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小米2024Q1财报：手机销量飙升，小米汽车火爆！2024-05-242024年5月23日，小米集团发布了2024年第一季度的财报，其中不乏一些引人注目的亮点，引发了市场和分析师的广泛讨论，中国出海半导体网将为您呈现详细情况。财报亮点1. 营收增长：小米2024年第一季度的总营收达到了755亿元，显示出公司的业务规模持续扩大。2. 净利润翻倍：经调整净利润达到65亿元，同比实现了翻倍增长。3. 智能手机业务增长：智能手机分部收入为465亿元，全球出货量达到4060万台，同比增长显著。4. IoT业务表现强劲：IoT与生活消费产品业务收入204亿元，毛利率提升至19.9%，显示出该业务板块的盈利能力增强。5. 汽车业务起步：小米汽车SU7首月锁单量达到88063台，5月15日前已累计交付一万辆，标志着小米在汽车领域的正式进军。图：小米2024Q1财报：手机销量飙升，小米汽车火爆！市场与分析师观点- 智能手机业务的增长被看作是小米全球化战略和高端化战略的成果，尤其是在新兴市场的增长显著。- IoT业务的快速增长显示了小米在智能家电和消费电子产品领域的竞争力。- 汽车业务的开端被认为是小米多元化战略的重要一步，市场对其未来发展充满期待。点评小米2024年第一季... 查看更多 -
中国厂商如何抓住HBM市场的风口？2024-05-24高带宽存储器（HBM）作为一种先进的半导体技术，正逐渐成为推动高性能计算和人工智能发展的关键因素。中国出海半导体网将在本文中对HBM的现状、领导厂商情况、市场潜力以及中国厂商的情况做出分析和评论。您来看看都对不对？HBM的现状与领导厂商HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来提供更高的内存带宽和更低的功耗，特别适合高性能计算和AI应用。目前，HBM市场主要由几家领先的半导体公司主导：- SK海力士：作为HBM技术的先行者之一，SK海力士已经宣布开始量产HBM3E产品，并且是首家实现量产HBM3E的供应商。SK海力士的技术领先，核心在于其MR-MUF技术，该技术能有效提高导热率并改善工艺速度和良率。 - 三星电子：三星电子也在积极扩展其HBM产品线，并计划在2025年实现HBM4的量产。三星电子预计通过新的封装线大规模生产HBM，并且正在投入量产8层、12层的HBM3产品。 - 美光：美光计划在2024年通过HBM3E实现追赶，并预计将在2024年下半年开始为英伟达的下一代GPU供应HBM3E。市场潜力与全球需求HBM市场正处于快速增长阶段。随着AI和数据中心对高性能计算的需求不断增长，... 查看更多 -
争夺英伟达订单，三星豁出去了！2024-05-242024年，三星电子设定了一个关键目标：在代工业务方面赢得GPU巨头英伟达的订单。这一目标对三星电子在半导体行业的市场地位和业务增长具有重要意义。据韩媒体报道，三星晶圆代工部门已在内部推出“Nemo”计划，将获取英伟达3纳米订单列为2024年的首要任务。各单位正全力以赴，优先进行与英伟达相关的接单工作。技术挑战与良率提升三星电子在先进工艺技术方面与台积电存在显著差距，特别是在3纳米工艺的良率上。目前，三星第二代3纳米环栅（GAA）工艺的良率较低，直接影响了成本效益和产品竞争力。业界专家认为，三星能否在2024年上半年成功量产第二代3纳米GAA技术，关键在于能否赢得英伟达的产品订单。这一成功对于缩小与台积电的差距至关重要。因此，有消息称，三星晶圆代工部门不惜一切代价，进一步确保第二代3纳米GAA技术工艺的良率。一位韩国市场分析师指出，2024年因地震等不稳定风险的显现，是缩小与台积电差距的最佳时机。图：争夺英伟达3nm订单，三星豁出去了！重建客户信任三星需要重建与英伟达的信任关系。尽管三星曾为英伟达代工过部分产品，但英伟达的大部分先进工艺芯片订单都交由台积电生产。三星必须展示其作为可靠代... 查看更多 -
联电新加坡Fab12i新厂首批机台设备进厂2024-05-23晶圆代工巨头联电（United Microelectronics Corporation, UMC）在新加坡的Fab12i新厂迎来了重要的里程碑，首批机台设备已经顺利进厂。这一事件不仅标志着联电在新加坡的产能扩张计划取得了实质性进展，同时也预示着该地区半导体产业的进一步发展。联电Fab12i新厂的建设是联电全球扩张战略的关键一步。根据联电的规划，该新厂将成为新加坡最先进的晶圆制造厂之一，预计于2026年初开始量产。新厂将采用22/28纳米制程技术，月产能规划为3万片晶圆，总投资金额高达50亿美元。在当前全球半导体产业竞争日益激烈的背景下，联电新加坡Fab12i新厂的建设具有重要的战略意义。它不仅能够增强联电在全球半导体供应链中的地位，还将有助于缓解全球芯片短缺的问题，满足日益增长的市场需求。图：联电新加坡Fab12i第三期扩建工程举行上机典礼（来源：芯查查）此外，Fab12i新厂的建设也是联电应对地缘政治风险、进行海外布局的重要一环。在全球半导体产业面临重新洗牌的关键时刻，联电通过在新加坡这一战略要地扩建新厂，展现了其对全球市场变化的敏锐洞察力和前瞻性布局。尽管半导体产业在2023年经... 查看更多 -
宽带隙半导体：电动汽车的推动力2024-05-23宽带隙半导体是一类特殊的半导体材料，相对于传统半导体如硅（Si）和锗（Ge）而言，具有更广泛的能带隙范围。宽带隙半导体中的载流子迁移速度较高，可以实现高频率的操作，适用于高速电子器件。此外，宽带隙半导体还具有较高的抗噪声能力、抗温度变化能力、抗电磁干扰能力和抗振动能力等特性。根据市场调查研究，2022年全球宽带隙功率器件市场规模为10.565亿美元，预计到2029年该市场将达到25.929亿美元，预测期内复合年增长率为13.4%。宽带隙半导体材料的应用也非常广泛，宽带隙半导体太阳能电池具有高转换效率、抗辐射性强、稳定性好、寿命长等优点，被广泛应用于太空探索、无人机、智能家居等领域。并且，宽带隙半导体在提高电动车动力系统效率方面也具有重要的影响力，具体体现在以下几个方面：宽带隙半导体材料的特性：宽带隙半导体材料，如碳化硅（SiC），具有更高的击穿电场强度、更高的热导率和更高的运载子迁移率。这些特性使得SiC器件在高温、高电压和高频率下仍能保持稳定运作，相较于传统硅基器件，SiC器件能够在更高的温度和更高的电压下工作，从而大幅提高了系统的效率和可靠性。降低导通损耗：SiC功率器件的导通电阻... 查看更多 -
安世半导体新动作2024-05-23近日，Nexperia公司官网宣布，推出业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，进一步扩展了其Sic MOSFET产品组合。它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。这款1200V SiC MOSFET具有多项显著优势。首先，它具有业界少有的低RDson漂移优势，这对于保持设备的长期稳定性至关重要。其次，该MOSFET具有超低阈值电压容差，其阈值电压为2.9V，正好处于安全工作范围内。此外，与类似的竞品器件相比，Nexperia的SiC阈值电压变化最低，即使在最坏的情况下也仅为1.2V，这确保了器件出色的平衡并联。此外，这款MOSFET还具有低QG（栅极电荷）以及出色的QGD（栅极-漏极电荷）与QGS（栅极-源极电荷）电荷比。这些特性使得MOSFET能够提供低功耗、出色的稳健性和... 查看更多
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