首页 > 资讯中心
热点资讯
-
GlobalFoundries GaN芯片制造获美国950万美元资助2024-12-05GlobalFoundries（GF）近日宣布，获得了美国政府额外950万美元的联邦资金支持，这笔资金旨在推进位于佛蒙特州埃塞克斯交界处工厂的硅基氮化镓（GaN）半导体生产。这笔资金将帮助GF更接近大规模生产GaN芯片的目标。GaN技术能够在高电压和高温环境下稳定工作，广泛应用于包括汽车、数据中心、物联网、航空航天和国防等领域的射频（RF）和高功率控制系统，能够显著提升这些行业的性能和能效。此次获得的资金将进一步支持GF在GaN技术领域的投资，特别是在其领先的GaN知识产权（IP）产品组合和可靠性测试方面。GF计划继续增强其工具、设备和原型设计能力，推动在佛蒙特州实现200毫米GaN芯片的全面生产。GF负责人表示，公司致力于为客户提供一条快速且高效的路径，使他们能够利用GaN芯片技术的独特优势，开发创新设计并提升电源管理效率。GF物联网及航空航天与国防业务副总裁Nicholas Sergeant表示：“我们为GF在GaN芯片技术领域的领导地位感到自豪，GaN技术预计将在多个行业带来颠覆性的进展，提升新一代设备的射频性能，同时实现更快的充电速度和更长的电池寿命。”这笔资助由美国国防部的可... 查看更多 -
Soitec 与 GlobalFoundries 合作生产高性能 RF-SOI 半导体2024-12-05近日，Soitec 宣布将向 GlobalFoundries (GF) 提供 300 毫米 RF-SOI 基板，支持 GF 的先进 RF-SOI 技术平台，包括其最前沿的 9SW RF 解决方案。该举措基于两家公司长期稳定的合作关系，旨在保障 5G、5G-Advanced、Wi-Fi 和其他智能移动设备射频前端 (RFFE) 模块的先进 RF-SOI 工程基板供应。RF-SOI半导体是一种具有独特结构的硅基半导体工艺材料，其全称是Radio Frequency-Silicon-On-Insulator，即射频绝缘衬底上的硅。这种材料通过引入一层绝缘埋层（通常为SiO2），实现了器件和衬底之间的全介质隔离。RF-SOI具有独特的硅/绝缘层/硅三层结构。这种结构使得RF-SOI器件在性能上表现出色，因为它能够有效地隔离器件和衬底之间的寄生电容和干扰。此外，通过绝缘埋层实现的介质隔离，RF-SOI能够显著提高器件的线性度和降低插入损耗。随着5G技术的普及和物联网的发展，RF-SOI半导体的市场需求不断增长。预计未来几年内，RF-SOI在射频前端芯片市场的占比将继续提升。GF 的 9SW RF... 查看更多 -
2024中国半导体分析与展望（十一）2024-12-05上篇提到随着高端芯片小尺寸、高性能、低功耗的需求的提出，封装技术也随着高封装效率、高引脚密度、高效散热的方向发展。云岫资本提出，先进封装本质是互联面积的拓展、互联效率的提高。根据云岫资本，先进封装根据不同需求可以延伸出不同方案，契合不同场景的特点。例如：系统级封装可以将多个具有不同功能、不同工艺制作的芯片及其他元器件组装到单一封装体内，形成一个系统或子系统。适用于高度集成、低功耗和小型化产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费电子产品，以及物联网设备等。3D封装可以通过堆叠芯片或芯片组件，实现垂直方向的集成，从而提高性能和减少功耗。适用于对计算密度和能效有高要求的领域如高性能计算、数据中心、人工智能加速器等。扇出型晶圆级封装允许芯片周围的区域也用于互连，从而支持更大尺寸的芯片或更多I/O接口。适用于高端移动处理器、高性能GPU、FPGA等。2.5D/3D IC集成运用硅中阶层或TSV技术将多个芯片在二维或三维空间内互连，适用于高端服务器CPU、GPU、网络处理器等，这些应用需要极高的数据处理能力和低功耗。图：先进封装的本质是互联面积，互联效率的提高受益于高算力芯片等下游旺盛需求，先进... 查看更多 -
日本太空太阳能技术突破，2045年或将改变能源格局2024-12-05在能源科技的前沿，太空太阳能技术正从概念逐步迈向现实。日本研究团队近日完成的一次成功测试，标志着这一技术实现了关键进展，并为未来能源革命铺平了道路。预计到2045年，这一技术可能彻底改变全球能源格局，为人类社会带来清洁、高效的能源解决方案。一、技术测试与重要进展1. 长距离电力传输测试成功 在日本长野县诹访市，日本空间系统公司（Japan Space Systems）联合日本宇宙航空研究开发机构（JAXA）和多所大学，完成了一项突破性的技术测试。 - 测试内容：一架安装有功率发射器的飞机在7000米高空，将电力通过微波形式传输至地面13个目标点，每个目标仅10厘米见方。 - 测试成果：微波成功精准击中目标并实现能量转化，这不仅验证了技术的可行性，还为未来的太空太阳能电力传输积累了宝贵数据。 2. 太空太阳能电站构想 研究团队计划在距离地球36000公里的地球同步轨道上建设固定式太阳能电站。这些电站将采集太阳能，转化为微波或激光后传输至地球，实现全天候不间断供电。这一设想有望弥补地面太阳能发电的不足，如天气和昼夜变化的限制。 图：日本太空太阳能技术突破，2045年或将改变能源格局二、应用... 查看更多 -
供电1000年：英国碳-14钻石电池问世2024-12-05在全球能源转型的关键时期，英国布里斯托尔大学和英国原子能管理局（UKAEA）的科学家们成功研发了一项引人瞩目的技术——碳-14钻石电池。这种电池的潜在寿命可达数千年，为能源技术带来了划时代的突破，也为未来的能源供应开辟了全新路径。中国出海半导体网将从技术细节、应用前景、环境影响和产业意义等方面全面解析这一革命性技术的潜力。 一、技术细节与突破：碳-14钻石电池如何运作 1. 基础原理 碳-14钻石电池的核心在于利用碳-14放射性同位素的自然衰变来产生电力。碳-14常见于放射性碳年代测定技术，其衰变过程会释放高速电子。通过将碳-14嵌入钻石晶体中，这些电子被高效捕获并转化为电能。钻石不仅是电导体，还具备极强的硬度和耐辐射性，可确保设备运行的安全性与可靠性。 2. 安全性设计 - 辐射吸收：碳-14产生的辐射属于短程β射线，仅能穿透几微米厚的材料。钻石外壳能够完全吸收这些辐射，确保其不会对人体或环境造成危害。 - 低功率输出：该电池适合提供持续的微瓦至毫瓦级电力，虽然功率较低，但寿命极长，适合供电需求稳定的设备。 3. 半衰期优势 碳-14的半衰期约为5700年，这意味着电池在数千年后仍能... 查看更多 -
汽车、医疗、工业新选择！X-FAB发布BCD-on-SOI嵌入式存储方案2024-12-052024年12月5日，北京——全球领先的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB宣布，在其110nm BCD-on-SOI技术平台上推出了一种创新的嵌入式数据存储解决方案。该方案结合了闪存与EEPROM元件，利用X-FAB的SONOS技术，提供了增强的数据保持能力和同类最佳的运行可靠性。该方案满足了AECQ100 Grade-0标准，提供32kByte容量的嵌入式闪存IP，并附带4Kbit的EEPROM。X-FAB计划从2025年开始，进一步推出64KByte和128KByte的闪存以及更大容量的EEPROM。图：X-FAB推出基于其110nm车规BCD-on-SOI技术的嵌入式数据存储解决方案通过巧妙设计，闪存和EEPROM元件被整合到单个宏单元内，共享控制电路，从而简化了布局，减少了总体占用面积，并树立了32KBytes存储解决方案的新行业基准。该方案能够在-40C至175C的温度范围内读取数据，EEPROM还能在高达175C的温度下写入数据，适用于汽车、医疗和工业应用。该嵌入式闪存具备先进的数据访问能力，EEPROM则提高了闪存的耐用性与灵活性，可以在不适宜写入闪存的工作条件下将数据编... 查看更多
登录
注册
短信登录
注册
快速注册
账号登录
注册
快速注册
对比栏