去年,华为Mate 60系列没有任何预热和广告宣传,悄然发布后却迅速售罄,掀起了华为风暴。据悉,Mate 60系列自上市以来市场反响热烈,销售量已突破1400万台,超出了业界的预期。本周二(11月26日)下午,华为成功举办了Mate 70系列发布会,该系列被誉为“史上最强悍”Mate系列。如果说去年发布的Mate 60系列搭载了7纳米级的“麒麟9000s”芯片,给人留下了深刻印象,那么Mate 70的核心亮点是搭载了华为自主研发的独立操作系统——“纯血鸿蒙”。这一系统不仅适用于智能手机,还将覆盖智能手表、平板电脑、电动汽车等多个领域。Mate 70系列在人工智能方面也做出了突破,首发软硬协同全栈AI技术,实现了AI动态照片、AI隔空传送、AI消息随身等一系列创新应用。其中,AI隔空传送功能尤其引人注目,用户只需通过简单手势,便能将手机中的图片或截图隔空传送到平板、电脑等设备上。此外,Mate 70还改进了摄影功能,增强了实时字幕和通话翻译等应用,进一步提升了用户体验。Mate系列一直是华为高端旗舰机的代表,肩负着华为突破高端市场的重任。Mate 70系列的发布,无疑是华为在高端市场站稳...
随着智能手机市场竞争的加剧,越来越多的手机制造商开始寻求更多的自主权和定制化能力。作为全球领先的智能手机厂商之一,小米也不例外。公司计划在2025年开始量产自家设计的移动芯片,旨在减少对高通等外部供应商的依赖,进一步提升产品的竞争力。为何要设计自家芯片?小米为何选择自研芯片?首先,减少对外部芯片供应商的依赖是小米战略中的重要一步。尽管高通的Snapdragon系列芯片长期以来在全球智能手机市场占据主导地位,通过自主研发芯片,小米不仅能够降低硬件成本,还可以在芯片层面进行更多定制化,优化手机性能、增强AI功能、提升图形处理能力,进而为消费者提供更加个性化的使用体验。此外,定制化的芯片能够在满足不同市场需求的同时,更好地适配小米的硬件和软件生态系统。小米芯片发展历程小米并非从零开始进入芯片研发领域。早在2014年,小米就成立了自有的芯片研发团队,开始探索在智能手机和物联网设备中的应用。2017年,小米推出了自研的Surge S1芯片,主要应用于中端智能手机。然而,由于技术和资源的限制,Surge S1并未在市场上取得显著成功。尽管如此,小米并未放弃芯片研发的计划。近几年,公司加大了对半导体...
有报道称美国政府宣布,美国商务部根据《CHIPS激励计划》向英特尔公司授予了高达78.65亿美元的直接资助。这一资助是基于2024年3月20日签署的初步协议以及商务部完成的尽职调查后发放的。该资助将直接支持英特尔预计到2029年在美国的近900亿美元投资,这是英特尔整体1000多亿美元扩张计划的一部分。未来,商务部将根据英特尔完成项目里程碑的进度,逐步发放这些资金。美国商务部长吉娜·雷蒙多(Gina Raimondo)表示:“‘CHIPS for America’计划将极大推动美国的创新与技术发展,提升国家安全。英特尔通过在亚利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒冈州的巨大投资,在振兴美国半导体产业方面发挥着至关重要的作用。感谢拜登总统和哈里斯副总统的领导,‘CHIPS’计划使英特尔能够推动美国历史上最具规模的半导体制造扩张之一。”白宫副幕僚长纳塔莉·奎林(Natalie Quillian)表示:“今天的资助协议标志着拜登总统实施《芯片与科学法案》和《投资美国》议程的重要进展,这些计划旨在推动制造业回流美国,创造数千个高薪工作机会,并增强我们的经济实力。英特尔在全美范围内的投资再次证明了...
有报道称SemiQon宣布推出全球首款能够在超低温环境下高效运行的晶体管。这项创新将在解决量子计算机扩展至容错级别的关键难题方面发挥重要作用,并将释放量子技术在企业及其他关键领域的全部潜力。当前,传统电子元件通常需要在超低温环境中运行,而这些元件的表现往往不尽如人意,难以满足量子计算对高效性的需求。低温环境下性能不稳定是量子计算扩展的一个主要障碍。SemiQon的新型晶体管通过减少1000倍的散热,成功克服了这一问题,使得控制和读出设备可以直接放置在低温恒温器内,与量子处理器紧密集成。这一突破将简化量子处理器扩展时在控制和读取数据方面的复杂性,解决了此前几乎没有其他技术能够解决的挑战。量子计算的“冷”挑战迎刃而解SemiQon的首席执行官兼联合创始人Himadri Majumdar表示:“我们与全球科学界共同认识到,能够在超低温环境下稳定工作的晶体管,将为量子计算和其他需要低温条件的应用带来巨大的价值。”他补充道:“我们公司成立仅两年,便已交付出这一前所未有的突破性产品。我们的低温CMOS晶体管将为用户带来显著的优势,无论是在资本支出、运营成本,还是在硬件功能提升方面,都具有重要意义。...
在数据存储需求呈指数级增长的背景下,“性能”和“节能”两大需求正共同推动着新型存储技术的快速发展。例如,20世纪70年代对存储的需求只有高读写速度,功能及PC时代专为代码存储,要求小体积。智能终端时代要求存储数据,高速度、高容量、低成本的存储器。如今的高性能计算时代下对存储的要求转变为提升能耗比和能效比,新型存储技术即将迎来爆发。新兴应用场景推动新型存储市场增长根据云岫资本,AI、智能汽车等新兴应用对数据存储在速度、功耗、容量、可靠性等层面提出了更高要求,新型的存储技术旨在集成SRAM的开关速度和DRAM的高密度特性,并具有Flash的非易失特性,具备千亿市场空间。根据云岫资本,不同的存储器类型其技术路线也不同。例如:PCRAM具有低延时、读写时间均衡;寿命长,耐写能力远超过闪存;功耗低,没有机械转动装置;密度高的特点,部分PCM采用非晶体管设计;抗辐照特性好,能满足国防和航天的需求。MRAM具有非易失性,铁磁体的磁性不会由于断电而消失;写入速度快、功耗低的特点,可实现瞬间开关机并延长便携机的电池使用时间;和逻辑芯片整合度高,具备在逻辑电路上构造大规模内存阵列的潜力。但存储单元之间存在...
威世科技(Vishay Intertechnology)近日宣布推出四款新型整流器,进一步扩展了其第七代1200V FRED Pt®超快恢复整流器(Fast Recovery Epitaxial Diode, FRED)平台。新发布的整流器采用eSMP®系列SMF(DO-219AB)封装,专为汽车级和工业应用设计,优化了反向恢复电荷(Qrr)和正向压降之间的平衡,同时提供了更低的结电容和更短的恢复时间。这些新型器件具有1A和2A两个电流规格,针对电动汽车(EV)、工业驱动器、工具、电机、储能系统等领域的需求进行了优化。一、高效整流,低损耗设计这些新型整流器包括VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3,其中VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3符合AEC-Q101汽车电子标准。相比市场上其他同类器件,Vishay的这些整流器具备出色的快速恢复特性,能有效降低开关损耗,提高系统效率。例如,器件的反向恢复电荷(Qrr)最小为105nC,而恢复时间最短可达45ns,这些特性大大提升了电力转换的效率...