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中国5G基站突破410万，全球第一2024-12-06在全球5G技术竞赛中，中国以410万5G基站的数量傲视群雄，这一数字不仅标志着中国在5G领域的领先地位，更是全球5G发展的一个里程碑。中国出海半导体网将深入分析中国5G技术的快速发展及其对经济社会的深远影响，同时探讨未来发展趋势。一、5G技术的发展现状基础设施建设：根据最新的数据，截至2024年8月末，中国5G基站总数达到了惊人的404.2万个，占移动基站总数的32.1%，网络规模全球第一。这一数字的增长，不仅体现了中国在5G基础设施建设上的投入和决心，也为5G技术的广泛应用提供了坚实的基础。此外，中国的5G基站建设速度在全球范围内也是首屈一指，预计到2025年全球将建有5G基站650万个，而中国的贡献将超过一半。经济影响：5G技术对经济的直接带动效应显著。2023年，5G给中国直接带动的经济总产出达1.86万亿元，直接带动经济增加值约有5512亿元，分别比2022年增长29%、41%；间接带动总产出约4.24万亿元，间接带动经济增加值约1.55万亿元，分别比2022年增长22%、22%。这些数据不仅展示了5G技术的经济价值，也预示着5G技术在未来几年将更广泛应用和深度融合。图：中国5... 查看更多 -
7倍信号密度+功耗降低90%：博通3.5D封装技术助力富士通2nm MONAKA处理器2024-12-06在半导体行业的快速发展中，博通公司的最新技术——3.5D F2F封装技术，以其卓越的性能提升和功耗降低，成为业界关注的焦点。这项技术不仅代表了封装技术的新高度，也预示着人工智能（AI）芯片领域的新突破。中国出海半导体网将深入分析博通3.5D封装技术如何助力富士通2nm MONAKA处理器，以及这一合作对未来AI芯片市场的影响。一、技术革新：博通3.5D F2F封装技术博通的3.5D XDSiP平台技术，作为行业首个3.5D F2F封装技术，其核心优势在于能够在单一封装中集成超过6000平方毫米的硅芯片以及多达12个HBM内存堆栈。这一技术超越了传统的2.5D封装技术，实现了上下两层芯片顶部金属层的直接连接，即3D混合铜键合技术，提供了最小的电气干扰和卓越的机械强度。与传统的“面对背”式芯片垂直堆叠相比，3.5D XDSiP平台采用的“面对面”连接方式拥有高达7倍的信号密度。这一设计最大限度地减少了3D芯片堆栈中各组件间的延迟，并将平面芯片间PHY接口的功耗降低了九成。这种功耗的显著降低，对于需要处理大量数据和复杂计算的AI应用来说，具有重大意义。图：博通3.5D封装技术助力富士通2nm... 查看更多 -
VertaCure XP G3固化系统发布：推动AI与HPC封装技术的新突破2024-12-05Yield Engineering Systems (YES) 公司近日宣布推出 VertaCure XP G3 固化系统，用于生产阶段。这款系统将被应用于先进的 AI 和高性能计算 (HPC) 半导体封装制造中，特别是在 2.5D/3D 封装的多个重新分布层（RDL）进行低温固化的过程。VertaCure XP G3 还可根据需求优化，支持高通量的混合键合退火解决方案。YES 长期以来在研发和大规模生产中，在固化、涂覆和退火领域一直以卓越的性能和稳定性而被广泛悉知。随着AI和HPC应用的快速发展，对半导体封装的要求越来越高。特别是在3D封装、晶圆级封装（WLP）以及高性能互连技术方面，VertaCure XP G3的推出正是应对这一趋势的关键一步。VertaCure XP G3 是 VertaCure 系列的最新产品，它是一款全自动化的 6 区真空固化系统，能够完全去除残留溶剂，确保温度分布均匀，并精确控制加热和冷却速率。其最大的优势之一是固化后没有气体排放，并且具有出色的粒子性能。在大于 200C 的工作温度下，VertaCure XP G3 可以提供 1C 的热均匀性，这对厚膜聚... 查看更多 -
恩智浦与VIS投资78亿美元在新加坡建厂2024-12-05恩智浦（NXP）与台积电控股的世界先进积体电路（Vanguard International Semiconductor Corporation，简称VIS）近日宣布，将联合成立合资企业“VisionPower Semiconductor Manufacturing Company”（VSMC），并投资78亿美元在新加坡建设一座先进的300毫米晶圆厂。这项合作标志着两家公司在半导体领域的进一步深耕，特别是在汽车、工业和消费品等关键市场的芯片生产能力上。根据投资计划，VIS将拥有合资公司60%的股权，恩智浦则占40%。在资金方面，世界先进计划向合资企业注入24亿美元，恩智浦将注入16亿美元。两家公司已经同意，在未来的投资中再出资19亿美元，剩余资金则可能来自未指明的第三方或贷款。项目的建设计划将在2024年下半年启动，预计2027年开始投产，到2029年，新工厂的月产能将达到5.5万片300毫米晶圆。新建的工厂将专注于生产130纳米至40纳米的混合信号、功率管理及模拟芯片，这些芯片将广泛应用于汽车、工业、消费品和移动产品中的电源控制和信号处理等功能。尽管这些芯片的技术水平不及台积电在台湾... 查看更多 -
GlobalFoundries GaN芯片制造获美国950万美元资助2024-12-05GlobalFoundries（GF）近日宣布，获得了美国政府额外950万美元的联邦资金支持，这笔资金旨在推进位于佛蒙特州埃塞克斯交界处工厂的硅基氮化镓（GaN）半导体生产。这笔资金将帮助GF更接近大规模生产GaN芯片的目标。GaN技术能够在高电压和高温环境下稳定工作，广泛应用于包括汽车、数据中心、物联网、航空航天和国防等领域的射频（RF）和高功率控制系统，能够显著提升这些行业的性能和能效。此次获得的资金将进一步支持GF在GaN技术领域的投资，特别是在其领先的GaN知识产权（IP）产品组合和可靠性测试方面。GF计划继续增强其工具、设备和原型设计能力，推动在佛蒙特州实现200毫米GaN芯片的全面生产。GF负责人表示，公司致力于为客户提供一条快速且高效的路径，使他们能够利用GaN芯片技术的独特优势，开发创新设计并提升电源管理效率。GF物联网及航空航天与国防业务副总裁Nicholas Sergeant表示：“我们为GF在GaN芯片技术领域的领导地位感到自豪，GaN技术预计将在多个行业带来颠覆性的进展，提升新一代设备的射频性能，同时实现更快的充电速度和更长的电池寿命。”这笔资助由美国国防部的可... 查看更多 -
Soitec 与 GlobalFoundries 合作生产高性能 RF-SOI 半导体2024-12-05近日，Soitec 宣布将向 GlobalFoundries (GF) 提供 300 毫米 RF-SOI 基板，支持 GF 的先进 RF-SOI 技术平台，包括其最前沿的 9SW RF 解决方案。该举措基于两家公司长期稳定的合作关系，旨在保障 5G、5G-Advanced、Wi-Fi 和其他智能移动设备射频前端 (RFFE) 模块的先进 RF-SOI 工程基板供应。RF-SOI半导体是一种具有独特结构的硅基半导体工艺材料，其全称是Radio Frequency-Silicon-On-Insulator，即射频绝缘衬底上的硅。这种材料通过引入一层绝缘埋层（通常为SiO2），实现了器件和衬底之间的全介质隔离。RF-SOI具有独特的硅/绝缘层/硅三层结构。这种结构使得RF-SOI器件在性能上表现出色，因为它能够有效地隔离器件和衬底之间的寄生电容和干扰。此外，通过绝缘埋层实现的介质隔离，RF-SOI能够显著提高器件的线性度和降低插入损耗。随着5G技术的普及和物联网的发展，RF-SOI半导体的市场需求不断增长。预计未来几年内，RF-SOI在射频前端芯片市场的占比将继续提升。GF 的 9SW RF... 查看更多
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