在全球智能汽车发展的大潮中,核心技术的掌控成为各大车企竞争的关键。广汽零部件有限公司与重庆长安汽车股份有限公司的联合投资——智能线控底盘方案供应商辰致科技,标志着两大汽车集团在智能汽车核心零部件领域的战略布局,旨在推动中国智能汽车产业链向高端迈进。技术突破与市场前景辰致科技是国内领先的智能线控底盘系统方案供应商,专注于线控转向、线控制动和线控悬架等关键技术。广汽和长安的战略投资表明了对辰致科技技术实力的认可,也展示了传统车企在智能化底盘领域的探索。通过先进算法与控制技术,辰致科技实现了智能线控底盘的深度集成,为自动驾驶提供了坚实的底盘技术支持。数据显示,预计到2025年,全球线控底盘市场规模将达1,757亿元,年均增长率为36%;到2030年,该市场规模将增至3,309亿元,年均增长23%。随着市场对智能化底盘的需求增长,广汽和长安此次投资辰致科技正是瞄准了这一广阔市场,以期在未来竞争中保持领先。产业链协同与战略布局广汽集团发布公告称,为加强智能线控底盘等关键零部件的产业链协同,广汽零部件有限公司将对辰致科技增资不超过5.5亿元人民币,持股30%。这一计划不仅强化了广汽在智能汽车零部件...
在新能源汽车技术日益成熟的背景下,电池技术的突破已成为行业革新的核心动力。宁德时代,作为全球领先的电池企业,已将全固态电池的研发推进到新的高度。中国出海半导体网将深入解析宁德时代在全固态电池领域的最新进展,包括关键技术路径、研发团队规模、行业影响及未来发展方向。硫化物路线与能量密度提升:技术突破的核心宁德时代在全固态电池研发中选择了硫化物技术路线,目前已进入20Ah样品试制阶段。这一研发路径具有高离子导电性和良好的机械性能,被认为适合大规模应用。在能量密度方面,宁德时代的全固态电池目标达到500 Wh/kg,比当前主流锂电池高出40%,为提升电动汽车续航里程带来重大突破。图:宁德时代固态电池,预计2027年开始小批量生产这一进展不仅展示了宁德时代对关键材料和技术路线的深入探索,还突显了其在高能量密度材料和界面设计上的技术积累。500 Wh/kg的目标,若在量产中实现,将成为业内能量密度的新标杆,促进行业进入高续航和轻量化的新阶段。强大研发力量:千人团队全速推进宁德时代在全固态电池的研发中投入了超过1000人的研发团队,这一规模在全球范围内首屈一指。如此庞大的团队配置,不仅确保了技术的快...
Arteris是一家领先的系统IP供应商,致力于加速片上系统(SoC)创建。片上系统是一种将系统所需的全部组件压缩到同一个芯片上的集成电路,它无需独立的大型系统组件,有助于简化电路板设计,从而在不影响系统功能的情况下改善功耗和影响运行速度。该公司近日宣布,Tenstorrent已获得其片上网络(NoC)IP授权,应用于其基于芯粒的产品中的片上连接。Arteris的高度可配置NoC互连能够满足严苛的工作负载要求和市场交付时间,进而为AI、高性能计算(HPC)和汽车等领域提供下一代高性能、节能的计算解决方案。Tenstorrent专注于AI图形处理器、高性能RISC-V CPU以及可配置芯片的设计,结合硬件与软件,为AI和机器学习应用提供可扩展、节能的计算平台,覆盖从训练到推理的广泛终端市场。Tenstorrent与Arteris的合作已经取得了显著的成果:授权使用Ncore和FlexNoC IP:Tenstorrent已经授权使用Arteris的Ncore和FlexNoC IP,用于其基于芯粒的AI解决方案中。这些IP提供了高性能、可配置的网络连接解决方案,能够满足AI系统的严格要求。优...
Nexperia近日宣布与全球知名汽车供应商KOSTAL达成战略合作,旨在共同推动符合汽车行业严格标准的宽带隙(WBG)电力电子器件的生产。这一合作协议将由Nexperia提供、开发和制造KOSTAL设计和测试的WBG器件,重点针对电动汽车(EV)车载充电器(OBC)领域。合作中的SiC MOSFET将采用顶部冷却(TSC)QDPAK封装,以满足日益增长的电动汽车市场对高效能和高可靠性的需求。宽带隙技术推动电动汽车创新随着电动汽车市场的爆炸性增长,对高效电力电子器件的需求日益增加。宽带隙半导体材料如SiC和GaN,凭借其卓越的耐高温、耐高电压、低功率损耗等优点,成为电动汽车、电池管理系统和充电设备的理想选择。与传统硅材料相比,WBG材料能显著提升功率密度和热管理性能,是提升电动汽车整体效率的关键因素。KOSTAL作为全球汽车行业的重要参与者,凭借多年的经验在电动汽车领域占据了举足轻重的地位。KOSTAL的车载充电器已广泛应用于全球各类电动汽车,为电动出行提供了可靠的基础设施支持。此次与Nexperia的合作,标志着KOSTAL在电动汽车领域继续扩展其技术组合,特别是推动SiC器件在车载...
麻省理工学院的研究人员近期发现了一种新型的纳米级晶体管,据悉,这些晶体管有可能彻底改变高效电子产品的未来。这些新型晶体管采用独特的3D纳米线结构,与传统的硅基晶体管相比,它们能在更小的尺寸下运行,突破了硅基晶体管在小型化方面的瓶颈。该设计为更快、更冷、更紧凑的电子设备铺平了道路。这种新设计基于垂直纳米线场效应晶体管(VNFET),它通过垂直排列的纳米线结构来控制电子流,而非传统的水平结构。这种结构设计有效绕过了水平晶体管所面临的尺寸缩小的物理障碍。通过采用3D结构,麻省理工的VNFET在减少热量和功率泄漏方面表现优异,这是硅晶体管在高密度电路中难以克服的挑战。利用这些3D层叠晶体管的潜力,计算密度也得到了显著提升,这为现代高性能计算和数据驱动技术提供了更大的发展空间。麻省理工学院的博士后研究员邵燕杰表示:“这项技术有可能替代硅,可以实现硅所能做的一切功能,但其能源效率更高。”MIT的设计一个重要优势是VNFET的灵活性,它使用替代半导体材料而非传统的硅。此举能够在更小的尺度下提高导电性,同时保持较高的效率,降低能耗。通过从硅转向其他材料,解决了如量子隧穿等问题(即电子在纳米尺度下无意间...
CMP(化学机械抛光)工艺在半导体制造中起着至关重要的作用,随着新一代设备技术的不断发展,CMP工艺步骤的数量也在不断增加。这些新的设备技术通常包含更多的层次、新的材料以及更严格的工艺控制要求。这些制造挑战要求CMP工艺进行新的和持续的优化,从而可能推动CMP辅助设备或耗材市场的增长。根据市场调查机构TECHCET的预测,到2025年CMP辅助设备(如垫调节器、PVA刷、POU浆料过滤器和固定环)的收入将增长约11%,预计将达到11.5亿美元。增长的主要动力来源于晶圆数量的恢复,以及铜/钨金属CMP步骤的使用量增加。预计2024年CMP辅助设备市场将出现约5%的温和回升,其中CMP垫调节盘将占据最大的收入和销量份额。这一趋势也在TECHCET最新发布的2024-2025年CMP辅助设备市场报告中得到了体现。到2028年,TECHCET预计CMP辅助设备的复合年增长率将达到10%。这是因为最先进的逻辑芯片、3D NAND以及DRAM设备将继续进入大规模生产阶段(HVM)。此外,未来2至4年内各大晶圆厂的扩建计划也将推动CMP辅助设备需求的进一步增长。图:2025年CMP辅助设备市场将实现...