在全球半导体行业竞争愈加激烈的背景下,高通骁龙8至尊版芯片的代工厂选择引发了广泛关注。2024年,高通宣布将第二代骁龙8至尊版芯片的代工订单全部交给台积电,而非之前计划的三星与台积电双代工策略。这一决策不仅凸显了台积电在3nm工艺上的技术优势,也反映了芯片代工行业在技术成熟度、供应链稳定性和市场格局等方面的深刻变革。一、台积电的技术领先:3nm工艺成竞争胜负手台积电能够独揽高通骁龙8至尊版订单,首先得益于其在3nm工艺上的显著技术优势。根据台积电2024年第三季度财报,其3nm工艺(N3P)已进入大规模量产阶段,良品率和生产效率均已大幅提升。与此相比,三星的3nm工艺良品率仅在10%-20%之间,这一差距导致高通对三星的生产能力产生疑虑。台积电通过其卓越的技术积累和持续优化,使其在良品率上大幅领先于三星,进而赢得了高通的信任。进一步来看,台积电的N3P工艺不仅在良品率上取得突破,其在性能和能效方面的表现也远超同行。台积电的3nm工艺使得骁龙8至尊版芯片在多项指标上得到了显著提升:CPU性能提升44%,GPU性能提升40%,而整体能效提升达到45%,功耗降低了40%。这些数据表明,台积电...
2025年1月21日,中国科学院微电子研究所宣布,由刘新宇、汤益丹团队与中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队共同研制的首款国产高压抗辐射碳化硅(SiC)功率器件及其电源系统,成功通过太空第一阶段验证,并在中国空间站轨道上实现了首次应用。这一重大突破,不仅标志着中国在第三代半导体材料领域,尤其是在航天电源系统应用方面取得了重要进展,也为未来航天任务中的电源技术升级提供了新的解决方案。一、技术突破:碳化硅功率器件的巨大优势功率器件作为电力电子系统的核心部件,其性能直接影响到能源转换效率和系统的稳定性。在过去的几十年里,硅基功率器件在许多应用中已接近性能极限。相比之下,碳化硅(SiC)等第三代半导体材料凭借其独特的物理特性,如宽禁带、较高的击穿电压、良好的热导性等,在高效能和高功率应用中展现出了巨大的潜力。此次研制的400V高压抗辐射碳化硅功率器件,功率-体积比比传统硅基功率器件提升了近5倍。这意味着,在相同体积下,碳化硅器件能够传输更高的功率,显著提升能源转换效率,并且在高功率应用中具有明显的优势。此外,碳化硅材料的高效能特性使得电源系统的散热需求大幅减少,这不仅能降低航天器的能耗,...
随着全球对高能量密度、长寿命电池需求的不断增加,全固态电池技术正成为新能源领域的研究热点。2025年1月16日,北京大学材料科学与工程学院庞全全教授团队在国际顶级学术期刊《自然》上发表了一项具有突破意义的研究成果——新型全固态锂硫电池。这款电池不仅实现了超过25000次的循环寿命,还具备了分钟级快充能力。该技术的推出,不仅为动力电池的未来发展提供了新的技术路径,也为电动汽车、低空飞行以及高端电子设备等多个应用领域带来了巨大的变革潜力。一、技术创新:从材料设计到性能突破传统全固态锂硫电池在应用中面临的最大挑战之一是电池的低反应速率和短循环寿命。尤其是硫正极的低导电性和在充电过程中电解质的副反应,制约了电池的循环性能和充电速度。为了解决这些问题,庞全全教授团队提出了创新的材料设计和化学机制。通过引入氧化还原活性的碘元素,该团队设计并合成了新型玻璃相硫化物电解质材料(LBPSI,即Li₂S‒B₂S₃‒P₂S₅‒LiI)。该电解质不仅充当硫正极内部的超离子导体,还通过碘的氧化还原介导作用激活了传统电池中难以进行的两相界面反应。这一创新显著提高了电池的反应速率和循环稳定性,为全固态锂硫电池的高性...
2025年,北京市在科技创新领域的布局再次吸引全球关注。根据北京市发改委发布的“3个100”市重点工程计划,北京将投入约1.4万亿元人民币,集中推进300项市级重点工程,涵盖科技创新、基础设施建设及民生改善。这一战略性投资不仅聚焦于提升城市基础设施,还将6G技术与人形机器人产业作为未来发展重要方向,展现出北京在全球科技竞争中的雄心与战略眼光。一、6G产业:引领下一代通信技术革新6G技术作为未来通信的核心支撑,将在传输速率、延迟及应用场景等方面远超5G,具备更高的效率和更广泛的应用潜力。北京在这一领域的战略布局,旨在引领全球6G技术的研发与商业化进程。2025年,北京将加快建设6G实验室,并推动6G创新产业集聚区的形成,为未来的技术应用奠定基础。此外,北京还计划设立低空技术创新区,为无人机、无人驾驶等技术的落地提供良好支撑。具体来说,6G技术将不仅局限于通信领域,它将与人工智能(AI)、物联网(IoT)等新兴技术深度融合。例如,6G的通感一体化技术,将支持通信和感知功能的结合,使无人驾驶、智能制造、智慧医疗等领域的应用成为可能。随着人工智能和大数据的结合,6G有望进一步推动智能交通、自动...
近日,Arm架构授权费用的涨幅引发了业内的广泛关注。根据多方消息,Arm计划在未来对其芯片架构的授权费用进行大幅度的上调,预计涨幅达到300%。这一消息引发了半导体行业的连锁反应,尤其是对一些依赖Arm架构的公司来说,这将成为他们成本结构的重大挑战。那么,Arm的授权费暴涨将会对哪些公司产生最大的影响?中国出海半导体网将从不同维度深入分析这一变动可能带来的市场影响。一、Arm授权费上涨背景Arm架构长期以来在智能手机、嵌入式系统、物联网、汽车等多个领域占据主导地位。Arm通过授权其技术给各大半导体公司,收取授权费用和基于销量的使用费,已成为其盈利的核心模式。然而,随着Arm母公司被日本软银出售并计划赴美上市,Arm的商业模式也面临着新的调整。软银在推动Arm向上市公司转型的过程中,希望通过增加授权费用来提升其营收,进一步提高公司估值。据了解,Arm的授权费将在未来几年内大幅上涨,部分设计者的授权费用涨幅高达300%。这一举措,虽然能够为Arm带来可观的短期收入,却也可能改变其在半导体产业链中的地位,尤其是在全球半导体市场的竞争格局上。图:ARM授权费用上涨300%二、哪些公司最受伤?中...
随着人工智能技术的飞速发展,对高性能、低能耗的硬件需求日益增长。传统计算设备在处理复杂任务时面临着能效和性能的双重瓶颈,这促使研究人员探索新的硬件架构和技术。最近,日本国立材料科学研究所(NIMS)和日本精细陶瓷中心(JFCC)的研究团队开发了一种基于自旋波干涉的下一代AI设备,展示了在高性能计算领域的巨大潜力。研究背景人工智能的快速发展对硬件提出了更高的要求。传统计算设备在处理复杂任务时,往往受到能效比和计算速度的限制。为了突破这些瓶颈,研究人员开始探索新型硬件架构,其中物理存储计算(Reservoir Computing)因其高效的信息处理能力而备受关注。然而,现有的物理存储计算设备在性能和能效方面仍存在不足。因此,开发一种能够显著提升信息处理性能的新型AI硬件成为研究热点。研究成果NIMS和JFCC的研究团队成功开发了一种基于离子控制自旋波干涉的下一代AI设备。该设备通过控制磁性材料中的自旋波和离子动力学,实现了高性能计算。这一技术不仅在性能上超越了传统物理存储计算设备,还展示了在能效和精度方面的显著优势。技术细节自旋波的产生该设备利用集成在钇铁石榴石(YIG)磁体中的天线产生自...