SLA电池,即密封铅酸蓄电池(Sealed Lead Acid Battery),是一种采用氧气复合技术、玻璃纤维隔板或胶体电解液,并装有一个用于排气的释压阀(主要在过充时排气)的铅酸蓄电池。关于SLA电池的发展规模,可以从以下几个方面进行概述:一、全球市场规模市场规模与增长:根据最新的市场调研报告,2023年全球固定式铅酸SLA电池市场营收达到了612.49亿元人民币。预计在未来几年内,全球SLA电池市场将保持增长态势,年复合增长率有望达到7.16%。到2029年,全球固定式铅酸SLA电池市场规模预计将达到933.09亿元人民币。主要应用领域:SLA电池广泛应用于多个领域,包括储能系统、UPS电源、电动车辅助电源等。随着全球对可再生能源和储能技术的需求增加,SLA电池在这些领域的应用也将进一步扩大。二、中国市场规模市场规模与增长:中国作为全球最大的电池生产国和消费国之一,SLA电池市场也呈现出快速增长的态势。然而,由于报告中未直接给出2023年中国SLA电池市场的具体规模数字,我们可以根据全球市场的增长趋势和中国的市场份额进行推测。预计中国SLA电池市场也将保持较高的增长速度。政策推...
在信息技术飞速发展的今天,超大规模集成电路(VLSI)作为现代电子设备的核心,正迎来前所未有的发展机遇。从智能手机到高性能计算,从物联网到自动驾驶,VLSI的应用遍布每一个科技角落。本文将探讨VLSI市场的当前状态、技术发展趋势、政策环境以及市场竞争格局。市场规模与增长动力全球VLSI市场在过去几年中稳步增长,预计这一趋势将在未来几年内继续保持。根据市场研究,2018-2028年间,全球VLSI市场年复合增长率预计将达到5.7%,而中国市场的增长速度更是显著,预计年复合增长率将达到15.4%。这一增长主要得益于5G、人工智能、物联网等新兴技术的应用推广,以及下游消费电子市场的持续疲软后的复苏。产业链与技术革新VLSI产业链覆盖了从原材料、设备、设计、制造到封装测试的全过程。其中,晶圆制造材料和设备的技术要求极高,是产业链的关键环节。随着技术的进步,如TDDI(触控与显示驱动集成)技术的应用,VLSI正变得更加集成化和高性能。此外,音频功放芯片的技术革新,例如模拟/数字混合技术,也在推动市场的供给侧发展。图:超大规模集成电路蓬勃发展政策环境中国政府对集成电路行业的支持由来已久,并在近年来...
CXL内存(Compute Express Link Memory)是基于CXL(Compute Express Link)接口的一种新型内存体系架构,旨在优化不同计算资源之间的内存访问效率。CXL是一种开放标准的高速互连接口,允许CPU、GPU、内存、存储设备等计算资源之间实现低延迟、高带宽的通信。CXL内存的关键特性:异构计算支持: CXL内存使得CPU和其他加速器(如GPU、FPGA)能够共享同一块内存,从而消除了不同设备间的内存拷贝需求,大大提升了计算效率。这对需要大规模数据处理的应用,如人工智能和高性能计算(HPC),非常有利。内存扩展性: CXL内存可以通过连接外部内存模块来扩展系统的总内存容量,超越传统内存架构的限制。这样,系统可以更灵活地应对不同的工作负载需求。内存级别的持久性: CXL还可以支持非易失性内存(NVM),即使在断电的情况下,数据也不会丢失。这使得CXL内存可以用于构建更加可靠的系统,尤其是在需要持久化数据的应用场景中。统一的内存空间: CXL内存支持统一的内存地址空间,使得CPU和其他设备可以在共享的内存空间中直接操作数据,无需复杂的内存管理过程。图:C...
CXL是一种新型接口,旨在提升计算系统中CPU、内存、GPU和存储器等资源的利用效率。传统架构中,各类设备如内存和存储器通常通过独立的接口与CPU连接,因此,当这些设备之间需要通信时,必须经过多个接口的中转,这往往会引发延迟问题。随着AI和机器学习等领域的数据处理需求急剧增加,这种延迟现象变得更加突出。而CXL则通过简化设备间的通信路径,有效缓解了这一问题。三星近几年一直致力于对CXL内存模块的研发,早在2022年就推出了业界首款基于CXL的512GB CXL DRAM。三星内存部门新业务规划团队负责人Choi Jang Seok在近期举行的活动上,明确表示三星计划今年年底之前生产支持CXL 2.0的256GB CXL DRAM,称CXL市场预计下半年开始进入蓬勃发展阶段,到2028年将呈现爆炸性增长。CXL(Compute Express Link)内存技术因其在提高内存性能、扩展内存容量和降低延迟方面的能力,被看作是AI和高性能计算(HPC)领域的下一个重要技术 。随着AI大模型的快速发展,对内存带宽和存储速度的需求日益增长,而CXL技术通过提供高速缓存一致的内存共享,有助于解决所...
随着人工智能、5G技术的飞速发展,全球数据中心运营商对于更高数据传输速度的需求日益迫切。这一需求推动了数据中心对高效能光通信技术的追求。三菱电机(Mitsubishi Electric)宣布,为应对全球数据中心对更高数据传输速度的需求,将于明年1月份开始大规模生产下一代光芯片。这些光芯片利用光电转换效应进行信息传输和转换,由磷化铟等特殊化合物制成,广泛应用于5G基站和数据中心光模块等新兴领域 。当前数据传输的行业标准主要为200Gbps,但预计未来几年内将迅速提升至800Gbps及1.6Tbps。三菱电机此次量产下一代光芯片,正是为了顺应这一行业趋势,满足市场对高速、高容量网络的需求。一代光芯片利用光电转换效应,实现信息以光信号的形式进行高效传输和转换。这类芯片通常由磷化铟等特殊化合物制成,具有高速、低延迟的特点。新产品不仅适用于数据中心光模块,还广泛应用于5G基站等新兴领域,展现出其广泛的市场潜力和应用前景。三菱电机还宣布,将从今年10月开始出货用于800Gbps和1.6Tbps光纤通信的200Gbps PIN-PD芯片样品。这意味着配备这些芯片的光收发器将能够实现更高速度的通信,推...
群创光电近期宣布出售位于台南的第四工厂,这是一座5.5代LCD面板制造厂。据《经济日报》此前报道,有猜测称,美光和台积电都在积极评估收购该工厂的可能性。目前,台积电正在积极扩充产能,并持续增加设备投入。据《自由时报》8月15日报道,台积电已与先进封装及面板厂商群创光电签订合约,收购其位于南科园区的厂房及相关设备。此次交易的厂房总面积超过9.6万平方米,成交价为171.4亿新台币,低于市场预测的约200亿新台币。台积电表示,该设施将用于其运营和制造。一直以来台积电的先进封装技术有着诸多优势,比如:通过使用如CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)这样的技术,台积电能够在更小的空间内封装更多的芯片和存储器,从而提升整体性能 。先进封装技术通过优化芯片间的连接和数据传输,降低了功耗,特别是在高性能计算和人工智能应用中,这有助于提升能效比。此外,台积电的3D集成技术允许客户将不同工艺节点的芯片集成在一起,加速产品从设计到市场的过程。随着芯片尺寸平均增加5-10%,每片晶圆能够生产的芯片数量有所减少,进一步加大了晶圆和先进封装能力的需求压力。业内人士认为,从晶圆级封装向...