据Digitimes报道,苹果、高通、联发科等手机SoC大厂下半年将推出的旗舰手机SoC产品,将全面采用技术规格更高的台积电N3E制程,效能提升显著,其中苹果A18处理器将超越M4处理器。据报道,苹果iPhone16系列拉货在即,全系列产品有望搭载台积电第二代3nm制程N3E。供应链透露,苹果已调高A18芯片订单规模。分析师称,英伟达虽已接受台积电2025年4nm晶圆涨价约一成,但苹果明年3nm晶圆价格维持不变,主因双方于埃米级芯片持续合作,台积给予价格之优惠,其他客户晶圆定价可能会在第三季末确定。N3E晶圆制程:技术与成本的双重突破N3E晶圆制程,作为台积电在3nm领域的第二代技术,相较于前代产品,实现了技术与成本的双重突破。在技术层面,N3E通过优化晶体管结构和提高制造工艺的精度,实现了更高的晶体管密度和更快的开关速度。这意味着,在相同功耗下,采用N3E制程的芯片能够提供更强大的性能输出,为用户带来更加流畅、快速的使用体验。同时,N3E还注重了稳定性和可靠性的提升,确保芯片在长时间运行下依然能够保持出色的表现。在成本层面,N3E制程相比初代N3B工艺具有更高的成本效益。这主要得益于...
随着人工智能技术的飞速发展,对AI芯片的需求呈喷井式增长,中国作为世界第二大经济体,其AI市场的潜力与活力正日益凸显。然而,近期华为等国内科技巨头在芯片供应上面临的严峻挑战,却意外地为英伟达(NVIDIA)等国际企业在中国市场打开了新的机遇之门。特别是NVIDIA推出的“中国特供AI加速器”,正迅速成为市场关注的焦点,其受欢迎程度不断攀升。面对美国政府对高科技产品的出口限制,英伟达无法直接将其顶级AI芯片如H100、A100等销往中国大陆。为了填补这一市场空缺,英伟达巧妙地推出了阉割版本的H800、A800芯片,并计划进一步推出更为适应中国政策环境的“中国特供AI芯片”,如H20、L20和L2等型号。这些特供芯片虽然在性能上较原版有所降低,但它们精准地满足了中国市场对AI芯片的迫切需求,成为了市场上的热门选择。国内的中国互联网大厂如百度、阿里巴巴、腾讯等已向英伟达订购了价值数十亿美元的A800处理器和GPU。华为作为中国乃至全球的科技巨头,其芯片业务因美国制裁而陷入困境。麒麟等自研芯片的供应受限,使得华为在AI领域的发展受到严重制约。这一局面不仅让华为自身承受巨大压力,也为中国AI市场...
FOPLP技术源自台积电在2016年发明的InFO(整合扇出型封装)技术,并进一步衍生出FOWLP0(扇出型晶圆级封装)技术。FOPLP技术通过将IC载板由传统的8寸/12寸晶圆载具,显著提高了单片产出数量和成本优势。该技术以RDL(重布线层)为核心,替代了传统封装下基板传输信号的作用,使得封装设计更加灵活和高效。随着人工智能(AI)技术的迅猛发展,图形处理单元(GPU)作为AI计算的核心部件,其性能与成本效益成为了行业关注的焦点。在这一背景下,先进的封装技术显得尤为重要。其中,扇出型面板级封装(FOPLP)技术以其独特的优势,正逐步成为AI GPU封装领域的新宠。FOPLP技术凭借其低单位成本、大封装尺寸和高传输效率的优势,成为解决AI GPU封装难题的理想选择。通过采用FOPLP技术,AI GPU可以实现更高效的信号传输和更灵活的封装设计,从而满足AI应用对高性能、低功耗和低成本的需求。此外,FOPLP技术还有助于提高AI GPU的散热性能,延长芯片的使用寿命。图:AI GPU领域的新突破 预计2027年实现量产FOPLP技术的主要优势在于其低单位成本和大封装尺寸。这意味着使用FO...
着电动汽车市场的迅猛发展,对高性能电流传感解决方案的需求日益增长。在此背景下,英飞凌与Swoboda(斯沃博达)建立合作伙伴关系,共同开发和推广专为汽车应用设计的高性能电流传感器模块。这一合作充分发挥了英飞凌在电流传感器集成电路方面的领先地位,以及Swoboda在传感器模块开发和产业化方面的专业技能。双方的合作旨在满足混合动力和电动车对传感解决方案的快速增长需求,并加速这些解决方案的市场推广。此次合作的首个成果是Swoboda的CSM510HP2,这是一款完全封装的电流传感器模块,其特点是尺寸小,占用空间显著减小,同时还保持了性能。该模块机遇英飞凌的TEL4973无芯电流传感器IC,能够实现高精度传感器,总误差低于2%。Swoboda CSM510HP2模块专为与Infineon的HybridPACK™ Drive G2汽车动力模块无缝集成而设计,后者是用于电动汽车牵引逆变器的汽车动力模块。这种集成消除了对单独外部电流传感器的需求,使得市场上的牵引逆变器更为紧凑。图:英飞凌与斯沃博达合作开发高性能电流传感器模块随着全球对环保和可持续发展的重视,电动出行已成为不可逆转的趋势。在这一背景下...
近日,三星发布了其首款3nm可穿戴设备芯片Exynos W1000 ,并采用了FOPLP封装。Exynos W1000采用了三星最先进的3nm GAA(Gate-All-Around)制程工艺,这一技术的突破意味着芯片在保持极小体积的同时,能够承载更高的集成度和更强的性能。相比之前的工艺节点,3nm GAA技术带来了显著的能效比提升,为可穿戴设备带来了更长的续航时间和更快的运行速度。在性能上,Exynos W1000实现了质的飞跃。它搭载了全新的CPU架构,包括一个高性能的Cortex-A78核心和四个高效的Cortex-A55核心,使得这款芯片在处理复杂任务时游刃有余。据三星官方介绍,与前代产品相比,Exynos W1000在单核和多核基准测试中的性能分别提升了340%和370%,这意味着用户将能够以前所未有的速度启动应用程序,并在多个任务之间无缝切换,享受流畅无阻的操作体验。除了强大的性能外,Exynos W1000在显示方面也有出色表现。它配备了Arm Mali-G68 MP2 GPU,能够支持qHD(960x540)和最高640x640分辨率的屏幕显示,为用户带来细腻清晰的视觉...
据媒体报道,存储芯片厂铠侠产线稼动率已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND Flash)产品,借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。在产能恢复的同时,铠侠还宣布了其即将量产的先进NAND Flash产品。这些产品采用了堆叠218层的数据存储元件,相比现行产品,其存储容量提高了约50%,而写入数据时所需的电力则缩减了约30%。这一技术突破不仅极大地提升了存储芯片的存储密度和能效比,还满足了因生成式AI、大数据、云计算等技术的普及而急剧增长的数据存储需求。铠侠作为NAND Flash领域的领先厂商,其BiCS FLASH技术一直备受关注。此次量产的先进NAND Flash产品正是基于这一技术的进一步发展和优化。随着生成式AI、大数据、云计算等技术的快速发展,数据存储需求呈现出爆发式增长。铠侠作为NAND Flash市场的重要供应商,其先进产品的量产将有力推动市场需求的满足。同时,铠侠还持续关注中国市场不断增长的存储需求,并为中国客户定制了许多优秀的存储方案,打造从云端到本地、从消费产品到车载终端等全方位的存储生态。图:铠侠7月将量产最先进NAND产品铠...