该领域关键参与者的地位。OLED DDIC是OLED显示技术的核心组件之一。它主要负责控制OLED显示面板的运作,包括驱动像素发光以及控制屏幕亮度和色彩,从而确保图像信息能够在屏幕上正确呈现。OLED DDIC的技术发展方向可以分为几类,包括带内存的IC、无内存的IC(Ram-less IC)和TDDI。带内存的OLED DDIC通常包含Demura Ram和Display Ram,用于存储显示补偿数据和图片数据,以实现更优的显示效果和功耗控制。而Ram-less IC则去掉了Display Ram,以降低成本,适用于对成本敏感的应用场景。TDDI则是将显示和触控功能集成在一个芯片上,这有助于简化设计并降低成本,尽管在OLED应用中可能面临一些挑战,如触控性能和外观影响。图:Next Chip和三星...
在当前全球半导体产业竞争加剧的背景下,SK海力士做出了战略调整,削减了CMOS图像传感器(CIS)的研发投入,并将其资源和注意力转向了高利润的高带宽存储器(HBM)和AI存储器的开发。SK海力士的这一战略转变有几个关键点。首先,公司正在削减其CIS研发投入,预计产能将减少一半以上,降至每月不足7000片12英寸晶圆。这一调整背后的原因是SK海力士在CIS市场的份额较小,仅为4%,远远落后于主要竞争对手索尼和三星。其次,SK海力士将SoC设计部门的内存控制器团队转移至HBM部门,并为下代集成计算功能的存储器招募SoC设计人员。这一举措显示了公司对HBM技术的重视,以及对未来存储技术的布局。SK海力士的HBM技术已经发展到了第五代——HBM3E,这是目前性能最高的HBM产品。HBM3E的量产不仅巩固了SK海力士在AI存储器市场的竞争优势,而且也是公司长期技术积累和创新能力的体现。HBM3E的运行速度可达9.6Gbps,能够在搭载四个HBM的GPU上运行大型语言模型时,每秒读取35次700亿个整体参数的水平。此外,SK海力士还采用了先进的MR-MUF工艺,提升了散热性能并增强了控制翘曲问题,...
根据新闻报道,美光科技公司近期推出了全新类别的时钟驱动内存产品,包括 Crucial DDR5 时钟无缓冲双列直插内存模块 (CUDIMM) 和时钟小外形双列直插内存模块 (CSODIMM),并已开始批量出货。该产品遵循 JEDEC 标准,最高传输速率可达 6,400 MT/s,是 DDR4 速度的两倍多,比传统的非时钟驱动 DDR5 提升了 15%。这些解决方案的推出标志着 PC 内存技术的新突破,提供了更高的速度稳定性、下载速度和刷新率。自 JEDEC 今年早些时候对该规范进行标准化以来,美光的 CUDIMM 和 CSODIMM 已成为市场上首批符合 JEDEC 标准的商用 DDR5 解决方案。英特尔已对美光的 DDR5 CUDIMM 和 CSODIMM 解决方案进行了验证,最高支持 64GB 容量,并与不久前于2024年 10 月 10 日发布的英特尔酷睿超处理器(2 系列)兼容。美光副总裁兼商用产品事业部总经理 Dinesh Bahal 表示:“随着人工智能的发展,内存技术必须经历范式转变,以应对前所未有的系统性能需求。我们推出的业界首款符合 JEDEC 标准的 DDR5 CU...
在科技行业,研发投入通常被视为公司未来增长和创新能力的重要指标。英特尔作为全球半导体行业的巨头,其研发投入超过AMD和英伟达的总和,这一事实本身就引发了广泛关注。然而,尽管英特尔在研发方面的投入颇为雄厚,其市值却依然落后于竞争对手,这背后的原因值得深入探讨。研发投入的现状英特尔的研发资金主要集中在其核心产品线,包括中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)、现场可编程门阵列(FPGA)和网络设备等。作为一家集成设备制造商(IDM),英特尔在全球拥有15处晶圆厂,每年需要在新半导体生产工艺上投入大量资金。每一代新制程的开发往往需要数十亿美元的前期研发投资。此外,英特尔还在开发先进的封装技术,这些技术的研发和维护同样需要巨额资金支持。与英特尔相比,英伟达和AMD的研发投入虽然较低,但它们的市值却相对较高。以英伟达为例,本财年的研发支出达到30.90亿美元,主要投资于人工智能(AI)和高性能计算(HPC)领域的数据中心GPU、消费级GPU、网络设备以及数据处理单元(DPU)。英伟达已经确定了每年发布一代AI产品的节奏,因此提高研发支出是其保持技术领先的必要条件。AMD的研发投入也达到15.8...