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AI嵌入式图像传感器三层集成有新突破2024-06-06近年来，半导体行业不断努力，以满足多种应用对小型化、资源效率更高的电子产品的需求。CEA-Leti近日在ECTC2024会议上展示了其最新的创新和突破，以满足这一需求。CEA Leti 表示，由于智能传感器在智能手机、数码相机、汽车和医疗设备中具有高性能成像功能，因此对智能传感器的需求正在迅速增长。这种对通过嵌入式 AI 增强的图像质量和功能的需求，给制造商带来了在不增加设备尺寸的情况下提高传感器性能的挑战。CEA Leti研究员表示，堆叠多个芯片来创建3D架构，例如三层成像器，导致传感器设计的范式发生了转变。“不同层之间的通信需要先进的互连技术，而混合键合可以满足这一要求，因为它的间距非常细，在微米甚至亚微米范围内，”他说。“高密度硅通孔 (HD TSV) 具有类似的密度，可以通过中间层进行信号传输。这两种技术都有助于缩短导线长度，这是提高 3D 堆叠架构性能的关键因素。”图：FIB-SEM3D横截面（图源：optics）CEA-Leti的负责人表示，《三层集成中高密度TSV的背面减薄工艺开发》论文介绍了制造 3D 多层智能成像仪所必需的关键技术，这些技术能够满足需要嵌入式 AI 的... 查看更多 -
Onsemi推出数据中心电源解决方案2024-06-06数据中心作为支撑现代信息技术的基石，其能效问题日益受到关注。近期，半导体制造商安森美（onsemi）宣布推出一系列创新的电源解决方案，旨在显著提高数据中心的能效，响应了这一时代需求。据报道，Onsemi表示其最新一代T10 PowerTrench系列和EliteSic 650V MOSFET 为AI数据中心创造了一种解决方案，可以在更小的占用空间内提供无语伦比的效率和高热性能。安森美此次推出的电源解决方案，具备多个显著的亮点。首先，该方案采用了T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V MOSFET组合技术，能够显著降低数据中心的电力损耗。据估算，这一方案在全球范围内的数据中心实施后，每年可以减少约10太瓦时的能源消耗，相当于数百万家庭的全年用电量。EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容，这使得数据中心和储能系统能够实现更高的效率。与上一代产品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的栅极电荷减半，同时将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均减少了44%。图：安森美推出数据中心电源解决方案T10 Power... 查看更多 -
英特尔和多家日本公司将利用夏普工厂进行芯片研究2024-06-06据媒体报道，英特尔及其14家日本合作伙伴公司将利用夏普在日本没有完全投入生产的液晶显示器工厂来研究尖端半导体生产技术，这个举措将降低联盟的成本并为陷入困境的电子公司提供所需的资金。随着全球对高性能芯片需求的不断增长，英特尔公司一直在寻求扩大产能和提升技术水平的新途径。与此同时，夏普由于液晶面板销售低迷，面临工厂利用率低下的问题。在这样的背景下，英特尔与夏普的合作应运而生，旨在通过共享资源和技术创新，实现双方的互利共赢。英特尔将与包括欧姆龙、Resonac Holdings、村田机械在内的14家日本合作伙伴公司共同在夏普的LCD工厂开展芯片研究。这些合作伙伴将共同研发包括组装在内的后端芯片生产工艺，利用夏普工厂现有的洁净室环境，降低生产过程中颗粒和灰尘对产量的影响。夏普的LCD工厂原本生产电视机大型面板，但由于市场需求变化，工厂利用率一度降至10%左右。通过与英特尔的合作，夏普不仅能够提高工厂的利用率，还能够将其显示器工厂转型用于人工智能和半导体领域，探索新的业务增长点。此次合作的重点在于研究尖端半导体生产技术。英特尔及其合作伙伴将利用夏普的LCD工厂进行芯片的研发和生产，特别是在组装等... 查看更多 -
VIS 与 NXP合资公司建设300mm 晶圆厂2024-06-06世界先进半导体公司和恩智浦半导体公司今天宣布，计划成立一家制造合资企业 VisionPower Semiconductor Manufacturing Company Pte Ltd.，该公司将在新加坡建造一座新的 300 毫米半导体晶圆制造厂。该合资工厂将支持 130nm 至 40nm 混合信号、电源管理和模拟产品，面向汽车、工业、消费和移动终端市场。计划将底层工艺技术从台积电授权并转让给合资企业。该合资企业的成立标志着两家公司在半导体制造领域的深度合作。世界先进将持有合资企业60%的股权，并向其注资24亿美元，而恩智浦则持有40%的股权，注资16亿美元。这一合作不仅展现了两家公司对半导体产业未来发展的信心，也体现了对新加坡作为高科技制造基地的战略选择。新晶圆厂将采用先进的300mm（12英寸）硅晶圆生产技术，这比世界先进在新加坡现有的8英寸硅晶圆生产更为先进。12英寸晶圆的采用将大幅提升单个晶圆的芯片产量，满足全球对高性能芯片日益增长的需求。合资企业VSMC的晶圆厂预计将于2027年开始量产，主要生产130nm至40nm的混合信号、电源管理和模拟产品。这些产品将服务于汽车、工业、消... 查看更多 -
插电式混合电动汽车销量激增2024-06-06插电式混合动力电动汽车是在燃油车的基础上增加电池驱动，实现了高效的动力耦合。这种技术整合要求较高的车型，在近几年得到了深入共享和广泛应用。随着消费者对新能源汽车的接受度提高，插电式混合动力电动汽车凭借其便利性（如无需长时间充电、续航里程长等）和环保性，逐渐受到市场的青睐。根据TrendForce全球汽车报告，2024年第一季度新能源汽车（包括纯电动汽车、插电式混合动力汽车和燃料电池汽车）销量增长至284.2万辆，同比增长16.9%。不过，这是三年来全球新能源汽车季度销量同比增长率首次跌破20%。纯电动汽车销量达180万辆，同比增长4.2%，而插电式混合动力汽车销量猛增48.3%，达104.1万辆。纯电动车领域，特斯拉以21.5%的市场份额稳坐头把交椅，尽管同比下降了8.5%。比亚迪（不含腾势）以16.6%的市场份额和13.3%的增长率紧随其后。上汽通用五菱位居第三，宝马以41.1%的销量增幅攀升至第四。相反，广汽埃安则大幅下滑37.2%，跌至第六位，因为其主力车型埃安 S难以在网约车市场之外扩张。然而，TrendForce表示，商用市场空间有限。如果不拓展消费市场，广汽埃安的销量很可能... 查看更多 -
揭秘英特尔1.8nm芯片制造技术2024-06-06在半导体行业的快速演进中，英特尔再次站在了技术革新的前沿。最近，这家科技巨头独家揭开了其1.8nm芯片制造技术的神秘面纱，引发了业界的广泛关注和讨论。这一突破不仅标志着摩尔定律的进一步延伸，也预示着未来计算能力的飞跃。研发历程英特尔1.8nm芯片的研发，是一次长达数年的马拉松。项目始于2017年，当时英特尔的工程师团队首次提出了1.8nm工艺的概念。随后，团队开始了漫长的研发之旅，包括材料选择、晶体管设计、光刻技术优化等。在这一过程中，团队面临了无数的挑战，包括材料的物理极限、光刻精度的提高，以及生产成本的控制。图：揭秘英特尔1.8nm芯片制造技术技术细节与参数1.8nm工艺的核心在于其晶体管设计。英特尔采用了全新的FinFET（Fin Field-Effect Transistor）晶体管结构，通过优化晶体管的三维布局，实现了更高的晶体管密度和更低的功耗。此外，1.8nm工艺还采用了先进的EUV光刻技术，其光源波长为13.5纳米，配合高数值孔径（High-NA）EUV光刻机，实现了前所未有的分辨率。技术难度与挑战实现1.8nm工艺的技术难度极高。在制造过程中，英特尔需要精确控制晶体管... 查看更多
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