英飞凌技术股份公司,作为全球知名的功率半导体制造商,最近发布了其2023财年第四季度和全年的财务报告,截至2023年9月30日。该报告显示,得益于电动汽车、可再生能源发电和能源基础设施等领域的增长,英飞凌在2023财年实现了显著的业绩增长。详细分析这份报告,我们可以看到2023财年第四季度,英飞凌的营收达到41.49亿欧元(约合326亿元人民币),净利润为10.44亿欧元(约82亿元人民币),利润率高达25.2%。整个2023财年,公司营收达到了163.09亿欧元(约1282亿元人民币),年增长率达15%;净利润为43.99亿欧元(约346亿元人民币),同比增长30%,利润率为27%。其中,英飞凌汽车电子事业部(ATV)的表现尤为突出,贡献了21.6亿欧元的营收,同比增长12%,成为公司最大的收入来源。对于2024财年的展望,英飞凌预计在假设欧元兑美元汇率为1:1.05的情况下,第一季度营收约为38亿欧元(约299亿元人民币),利润率预计将达到22%左右。全年来看,英飞凌预计营收在165亿至175亿欧元之间(约1297亿至1376亿元人民币),若按预测中点计算,利润率约为24%,调整后...
据悉,“第五届硬核芯生态大会暨2023汽车芯片技术创新与应用论坛”于2023年10月30日,在深圳国际会展中心圆满落幕。本届大会汇集半导体全产业链的领军者、电子制造企业高管、项目负责人、电子工程师等行业大咖同台演讲,为推动中国芯高质量发展贡献顶尖的思想和智慧。 图1:士兰微电子SiC电动汽车电驱功率模块SSM1R7PB12B3DTFM获“2023年度最佳功率器件奖”SSM1R7PB12B3DTFM是基于SiC MOS芯片技术开发的六单元拓扑模块。该模块适用于纯电动汽车等应用,具有高阻断电压、低导通电阻和高电流密度等特性。芯片方面优化完成低界面态密度和高沟道迁移率的SiC/SiO2氧化工艺研发,单芯片导通电阻达到甚至优于国外同级别器件水平;封装方面攻克纳米银烧结、铜线键合技术并实现量产。图2:士兰微电子SSM1R7PB12B3DTFM电动汽车电驱功率模块士兰微电子作为国内领先的IDM公司之一,技术与产品涵盖众多领域并保持了国内领先的地位。未来,士兰微电子也将以不断发展的电子信息产品市场为依托,抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇,设计与制造并举,强化投入,持续提升特色工艺集成电路产品...
三星电子近期宣布计划在2024年推出其先进的3D芯片封装技术,名为SAINT(Samsung Advanced Interconnect Technology)。这项技术的核心在于通过更紧凑的封装尺寸,实现AI芯片等高性能芯片的内存与处理器的高效集成。SAINT技术预计将提供三种不同的封装方案:SAINT S(针对SRAM和CPU的垂直堆栈)、SAINT D(用于CPU、GPU等处理器与DRAM内存的垂直封装)、以及SAINT L(针对应用处理器的堆栈方案)。目前,三星已成功完成了SAINT技术的验证测试,并计划与客户合作进行进一步的测试。公司预计在明年晚些时候将服务范围扩大,主要目标是提升数据中心AI芯片以及具备AI功能的智能手机应用处理器的性能。在半导体行业,随着元件微缩制程逐渐接近物理极限,3D芯片的先进封装技术日益受到重视。除三星外,台积电、英特尔和联电等主要晶圆代工厂也在积极开发自己的3D芯片封装技术。其中,台积电正在大规模测试并升级其3D芯片间堆叠技术SoIC,以满足包括苹果和英伟达在内的客户需求;英特尔已经采用其新一代Fooveros 3D芯片封装技术生产先进芯片;而联电...
近日,IEEE1901.3标准第一次工作组会议于2023年10月25-26日期间,在法国巴黎顺利召开。会议由国家电网中国电力科学研究院有限公司(中国电科院)协同海思牵头承办,北京智芯微、青岛东软、青岛鼎信、深圳力合微、法国Sagemcom等十余家单位代表出席会议并提交关键提案贡献。会议的顺利召开标志着PLC(电力线载波通信)双模国际标准制定正式启动。图1:IEEE1901.3标准第一次工作组会议在法国巴黎顺利召开会议完成国际工作组组建、关键特性提案并讨论确定了标准文稿初稿正式版本。IEEE1901.3标准主要面向双模通信多连接、高安全、物联等应用场景,各单位针对双模通信数据链路层的技术引用和标准提案展开交流。双模通信技术HDC(High-speed dual-mode communication)标准于2018年由中国电科院牵头立项,2020年完成标准发布。双模通信是新型电力系统低压源网荷领域关键的本地通信技术,有力支撑了分钟级的实时高频采集、多业务网络扩容、停电事件精准上报等业务需求。IEEE1901.3标准基于自主知识产权,旨在实现双模国际化推广,聚焦链路与网络层协议,兼容IEEE...
近日,荷兰的Nexperia宣布与日本三菱电机公司展开一项重要的战略合作。这次合作的重点是共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品,目的是提升这类宽禁带半导体的能效和性能。这一举措应对了市场对高效分立式功率半导体的迅速增长需求。Nexperia在基础半导体器件的开发和生产领域享有盛誉,其产品广泛应用于汽车、工业、移动和消费电子等多个领域。它不仅是基础商用硅半导体的大型供应商,还是宽禁带器件的提供商。与此同时,三菱电机以其在信息处理、通信、太空开发、消费电子等多个领域的高性能产品而闻名。它的功率半导体产品广泛应用于汽车、家用电器、工业设备等,已在日本高速新干线列车上得到应用,显示了其卓越的节能效果。双方的合作被看作是利用各自的协同优势,以进一步推动碳化硅(SiC)技术的发展。随着新能源汽车等应用的快速普及,SiC市场需求持续高涨。根据TrendForce集邦咨询的数据,2023年SiC功率元件市场的规模预计将达到22.8亿美元,年增长率为41.4%。预计到2026年,该市场规模将进一步扩大到53.3亿美元,其主要应用领域将继续聚焦在电动汽车和可再生能源上。
据悉,近期的国民技术喜报频传,多个产品接连获得行业荣誉奖项,包含车规、低功耗、安全等产品,其中N32A455车规MCU荣膺“2023全球电子成就奖•年度微控制器”,N32L406低功耗MCU斩获“硬核芯•2023年度最佳MCU芯片”、N32S003安全芯片摘得“2023年IoT创新奖•IoT技术创新奖”。 图1:三款产品连获三个奖项国民技术聚焦“通用+安全”市场战略,创新研发通用MCU、安全芯片、无线射频、电源管理等技术与产品,多元化产品阵列涵盖从芯到云的核心器件,产品以高性能、高集成度、安全、低功耗、高可靠性为特色,全面覆盖各类应用场景。三款产品接连获奖,意味着国民技术相关产品已经获得了行业市场和客户的高度认可。图2:N32A455荣膺“2023全球电子成就奖•年度微控制器”ASPENCORE主办的2023年全球电子成就奖颁奖典礼于11月2日在深圳隆重举行,国民技术N32A455系列车规MCU产品凭借其兼具通用性、硬件安全性和车规级高可靠性等技术优势,以及在汽车照明系统、汽车电源、智能座舱以及车身电子等汽车电子以及工业应用领域的优秀市场表现,荣膺“2023全球电子成就奖•年度微控制器...