在全球半导体产业迅速发展的背景下,氮化镓(GaN)技术凭借其在高频、高功率、高温和高压应用中的卓越性能,正在成为推动行业变革的关键力量之一。近期,日本信越化学工业株式会社宣布,成功开发并开始提供用于GaN外延生长的300毫米(12英寸)QST(Qromis基板技术)衬底样品。这一重要进展不仅标志着GaN技术的一个新的里程碑,同时为全球半导体行业带来了新的增长机会。GaN因其宽禁带特性以及高导热性、高击穿电场强度、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,近年来在5G通信、新能源汽车和消费电子等多个领域展现出巨大的应用潜力。特别是在功率电子领域,GaN器件的高频和高效特性使其成为推动电力电子技术革命的关键材料。信越化学此次推出的300毫米QST衬底,极大地提升了GaN器件制造的灵活性,为高质量、大尺寸GaN外延层的生产铺平了道路。图:信越化学300毫米QST衬底GaN技术的成熟与市场前景信越化学的这一突破,正值GaN技术日趋成熟之际。与传统的硅基半导体相比,GaN凭借更高的能效、更佳的热管理能力和更小的器件尺寸,成为了未来技术的理想选择。在功率电子领域,GaN器件已经逐步被用于数据中心、汽车动...
2024年9月10日,华为选择和苹果在同一天开发布会,令人瞩目的iPhone16,这一刻也失去了光华。华为在其发布会上展示了在智能手机和智能汽车领域的最新技术成果,进一步巩固了其作为全球技术领导者的地位。这次发布会揭示了多项重要创新,涵盖了从智能手机到智能汽车的多个关键领域,显示出华为在半导体技术、智能化应用和高性能设备制造上的全方位突破(相关阅读:2024苹果秋季发布会亮点汇总)。华为Mate XT非凡大师:引领折叠屏技术的新高度华为Mate XT非凡大师作为全球首款三折叠屏智能手机,是折叠屏技术的一大里程碑。这款手机拥有10.2英寸的超大显示屏,成为目前全球最大的折叠屏手机,提供了无与伦比的视觉体验。展开后的厚度仅为3.6毫米,使其成为全球最薄的折叠屏手机。这一技术突破不仅提高了屏幕的使用体验,还极大地提升了便携性。Mate XT非凡大师搭载了华为自主研发的麒麟9系列处理器,这款处理器采用了最新的工艺技术,性能和能效大幅提升,支持多任务处理、高清游戏和高效图像处理等复杂应用。此外,手机内置5600mAh硅碳负极电池,支持66W有线快充和50W无线快充,使用户在日常使用中的续航能力和...
根据Global Market Insights,2023年半导体键合设备市场价值为5.304亿美元,预计2024年至2032年期间复合年增长率将超过10%。半导体行业正在经历强劲增长,这得益于消费电子、汽车、电信和工业应用等各个领域对芯片的需求不断增长。5G、人工智能、物联网和电动汽车等技术的普及推动了这一增长,这些技术都需要先进的半导体元件。预计这一上升趋势将推动半导体行业的发展。例如,2024 年 2 月,半导体行业协会预测到 2030 年半导体市场将达到 1 万亿美元。随着全球数字化转型的加速,半导体键合设备市场正迎来快速增长。据Mordor Intelligence的报告预测,到2024年,半导体键合设备市场规模将达到5.4238亿美元,并在2024至2029年间以4.90%的复合年增长率增长,到2029年市场规模预计将达到6.8903亿美元。这一增长趋势得益于对高性能计算、人工智能、移动设备以及汽车电子等领域的不断增长的需求。图:半导体键合设备市场分析(图源:GMI)随着对更强大、更高效的电子设备的需求不断增长,半导体行业正日益转向先进的封装技术。传统的芯片封装方法正在被 ...
有报告显示台积电的3纳米芯片业务在2024年有望实现显著增长,预计年收入将增长34%,这部分得益于苹果公司增加的A18和A18 Pro芯片订单。苹果公司在其最新发布的iPhone 16 Pro和iPhone 16 Pro Max中采用了A18 Pro芯片,这些芯片采用了台积电的第二代3纳米工艺技术。据Wccftech报道,苹果公司可能会为iPhone 16系列准备高达1亿颗A18芯片,以应对潜在的高需求,这将为台积电带来显著的收入增长。此外,高通和联发科也将推出自家的3纳米SoC来与A18和A18 Pro竞争,这将进一步推动台积电3纳米工艺的业务增长。苹果公司在其最新的iPhone 16 Pro和iPhone 16 Pro Max中采用了A18 Pro芯片,这款芯片采用了第二代3纳米技术,提供了前所未有的能效。A18 Pro芯片拥有16核神经引擎、6核CPU和6核GPU,与上一代A17 Pro相比,Apple Intelligence的速度提升了15%,系统内存总带宽增加了17%。CPU性能提升了15%,同时功耗降低了20%,而GPU性能则提升了20%。这些性能的提升,加上更大的缓存、...
近日,有报道称三星电子已决定与晶圆代工领域的领导者台积电携手合作,共同开发下一代无缓冲区的高带宽内存(HBM4)。这一合作在早前的Semicon Taiwan 2024论坛上由台积电高层管理者公布,标志着两大科技巨头在前沿内存技术领域的强强联手。当前,全球内存市场的三大巨头——SK海力士、三星和美光——正在展开激烈竞争,争夺率先在2025年推出HBM4的市场先机。据韩国《韩国经济日报》报道,三星首次选择与台积电深入合作,推动新一代内存的生产。台积电生态系统与联盟管理负责人Dan Kochpatcharin在Semicon Taiwan 2024论坛上透露,双方共同开发的HBM4内存将在性能上超越HBM3,能效提升可达40%,而延迟则有望降低10%。HBM技术相较于传统的单平面DRAM具备显著的优势,能够实现更高的数据处理速度。这是通过硅通孔(TSV)和凸点技术将多个DRAM芯片垂直堆叠连接,从而大幅提升数据带宽。HBM在人工智能等对高性能计算需求日益增加的领域备受青睐。当前,SK海力士、三星和美光均已推出HBM3E DRAM,并计划在2025年前推出更先进的HBM4内存。图:三星与台积...
随着AI的发展,计算机在提升速度方面遇到了物理瓶颈。半导体元件的运行频率最高也就几千兆赫兹,相当于每秒能处理数十亿次计算。由于单个芯片的速度已经无法继续提升,现代计算机系统不得不采用多个芯片来分担计算任务。但如果我们用光子代替电子来制造芯片,理论上速度可以提升至千倍。等离子体共振器,也被称作“光天线”,是实现这一速度革命的有希望的技术。这些纳米级别的金属结构能够使光与电子相互作用。通过改变它们的几何形状,可以与不同频率的光波互动。德国维尔茨堡大学的物理学家Thorsten Feichtner博士指出:“目前的难题在于,等离子体共振器还无法像传统电子设备中的晶体管那样进行有效的调制,这限制了基于光的快速开关的开发。”近日,维尔茨堡大学的研究团队与丹麦南部大学的科学家们合作,在光天线的调制技术上取得了重大进展。他们实现了一种电控调制,这为超快速的活性等离子体技术铺平了道路,也就意味着计算机芯片的速度有望大幅提升。这项研究成果已经发表在《科学进展》期刊上。图:光天线的突破将提升计算机芯片速度研究团队没有尝试改变整个共振器的结构,而是专注于调整其表面特性。他们通过电接触单个金制纳米棒共振器,实...