首页 > 资讯中心
热点资讯
-
芯片荒：半导体行业面临67,000人才缺口2024-06-20在数字化时代，半导体行业已成为全球经济增长的重要引擎。然而，这一行业正面临前所未有的人才危机。据半导体行业协会的报告，到本世纪末，全球半导体行业可能面临高达67,000名专业人才的缺口。这一数字不仅是一个警示，更是对行业未来可持续发展的严峻挑战。行业增长与人才需求半导体行业的增长速度是惊人的。据国际半导体产业协会（SEMI）的数据，2023年全球半导体销售额预计将达到5000亿美元，比前一年增长近10%。然而，这种增长的背后，是专业人才的极度紧缺。随着智能手机、云计算、人工智能等技术的普及，对半导体芯片的需求呈指数级增长，而能够满足这些需求的专业人才却远远不足。人才短缺的原因人才短缺是一个多维度问题。首先，教育体系与行业需求之间存在脱节。许多学生在完成学业后发现自己的技能与市场需求不匹配。其次，半导体行业的高技术门槛也使得新进入者面临较大的学习曲线。此外，全球范围内对STEM（科学、技术、工程和数学）专业人才的需求普遍增加，这也加剧了半导体行业的人才竞争。GlobalFoundries的应对策略面对人才短缺的挑战，GlobalFoundries的首席人才官Pradheepa Raman... 查看更多 -
三星预计2025年推出SAINT 3D封装服务2024-06-19据韩媒《韩国经济日报》报道，三星预计在2025年之前提供3D封装服务，命名为“SAINT”，这将为下一代HBM内存标准HBM4做准备。据悉，HBM4将于2026年首次亮相。在半导体封装领域，传统的2.5D封装技术已经难以满足日益增长的性能需求。三星的“SAINT”技术通过采用全新的3D封装方式，将多个芯片垂直堆叠在一起，与传统的2.5D技术相比，三星3D封装技术具有多项优势，不仅极大地缩短了芯片之间的距离，还显著提高了数据传输速度和效率。这种技术突破不仅解决了传统封装技术在性能上的瓶颈，还为半导体行业的发展开辟了新的道路。SAINT平台涵盖了三种不同类型的封装服务：SAINT-S、SAINT-L和SAINT-D，分别针对SRAM、逻辑和DRAM等不同类型的芯片进行优化设计。这种灵活多样的封装服务能够满足不同客户的需求，为各类高端应用提供定制化的解决方案。同时，通过垂直堆叠的方式，SAINT技术还实现了更低的碳足迹，为环保事业贡献了一份力量。图：三星SAINT 3D 封装三星的SAINT技术将直接服务于即将到来的HBM4时代。随着人工智能、云计算等技术的飞速发展，对于高性能、低功耗内存的... 查看更多 -
TSV工艺：AI时代的基石2024-06-19人工智能等先进技术应用需要处理、存储、访问和重写数据，而HBM可以处理单元和内存之间的耦合，以实现访问和存储，减少延迟从而提高整个设备系统的速度，并减少功耗和热量等。所以HBM是推动AI技术发展的关键。随着对更快数据访问的需求不断增长，HBM堆栈持续受到关注，这也给TSV（硅通孔）带来了更大的需求。TSV技术是一种先进的封装和互连技术，通过在硅片上制作垂直贯通的微小通孔，并在通孔中填充导电材料，实现芯片内部不同层面之间的电气连接。这种技术打破了传统二维集成电路的局限，使得芯片在垂直方向上也能进行高密度集成，从而大大提高了芯片的性能和集成度。TSV技术通过在硅片上垂直打孔，实现了不同硅片之间的电气连接，极大地提高了芯片的集成度和性能。这种技术的应用，使得内存解决方案能够满足AI时代对高带宽、大容量和低延迟的严苛要求。在AI应用中，对计算性能的要求极高。TSV技术通过提高芯片内部的互连密度，能够降低信号传输延迟，从而提升芯片的计算性能，满足AI应用对高性能计算的需求。图：TSV技术：AI时代的基石（图源：半导体工程)TSV技术被广泛应用于各种领域，如微处理器、存储器、传感器等，是推动集成电... 查看更多 -
LMUF：HBM制造商的新选择2024-06-19随着高性能计算和人工智能领域的快速发展，对高带宽内存（HBM）的需求日益增长。HBM以其高速度、高容量和低功耗特性成为高端计算设备的首选内存解决方案。然而，随着技术的进步和市场对更高内存密度的需求，HBM制造商面临着新的挑战。在这种情况下，液态模塑料下填料（Liquid Mold Underfill，简称LMUF）技术应运而生，成为HBM制造过程中的关键选择。以下是HBM制造商选择LMUF的几个主要原因。提升热传导性能HBM内存的堆叠技术要求在保持标准封装高度的同时，增加DRAM层的数量。这导致堆叠芯片的散热成为一个重大挑战。SK海力士等公司采用的液态环氧模塑料（Liquid EMC）作为下填料，相较于传统非导电膜（NCF），其热导率提高了一倍，有效提高了芯片的散热效率。增加内存密度液态模塑料下填料技术允许制造商在不牺牲性能或产量的前提下，制造更薄的DRAM层，并通过减少层间空间来增加DRAM层的数量。这不仅提高了内存模块的整体密度，而且有助于实现更高的内存容量。简化组装过程采用液态模塑料下填料的Mass Reflow Molded Underfill（MR-MUF）技术，可以在回流过... 查看更多 -
Intel 3工艺节点披露2024-06-19近日，英特尔公司详细介绍了其下一代英特尔3工艺节点，该节点比英特尔4工艺节点性能提升了18%，同时密度也有所提高。Intel 3工艺结点代表了英特尔在制程工艺方面的最新成果。相较于上一代的Intel 4，Intel 3实现了约0.9倍的逻辑微缩，这意味着在相同的面积下，能够容纳更多的晶体管，从而显著提高处理器的集成度和性能。同时，Intel 3在能效方面也取得了显著的提升，每瓦性能提升高达17%，这一成就得益于制程工艺的优化以及对EUV（极紫外光刻）技术的深入应用。EUV技术作为半导体制造领域的一项重要突破，具有高精度、高效率的特点。在Intel 3的制程工艺中，英特尔将EUV技术应用于更多的生产工序中，提高了生产效率并提升处理器性能。此外，Intel 3还引入了更高密度的设计库和优化的互连技术堆栈，这些改进提升了晶体管的驱动电流并减少了通孔电阻，从而进一步提升了处理器的整体性能。Intel 3工艺结点的成功推出，迅速得到了市场的积极响应。首先，代号为Sierra Forest的英特尔®至强®6能效核处理器，作为首款采用Intel 3制程节点的产品，已经在数据中心市场取得了显著的成绩。... 查看更多 -
Zephyr推出全球首款Nvidia RTX 4070 ITX显卡2024-06-19根据媒体报道，Zephyr的全球首款ITX友好型Nvidia GeForce RTX 4070已经上市。这款显卡以其双插槽设计和仅172mm的长度，重新定义了高端显卡的紧凑性标准。RTX 4070显卡以其强大的性能在高端显卡市场上占有一席之地，但传统的显卡尺寸常常让SFF（小型化）PC爱好者望而却步。Zephyr公司此次推出的ITX版RTX 4070显卡，正是为了解决这一难题。它采用了独特的ITX设计，将原本庞大的显卡体积大幅缩减，使得即使是紧凑的机箱也能轻松容纳。这款显卡的双插槽设计保证了其散热性能，尽管体积小巧，但Zephyr依然为其配备了高效的散热系统，以确保显卡在长时间运行时的稳定性和耐用性。据官方数据显示，在25℃室温下，风扇转速仅为2400RPM时，显卡的核心和显存温度分别可以控制在73℃和68℃，这一数据足以证明其出色的散热性能。与双风扇型号相比，温度降低了8摄氏度和10摄氏度。这一突破性的散热设计，确保了显卡在高负载下的稳定性和耐用性。在性能方面，这款ITX版RTX 4070显卡并没有因为体积的缩小而妥协。它依然能够轻松应对各种高端游戏和图形处理任务，为用户带来流畅、逼... 查看更多
登录
注册
短信登录
注册
快速注册
账号登录
注册
快速注册
对比栏