据悉,11月5日-10日,瑞萨电子携多款面向智能工业、物联网及汽车电子的先进解决方案,亮相在上海举行的第六届中国国际进口博览会(简称“进博会”)。瑞萨参加本次进博会的主题为“焕然一‘芯’,共筑智能化可持续发展社会”,将带来多款首次在中国市场展示的核心产品及技术,面向智能工业、物联网及汽车电子等多个应用市场,,包括RA8电机异常检测方案、RA8麦轮小车方案、RA8 HMI方案,以及RZ/V2L AI套件及方案等,目标在于持续助力中国产业及社会智能化、可持续化的发展。图1:瑞萨电子的进博会展台基于RA8 MCU的中国首展解决方案RA8 电机异常检测:该方案由RA8电机控制开发套件与Reality AI软件相结合,使机器学习能够在电机控制板固件中原生运行,无需额外的传感器即可实现预测性维护功能。RA8麦轮小车:该方案基于RA8 MCU,实现麦轮小车离线语音命令控制,通过WIFI/SPI接口,以第一人称视觉摄像头,实现局域网内实时无线图传并显示;方案还搭载LCD实时显示摄像头画面及自身小车状态参数,并通过IMU单元实现麦轮小车姿态实时控制,以及机械臂物体抓取等功能。RA8 HMI:该方案实现了...
有消息称,在近日高交会开幕式(11月15日)上,云天励飞发布了新一代AI芯片DeepEdge10。该新品为国内首创的国产14nm Chiplet大模型推理芯片,采用自主可控的国产工艺,内含国产RISC-V核,支持大模型推理部署。依托自研芯片DeepEdge10创新的D2D chiplet架构打造的X5000推理卡,已适配并可承载SAM CV大模型、Llama2等百亿级大模型运算,可广泛应用于AIoT边缘视频、移动机器人等场景。图1:云天励飞14nm Chiplet大模型推理芯片DeepEdge10(*图片来自云天励飞) 大模型时代应用落地的关键载体:AI推理芯片边缘计算的市场价值呈现高速发展趋势。IDC预测,到2023年底,全球的边缘计算市场将达到2,000亿美金的规模;预计到2026年,边缘计算市场将突破3,000亿美金。边缘计算的场景呈现出算力碎片化、算法长尾化、产品非标化、规模碎片化的特征,传统的算法开发和芯片都难以适应新一代人工智能边缘计算场景的产品化需求。大模型的出现,为行业提供了算法层面的解决之道。但大模型在边缘计算场景要面向实战发挥作用,则需要AI大模型推理芯片的支持。对...
英飞凌技术股份公司,作为全球知名的功率半导体制造商,最近发布了其2023财年第四季度和全年的财务报告,截至2023年9月30日。该报告显示,得益于电动汽车、可再生能源发电和能源基础设施等领域的增长,英飞凌在2023财年实现了显著的业绩增长。详细分析这份报告,我们可以看到2023财年第四季度,英飞凌的营收达到41.49亿欧元(约合326亿元人民币),净利润为10.44亿欧元(约82亿元人民币),利润率高达25.2%。整个2023财年,公司营收达到了163.09亿欧元(约1282亿元人民币),年增长率达15%;净利润为43.99亿欧元(约346亿元人民币),同比增长30%,利润率为27%。其中,英飞凌汽车电子事业部(ATV)的表现尤为突出,贡献了21.6亿欧元的营收,同比增长12%,成为公司最大的收入来源。对于2024财年的展望,英飞凌预计在假设欧元兑美元汇率为1:1.05的情况下,第一季度营收约为38亿欧元(约299亿元人民币),利润率预计将达到22%左右。全年来看,英飞凌预计营收在165亿至175亿欧元之间(约1297亿至1376亿元人民币),若按预测中点计算,利润率约为24%,调整后...
据悉,“第五届硬核芯生态大会暨2023汽车芯片技术创新与应用论坛”于2023年10月30日,在深圳国际会展中心圆满落幕。本届大会汇集半导体全产业链的领军者、电子制造企业高管、项目负责人、电子工程师等行业大咖同台演讲,为推动中国芯高质量发展贡献顶尖的思想和智慧。 图1:士兰微电子SiC电动汽车电驱功率模块SSM1R7PB12B3DTFM获“2023年度最佳功率器件奖”SSM1R7PB12B3DTFM是基于SiC MOS芯片技术开发的六单元拓扑模块。该模块适用于纯电动汽车等应用,具有高阻断电压、低导通电阻和高电流密度等特性。芯片方面优化完成低界面态密度和高沟道迁移率的SiC/SiO2氧化工艺研发,单芯片导通电阻达到甚至优于国外同级别器件水平;封装方面攻克纳米银烧结、铜线键合技术并实现量产。图2:士兰微电子SSM1R7PB12B3DTFM电动汽车电驱功率模块士兰微电子作为国内领先的IDM公司之一,技术与产品涵盖众多领域并保持了国内领先的地位。未来,士兰微电子也将以不断发展的电子信息产品市场为依托,抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇,设计与制造并举,强化投入,持续提升特色工艺集成电路产品...
三星电子近期宣布计划在2024年推出其先进的3D芯片封装技术,名为SAINT(Samsung Advanced Interconnect Technology)。这项技术的核心在于通过更紧凑的封装尺寸,实现AI芯片等高性能芯片的内存与处理器的高效集成。SAINT技术预计将提供三种不同的封装方案:SAINT S(针对SRAM和CPU的垂直堆栈)、SAINT D(用于CPU、GPU等处理器与DRAM内存的垂直封装)、以及SAINT L(针对应用处理器的堆栈方案)。目前,三星已成功完成了SAINT技术的验证测试,并计划与客户合作进行进一步的测试。公司预计在明年晚些时候将服务范围扩大,主要目标是提升数据中心AI芯片以及具备AI功能的智能手机应用处理器的性能。在半导体行业,随着元件微缩制程逐渐接近物理极限,3D芯片的先进封装技术日益受到重视。除三星外,台积电、英特尔和联电等主要晶圆代工厂也在积极开发自己的3D芯片封装技术。其中,台积电正在大规模测试并升级其3D芯片间堆叠技术SoIC,以满足包括苹果和英伟达在内的客户需求;英特尔已经采用其新一代Fooveros 3D芯片封装技术生产先进芯片;而联电...
近日,IEEE1901.3标准第一次工作组会议于2023年10月25-26日期间,在法国巴黎顺利召开。会议由国家电网中国电力科学研究院有限公司(中国电科院)协同海思牵头承办,北京智芯微、青岛东软、青岛鼎信、深圳力合微、法国Sagemcom等十余家单位代表出席会议并提交关键提案贡献。会议的顺利召开标志着PLC(电力线载波通信)双模国际标准制定正式启动。图1:IEEE1901.3标准第一次工作组会议在法国巴黎顺利召开会议完成国际工作组组建、关键特性提案并讨论确定了标准文稿初稿正式版本。IEEE1901.3标准主要面向双模通信多连接、高安全、物联等应用场景,各单位针对双模通信数据链路层的技术引用和标准提案展开交流。双模通信技术HDC(High-speed dual-mode communication)标准于2018年由中国电科院牵头立项,2020年完成标准发布。双模通信是新型电力系统低压源网荷领域关键的本地通信技术,有力支撑了分钟级的实时高频采集、多业务网络扩容、停电事件精准上报等业务需求。IEEE1901.3标准基于自主知识产权,旨在实现双模国际化推广,聚焦链路与网络层协议,兼容IEEE...