近期有关IGBT缺货、价格翻涨的消息频繁爆出。从前年缺芯潮以来,IGBT作为功率半导体的主要产品之一就呈现供货紧缺的状态,一直延续至今。甚至当其他大多数芯片产品因供需逆转库存高起之际,IGBT的供应状况依然没有好转。IGBT是由双极型三极管 (BJT)和MOSFET组成的复合式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通电阻的优点,输入阻抗、高耐压、低导通压降,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统,如新能源汽车、变频器、开关电源、照明电路、交流电机等。据富昌电子2023年2月17日发布的《2023 Q1芯片市场行情报告》数据显示,意法半导体、Microsemi、英飞凌等功率半导体大厂的IGBT交货期与2022年第四季度的交期基本保持一致,最长为54周,依旧紧张。太阳能电池厂商茂迪董事长叶正贤在谈到IGBT缺货情况时表示:“不是价格多高的问题,而是根本买不到。”芯谋研究总监李国强分析指出:“本轮IGBT缺货的主要原因是随着新能源车兴起,对高电压需求大增,IGBT成为产业发展焦点。”据悉,一辆电动车使用的IGBT数量高达上百颗,是传统燃油车的七到十倍。与此同时,...
过去几年,国产存储行业迎来了快速发展,涌现出了一批兼具技术和资金实力的企业,被海外巨头占据了数十年的存储市场如今迎来了新气象,存储芯片自主化将不再是遥不可及的梦想。日前,监管部门宣布美光公司在华销售的产品未通过安全审查,这意味着国内关键信息基础设施将停止使用美光的产品。作为存储芯片巨头,美光是全球第二大内存厂商和第五大闪存厂商,据统计2022年美光拿下了全球DRAM市场23%和NAND市场10.7%的份额。这个审查结果,对美光公司自然是沉重一击,但对中国存储产业而言却是个难得的发展机会。国产存储芯片实现从0到1半导体产品中最核心的存储芯片是DRAM、NAND两种,前者可以理解为内存,后者则是闪存。国金证券曾在一份报告中披露,2021年DRAM、NAND加起来的出货量,在存储芯片中的占比能达到97%。而在全球存储芯片市场上占据支配地位的,主要是韩美日芯片巨头。TrendForce数据显示,2022年Q4,三星拿下了全球DRAM市场近一半的份额,排第二、第三的SK海力士和美光份额加起来超过了一半,其他厂商能分到手的市场已所剩无几。放眼全球NAND市场,三星以33.8%的营收份额位列第一,铠...
射频前端是一部手机的核心组件,起到收发射频信号的作用,主要由PA(功率放大器)、Switch(开关)、LNA(低噪声放大器)及Filter(滤波器)等器件构成构成。射频前端有两种类型,为分立方案和模组化方案。在3G、4G时代,由于不需要覆盖太多的频段,所以那个时期一般采用分立方案。但是到了2019年,5G时代来临,手机需要支持更多的频段,射频前端也越发复杂。此时,分立方案在一定程度上无法满足高集成度、高性能的需求,模组化方案迎来了发展机会。经过近几年的发展,根据集成方式的不同,5G射频前端模组方案主集天线射频链路可分为:FEMiD(集成射频开关、滤波器和双工器)、PAMiD(集成多模式多频带PA和FEMiD)、LPAMiD(LNA、集成多模式多频带PA和FEMiD)等等;分集天线射频链路可分为:DiFEM(集成射频开关和滤波器)、LFEM(集成射频开关、低噪声放大器和滤波器)等等。此前,国内厂商已大规模量产了L-PAMiF、L-FEM、LNA BANK、MMMB、TxM等5G射频前端模组,而L-PAMiD 还迟迟未有国内厂商取得突破。5G L-PAMiD模组集成了功率放大器、低噪声放大...
日前,西咸新区沣东新城与汇川技术签署项目合作协议,汇川技术将投资16亿元在沣东新城建设汇川技术西部总部及研发中心、汇川技术储能及电源系统制造基地。汇川技术是国内工业自动化控制领域龙头企业,此前以国内排名第一的伺服系统和高压变频器供应商而声名大噪。近年来,该公司以通用自动化为基本盘,业务逐步拓展到智慧电梯、轨道交通、新能源汽车、工业机器人等新兴产业领域。伴随着“双碳”战略和数字能源管理战略的推进,如今汇川技术不仅有了更受关注的标签——小鹏、理想的电控产品供应商,还成为2022年国内市场储能PCS出货量TOP10。储能扩张在近日的投资者互动平台上,汇川技术确认了上述消息称,公司在西安投资的研发中心、储能及电源系统制造基地两个项目投资金额分别为6亿、10亿。据悉,项目建成达产后将实现年产值100亿元,年税收3.8亿元,引入研发及技术人才3900余人。早在2021年9月便有公开报道称西安市高新区相关人士与汇川技术董事长、总裁朱兴明等公司高管出席汇川技术西安研发中心启幕仪式。同年,汇川技术曾表示西安研发中心已投入使用,招聘了一些做控制层软件底层开发的人员。当地政府机关相关人员表示,本次签约的两个...
国家与地方政策大力支持,新型储能发展迎历史性机遇全球能源革命趋势下,新型储能是储能产业转型升级的必由之路。自国家能源局《关于促进储能技术与产业发展的指导意见》发布以来国家和各地方政府相继出台多项政策,引领推动新型储能发展。新型储能凭借建设周期短、环境影响小、选址要求低等优势,在储能市场竞争优势明显。根据 CNESA 乐观情形下预计 2026 年新型储能累计装机规模将达到 79.5GW,2022-2026 年复合年均增长率 (CAGR)为 69.2%。图1:全球能源革命趋势下,新型储能是储能产业转型升级的必由之路锂电:产业链成熟度高,占据新型储能主流磷酸铁锂电池动力储能市场共用,新能源汽车产业的蓬勃发展为铁锂电池在储能市场规模化应用奠定了基础。磷酸铁锂电池技术成熟度高凭借低成本、高安全、长寿命等优势特点在新型储能市场脱颖而出;截止2022 年底,全国新型储能装机中,锂离子电池占比达到 94.5%占据市场主流。钠电:理论材料成本优势明显,开启商业化元年与锂相比,钠资源储量丰富 (含量占比 2.75%) 且分布均衡不受地域限制,材料成本优势明显。国内企业纷纷布局钠电,产业链逐渐完善.初步具备...
AI计算蓬勃发展,新计算模式不断出现。随着各大厂商对AI芯片的不断研究,芯片的计算性能不断提升,芯片种类不断增多。目前在芯片领域,用于深度学习最广泛的当属擅长并行计算的 GPU,而随着深度学习对算力要求的不断提升,各家公司开始研发生产专用于深度学习、DNN 的运算芯片或基于 FPGA 架构的半定制芯片。代表产品有 Google 研发的张量计算处理器 TPU、寒武纪研发的神经网络计算处理器 NPU 以及 Intel 旗下的 Altera Stratix V FPGA。目前各类芯片各有优劣,未来或将出现GPU、FPGA、“XPU”分别对应不同算力要求、产品结构的运算芯片市场。截至2021年8月,GPU在AI计算市场的份额最大,但FGPA、ASIC的发展迅速,未来有望取代一部分GPU的业务。与此同时,DPU的不断运用也将有效改善和加速网络数据传输计算速度,协同CPU、GPU高效运行。据了解,当前市场上主要有通用类(GPU、DPU)、FPGA(半定制)、ASIC(全定制)三大类 AI 计算芯片。其中 GPU 目前市场使用率最高,商业化较为成熟,全球最主要的供应商是英伟达。而以 FPGA 和 A...