微软近期推出了轻量级AI模型Phi-3系列,包括Phi-3-mini、Phi-3-small和Phi-3-medium三个版本。Phi-3-mini作为系列中最小的模型,拥有38亿参数,却在性能上展现了超越参数规模大一倍多的模型的能力。在多项基准测试中,Phi-3-mini的性能可与GPT-3.5等模型竞争,甚至在某些测试中超过了Meta的Llama 3 8B(80亿参数)。此外,Phi-3-mini支持4K和128K上下文窗口,是同类小模型中第一个支持128K的开源产品。微软声称Phi-3系列模型的成本可能只有同等性能模型的十分之一。这一价格优势意味着Phi-3能够通过成本竞争力吸引更广泛的客户群,尤其是那些对成本敏感或资源有限的公司。低成本的AI模型为小型企业和开发者提供了更多的可能性,使他们能够以较低的成本享受到高质量的AI服务。图:微软Phi-3轻量级AI模型,性能强大,成本降至十分之一Phi-3系列模型的应用领域相当广泛。由于其轻量级的特性,Phi-3适合在网络资源受限、需要终端设备上推理或离线推理的场景中使用。此外,对于需要快速响应、避免延迟的应用,如移动设备上的AI应用,...
据悉,英飞凌科技正在向中国上海麦田能源供应其功率半导体器件,用于制造变频器和储能系统。具体来说,英飞凌将向麦田能源提供1200V的CoolSic MOSFET,并搭配EiceDRIVER门驱动器,这些产品将应用于工业能量储存系统。此外,麦田能源的串式光伏(PV)逆变器也将采用英飞凌的IGBT7 H7 1200V功率半导体器件。英飞凌公司指出,全球光伏能量存储系统(PV-ES)市场近年来增长迅猛。随着光伏能量存储系统市场竞争的加剧,提升功率密度变得尤为关键,如何提高储能应用的效率和功率密度已成为业界关注的焦点。英飞凌强调,其CoolSic MOSFET 1200V和IGBT 7 1200V系列功率半导体器件,采用了最新的半导体技术和设计理念,专为满足工业应用需求而量身定制。图一:英飞凌向麦田能源提供功率半导体得益于英飞凌先进组件的强力支持,麦田能源的产品在可靠与效率上实现了显著提升,这已成为推动麦田能源发展的重要动力。麦田能源董事长朱静成评价道,“英飞凌的技术支撑和产品品质不仅增强了我们的市场竞争力,也帮助我们在市场上的业务得到了扩展。”英飞凌宣称,其CoolSic MOSFETs 12...
根据韩煤ETNews报道,三星已经开始量产其第九代V-NAND 1Tb TLC 产品。这一举措不仅标志着三星在3D NAND闪存技术上的又一次飞跃,也为整个行业的发展树立了新的标杆。“我们很高兴能推出三星首款第九代V-NAND,这将有机会推动未来应用的飞跃发展。”三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示,“为了满足不断发展的闪存需求,三星在这款产品的单元架构和运行方案上不断突破极限。通过最新的V-NAND,三星将在高性能、高密度SSD市场中持续创新,满足未来人工智能时代的需求。”图一:三星开始量产第九代V-NAND三星第九代V-NAND采用了先进的通道孔蚀刻技术,这一技术的应用显著提升了生产效率。与上一代产品相比,第九代V-NAND的位密度提高了约50%,这得益于三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度。此外,新技术特性如单元干扰和单元寿命延长等的应用,进一步提高了产品的质量和可靠性。第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”,这一接口的采用使得数据输入/输出速度提高了33%,最高可达每秒3.2千兆位(Gbps)。同时,三星在低功耗设计方面取得了显著进...
上海泰矽微电子有限公司(以下简称“泰矽微”)近日宣布,已完成新一轮数千万人民币的战略融资。这一轮融资标志着泰矽微在车规专用MCU领域的进一步深耕,以及其在高性能专用SoC芯片领域的全面布局。投资背景与意义本轮融资由博奥集团领投,这是继科博达、星宇股份后泰矽微在汽车照明及执行领域的又一项重要战略融资布局。融资所得将为泰矽微提供充裕的资金支持,以加速公司在MCU芯片领域的研发和市场扩张,同时打通产业链上下游的资源,加强公司在汽车电子市场的领先地位。图:上海泰矽微电子完成千万战略融资为中国车规MCU注入新活力泰矽微的发展与成就泰矽微成立于2019年9月,以MCU为基础,专注于开发适合于海量垂直市场的高性能专用SoC芯片。公司产品线涵盖信号链、射频、电源管理、电池管理等模拟技术与微处理器的融合领域,服务于消费电子、工业及汽车等多个应用场景。泰矽微拥有一支经验丰富的芯片研发和工程团队,核心人员来自国际知名芯片大厂,具备强大的研发实力和丰富的量产经验。产品与市场表现泰矽微在车规触控芯片领域已发展成为国内龙头企业,其产品在包括大众、吉利、华为、广汽、丰田、通用等多个OEM厂商中得到应用。此外,公司的...
随着全球对于可持续能源和环保出行的重视,电动汽车(EV)行业迎来了前所未有的发展机遇。在这场电动汽车革命中,碳化硅(SiC)材料正逐渐成为行业的新宠,其独特的物理特性为电动汽车的性能提升带来了革命性的影响。电动汽车内部空间有限,对于功率器件的体积要求极高。SiC器件以其卓越的功率密度,使得封装尺寸得以显著缩小,同时还能减小配套的无源器件和散热器的体积。这一点对于追求紧凑设计的电动汽车尤为重要。SiC模块在主逆变器中的应用,相比传统的硅(Si)基IGBT模块,能够显著提高系统效率约5%。这意味着在相同的电池容量下,电动汽车可以获得更长的续航里程,或者在相同的续航里程下减少电池的容量,从而降低整车成本。图一:碳化硅成本较低随着电动汽车电池电压的提升,SiC的高耐压特性使其在高压应用中展现出无可比拟的优势。特别是在800V以上的电池系统中,SiC器件的高温、高频、高压特性,使其成为电动汽车高压系统的理想选择。SiC器件的快速开关特性,不仅减少了开关损耗,还提高了整体系统效率。这对于提升电动汽车的续航能力和性能至关重要。SiC器件在高温环境下的稳定性,使其在电动汽车的逆变器和充电器等关键部件中...
在全球数字化转型和人工智能技术迅速发展的背景下,对于高效能存储解决方案的需求日益增长。特别是在AI服务器和新型AI PC产品的推动下,市场对NAND Flash快闪存储器的需求不断扩大,这一趋势对存储芯片制造商的产能利用造成了显著影响。作为全球领先的存储芯片制造商,三星电子近期已将其NAND Flash闪存的产能利用率提升至90%,相较于第一季度的80%,这一提升显示出市场需求的明显回暖。三星电子的这一调整是对AI技术发展所带来市场需求增长的直接响应。AI技术的快速发展,尤其是在AI服务器领域,对大容量、高速的存储设备产生了巨大的需求。企业级固态硬盘(SSD)作为AI服务器的重要组成部分,需求量随之增加。北美和中国的云计算服务提供商为了满足市场对AI服务的增长需求,开始增加对企业级存储的采购。图一:三星NAND产能利用率近九成新款AI PC产品的入市,预计将拉动对高性能DRAM的需求增长,同时也会扩大NAND Flash快闪存储器的市场需求。AI PC配置的CPU全面兼容DDR5、LPDDR5以及LPDDR5x等规格的DRAM,并且由于AI处理需要大容量的SSD来存储数据,这将进一步带...