全球知名咨询机构Gartner近日发布了2025年十大战略技术趋势。这些趋势涵盖了人工智能、计算、人机交互等多个领域,为企业未来发展提供了重要的参考。Gartner认为,这些技术趋势将深刻影响企业的发展,IT领导者需要密切关注,并积极应对。Gartner杰出副总裁分析师Gene Alvarez指出:“今年的战略技术趋势聚焦于人工智能的必要性与风险、计算的新前沿以及人机协作。跟踪这些趋势将帮助IT领导者通过负责任且道德的创新,塑造组织的未来。”2025年最重要的战略技术趋势包括:Agentic AIAgentic AI(自主AI)不再仅仅是执行指令,而是能够自主规划并采取行动,实现用户设定的目标。这将催生出虚拟劳动力,让人类从繁琐的工作中解放出来,专注于更有创造性的任务。预计到2028年,至少15%的日常工作决策将由Agentic AI自主完成,而2024年这一比例为0%。这一技术有望提升CIO们在组织内提高生产力的目标,推动企业和供应商探索必要的技术和实践。AI治理平台随着AI应用的普及,如何确保AI的公平、透明、可解释性变得越来越重要。AI治理平台将帮助企业建立一套完善的AI治理体系...
拜登政府近日宣布,将向半导体级多晶硅生产商Hemlock Semiconductor (HSC) 提供高达3.25亿美元的资金支持,以推动美国半导体产业的发展。 这一举措是《芯片和科学法案》的重要组成部分,旨在增强美国在半导体领域的竞争力,并创造更多的就业机会。多晶硅是制造芯片的核心材料, 它的纯度直接影响芯片的性能。HSC作为全球领先的多晶硅生产商之一,此次获得的资金将用于在密歇根州建设新的制造工厂,进一步扩大产能,满足日益增长的市场需求。美国商务部长吉娜·雷蒙多表示:“多晶硅是制造半导体的关键材料,拥有可靠的材料来源对支持我们经济和国家安全的芯片制造至关重要。拜登-哈里斯政府通过《芯片与科学法案》提议投资半导体供应链的上下游企业,支持HSC等国内材料供应商,推动美国半导体制造业的复兴和技术领先,并在全国范围内创造优质就业机会。”HSC成立于1961年,是美国唯一的超纯多晶硅制造商,也是全球仅有的五家能够生产符合尖端半导体市场要求的高纯度多晶硅的公司之一。多晶硅是制造微处理器、人工智能芯片、内存和电源设备的核心材料。通过这笔拟议中的资金支持,HSC将提升其超纯半导体级多晶硅的生产能力...
存储技术巨头铠侠宣布,其多项创新研究成果将在即将于12月7日至11日在美国旧金山举办的IEEE国际电子设备会议(IEDM 2024)上亮相。 作为半导体存储领域的领军企业,铠侠一直致力于推动存储技术的发展,以满足日益增长的数据存储需求,并为人工智能、大数据等新兴技术提供坚实的底层支持。IEDM 2024上,铠侠将重点展示以下三大创新技术:氧化物半导体通道晶体管DRAM(OCTRAM): 铠侠与联合南亚科技共同开发的OCTRAM技术有望大幅降低DRAM的功耗,使其在人工智能、5G通信等领域具有广阔的应用前景。通过采用氧化物半导体材料并优化晶体管结构,OCTRAM实现了极低的漏电流,从而降低了整体功耗。高容量交叉点MRAM(磁阻随机存取存储器)技术: 与SK海力士联合开发的高容量交叉点MRAM技术,通过将高密度选择器与磁隧道结相结合,实现了业界领先的单元密度。同时,该技术还采用了创新的读出方法,有效降低了读取干扰,提升了存储器的可靠性。这项技术在人工智能和大数据处理等领域具有巨大的应用潜力。MRAM因其非易失性、高速读写、无限写入次数和高可靠性等特性,被认为有望在多种应用领域替代现有的存储...
英伟达CEO黄仁勋将于12月访问泰国,并宣布在泰国投资的具体计划。随着人工智能技术日新月异,东南亚地区正逐渐成为全球AI产业的新兴中心。作为全球领先的AI芯片供应商,英伟达的此次投资将为泰国乃至整个东南亚的AI产业发展注入强劲动力。虽然具体的投资规模和性质尚未披露,但业内人士表示Nvidia的参与可能会激发该国进一步的投资,带动行业内部科技巨头效仿,特别是在与人工智能和组件制造相关的领域。泰国为何成为英伟达投资的热门地?战略地理位置:泰国位于东南亚中心地带,毗邻众多新兴市场,且拥有完善的基础设施,是企业拓展东南亚市场的理想选择。政府政策支持:泰国政府近年来大力推动数字经济发展,出台了一系列优惠政策吸引外资,为企业提供良好的营商环境。人才储备:泰国拥有众多高等院校,培养了大量理工科人才,为AI产业发展提供了人才保障。英伟达投资对泰国的影响产业升级:英伟达的投资将带动泰国电子信息产业的升级,促进相关产业链的快速发展。就业机会增加:英伟达及其上下游产业链的扩张将为泰国创造大量就业机会,缓解就业压力。吸引更多外资:英伟达的投资将吸引更多国际科技巨头来泰国投资,进一步提升泰国在全球产业链中的地位...
自工业时代以来,人类活动导致的温室气体排放不断增加,对气候产生了深远影响,气候变化引发的极端天气等问题对人类生存构成了严重威胁。在这一背景下,全球纷纷提出“碳中和”理念,旨在遏制全球变暖。我国也设定了“3060”碳中和目标,推动了新能源汽车、电化学储能等新能源产业的蓬勃发展,锂电池技术也因此得到了广泛应用并趋于成熟。本次为大家带来的是前瞻研究院的《2024年中国纳离子电池报告》。分别分为钠离子电池的发展背景、钠离子电池发展现状、产业化发展挑战与策略以及钠离子电池产业发展趋势四个方面进行阐述。锂资源短缺与钠离子替代当前,在全球新能源汽车高速发展和储能需求持续扩增的背景下,锂离子电池的生产制造规模显著增长。根据BMI的预测,由于中国对锂的需求增长速度超过了供应的增长,到2025年全球可能面临锂供应不足的问题。中国是全球第三锂生产国,对锂的需求增长迅速,特别是在电动汽车领域。从2023年到2032年,中国电动汽车对锂的需求年均增长率将达到20.4%,而同期中国的锂供应增长仅为6%,远远不能满足预测的需求。此外,全球锂资源的分布高度集中,约73%的锂资源分布在北美洲和南美洲,而太平洋、亚洲、欧...
在全球新能源汽车市场风起云涌的背景下,中国汽车制造商正以前所未有的热情和决心推动技术创新,其中,一汽红旗无疑是最引人注目的力量之一。近日,红旗宣布其自主研发的碳化硅功率芯片成功完成首次流片,这一里程碑式的突破不仅彰显了红旗在电动汽车核心技术领域的领先地位,更预示着中国在新能源汽车关键技术研发方面迈出了坚实的一步。一、技术突破:跨越1200V的门槛红旗此次自主研发的碳化硅功率芯片,从设计到制造的全链条均实现了自主掌控。这款芯片采用了前沿的半导体技术,包括低导通电阻元胞结构、高元胞密度版图设计、高可靠性终端结构以及片上栅极电阻集成技术等,使得芯片的击穿电压超过1200V,导通电阻更是小于15mΩ,这样的性能表现无疑达到了行业领先水平。这一技术突破的背后,是红旗团队对半导体技术的深入研究和不懈探索。他们不仅克服了碳化硅材料本身的高硬度、高熔点等加工难题,还通过创新设计提升了芯片的效率和可靠性,使得这款芯片能够在高压、高温等恶劣环境下稳定工作,为新能源汽车的高效运行提供了有力保障。二、性能提升:30%的飞跃这款碳化硅功率芯片的成功研发,将极大提升新能源汽车的性能表现。由于其具有优异的电学性能和...