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规模最大芯片基金成立 坚定芯片自主决心2024-05-28为了扶持半导体产业发展，中国国家集成电路产业投资基金（简称大基金）三期股份公司成立，注册资本达3440亿元人民币。彰显了国家对半导体产业发展的坚定决心和强大支持。这一基金的成立，无疑将为中国半导体产业的腾飞注入强劲动力，引领行业迈向新的高度。大基金三期的成立，是中国在半导体领域自主创新和产业发展上的重要举措。在全球半导体供应链紧张和国际贸易环境变化的背景下，中国政府致力于推动国内半导体产业的自主可控和高质量发展。大基金三期的成立，不仅有助于解决半导体产业中的“卡脖子”问题，还将促进中国在全球半导体产业链中的竞争力。在面对全球芯片产业竞争合国际技术封锁的压力下，中国展现了坚定的芯片自主决心。府高度重视芯片产业的发展，制定了一系列政策来支持芯片技术的自主研发和产业化。这些政策包括财政补贴、税收优惠、人才培养等多个方面，为芯片企业提供了强大的政策保障。图：规模最大芯片基金成立坚定芯片自主决心（图源：路透社）中国芯片企业在政府的支持下，不断在关键技术领域取得突破。例如，在EDA软件、GPU芯片、5G通信芯片等领域，中国企业已经推出了自主研发的产品，打破了国外企业的垄断。大基金三期的投资将不仅限... 查看更多 -
预测2024年功率晶圆规模将同比增长23.4%2024-05-28近日，市场研究公司富士经济发表了一份研究报告《功率器件晶圆市场的最新趋势和技术趋势》，总结了功率半导体晶圆市场的研究结果。报告指出预计2024年功率半导体市场将比上年增长23.4%，市场规模将达到2813亿日元。这一增长主要得益于各大厂商产能的增加，尤其是SiC裸片销量的快速增长，预计同比增长56.9%，超过了硅片市场。汽车电动化趋势是推动功率半导体市场增长的主要动力。随着新能源汽车的普及，SiC（碳化硅）裸片因其优异的性能成为了市场的主要驱动力。为了满足功率半导体日益增长的需求，晶圆直径的扩大成为了行业内的共识。除了传统的硅晶圆逐步向300mm过渡外，SiC裸晶圆市场也预计将在未来几年内实现8英寸（200mm）晶圆的规模化生产。同时，新型材料如6英寸（150毫米）GaN（氮化镓）晶圆和氧化镓晶圆也在积极开发中，这些材料的引入将进一步推动功率半导体市场的发展。预计到2035年，功率半导体市场规模将进一步扩大至10,763亿日元，较2023年水平激增4.7倍。其中，SiC裸片市场预计将从2025年开始逐步崛起，至2035年，8英寸SiC裸晶圆将占据整个SiC裸晶圆市场的13.3%。图：预... 查看更多 -
投资超50亿美元 美光新厂最快2027年投入运营2024-05-28美光公司计划在日本广岛县投资逾50亿美元建设一座新的DRAM芯片工厂，预计最快将于2027年投入运营。这一投资计划预计将耗资6000亿至8000亿日元，约合51亿美元。美光科技此次投资规模超过50亿美元，显示出其对日本市场的深度布局和长远规划。这笔巨额投资将用于购买先进的生产设备、建设现代化厂房以及吸引和培养优秀的工程技术人员，新厂的建立将进一步提升美光科技在全球DRAM芯片市场的竞争力。根据美光科技的规划，新厂将于2026年初开始动工建设，并计划安装先进的EUV（极紫外）设备以提高生产效率。在紧锣密鼓的建设过程中，美光科技将确保项目按照既定计划顺利推进。预计最快在2027年底，这座全新的DRAM芯片工厂将正式投入运营，为全球市场提供更多优质的DRAM芯片产品。图：美光新厂最快2027年投入运营据悉美光科技在日本建厂得到了日本政府的大力支持。日本政府已批准向美光科技提供高达1920亿日元的补贴，以支持新厂的建设和运营。这笔补贴将用于引进先进的生产设备、培养技术人才以及推动相关产业链的发展。此外，随着人工智能、大数据等技术的快速发展，DRAM芯片市场需求持续增长。美光科技此次在日本建厂将... 查看更多 -
三星HBM芯片未通过英伟达测试标准2024-05-28近期，有关三星电子公司最新高带宽内存（HBM）芯片HBM3和HBM3E未能通过英伟达测试标准的消息引起了业界的广泛关注。根据路透社报道，有知情人士透露，发热和功耗问题导致三星的HBM芯片未能满足英伟达的测试要求。这一消息引起了业界的担忧，担心三星可能在与SK海力士和美光等竞争对手的竞争中落后。然而，三星电子公司迅速对这些报道进行了否认。在一份官方声明中，三星电子表示，有关其HBM芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达测试的说法“不实”。公司强调，他们正在与多家全球合作伙伴顺利进行HBM芯片的测试过程，并补充说，他们致力于提供最佳产品，并与客户密切合作以优化产品。三星电子还指出，HBM是一款定制内存产品，需要根据客户需求进行优化。公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品，并拒绝对特定客户发表评论。此外，英伟达方面也未对此事发表评论。图：三星HBM3E未通过英伟达测试标准引争议尽管有报道称三星的8层和12层HBM3E芯片在4月份的测试中未能通过，但三星电子表示，他们的HBM芯片测试正在按计划顺利进行。这表明，尽管面临挑战，三星电子仍然对其HBM芯片的性能和市场前景保持信心。值得注意的是，尽管英... 查看更多 -
国内智能座舱芯片谁能成下一个高通替代？2024-05-28手机芯片霸主高通，如今正在席卷人工智能 PC与智能座舱芯片市场，凭借Snapdragon 8295顺理成为汽车赛道的座舱霸主。谁打入的车厂多，谁就建立更高的竞争壁垒，不仅高通，联发科也在效能比拼上“顶峰相见”，紫光展锐、芯驰等国内厂商也在积极寻求机会，力求在智能座舱芯片市场取得突破，成为下一个可能替代高通的市场领导者。据IHS Markit预计，全球智能座舱市场规模将从2019年的345亿美元增长到2030年的681亿美元，其中中国市场的增长尤为显著。预计到2030年，中国市场规模将达到247亿美元，市场份额将上升至36%，成为全球主要的智能座舱消费市场。智能座舱的渗透率在中国迅速提升，预计到2025年将达到75%，远超全球平均水平。在智能座舱芯片领域，国内企业如华为、芯擎科技、芯驰科技、杰发科技、全志科技等正在积极布局。华为的麒麟990A芯片已搭载于多款车型，芯擎科技的“龍鷹一号”作为中国首款7nm车规级智能座舱芯片，车规级高算力多核异构智能座舱高端处理器，内置8个核心CPU、14核心GPU以及8 TOPS AI算力的NPU，具备强大的计算能力和AI处理能力。芯擎科技在高性能智能座舱... 查看更多 -
三星3D DRAM取得技术突破 可堆叠至16层2024-05-28三星电子成功地将下一代3D DRAM的堆叠层数从之前的水平提升至16层，这一数字是美光等竞争对手的两倍。3D DRAM是一种被称为“垂直堆叠单元阵列晶体管(VS-CAT)”的下一代存储器。其设计原理类似于纸张的垂直堆叠，能够显著提高DRAM单元的集成度，与现有的DRAM结构相比，3D DRAM可以放入更多的单元，同时减少了电流干扰现象。传统的DRAM存储器采用平面结构，其容量和性能受到物理尺寸的限制。而三星的3D DRAM技术通过垂直堆叠的方式，将多个存储单元层叠在一起，从而实现了更高的集成度和更大的存储容量。此次，三星将堆叠层数提升至16层，进一步提升了存储器的性能和密度。与传统的DRAM相比，3D DRAM具有更高的集成度和更低的功耗。通过垂直堆叠的方式，三星成功地将更多的存储单元集成在更小的芯片面积上，从而提高了存储密度。同时，由于减少了电流的干扰现象，3D DRAM的功耗也得以降低，为设备提供了更长的续航时间。图：三星3D DRAM取得技术突破三星的3D DRAM技术采用了晶圆对晶圆（W2W）形式的混合键合技术。这种技术将周边（逻辑）和存储单元分别附加在不同的晶圆上，然后通过混... 查看更多
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