近日,有报道显示Eggtronic 推出了一款评估板,旨在加速 240W PD 3.1 充电器的开发。这款评估板可能包含了必要的硬件和软件工具,以帮助开发者和工程师设计和测试符合 USB PD 3.1 标准的高功率充电器。USB PD 3.1 标准支持最高 48V 5A 的输出,能够提供高达 240W 的功率,这对于那些需要快速充电的大容量电池设备来说是一个重要的进步。240W PD 3.1 充电器在提供快速充电和通用性方面具有明显优势,比如:高功率输出: 240W 的高功率输出使得 PD 3.1 充电器可以为高性能笔记本电脑、游戏设备、电动工具等提供快速充电,大大缩短充电时间,提高了用户的使用体验。通用性增强: USB PD 3.1 标准使得 USB PD 快充技术的适用范围扩大,覆盖了更多类型的设备,包括一些高电压供电的设备,如电动工具、工业电源等,实现了“万物皆可充”的目标。技术进步: PD 3.1 快充技术和 240W 充电设备的出现,代表了充电技术的进步,为未来的充电技术发展带来新的趋势。USB-C 接口大一统: USB PD 3.1 标准的推广有助于 USB-C 接口的统一...
在芯片代工领域,台积电、三星电子和英特尔三大巨头的竞争已进入新阶段,特别是在2纳米和18A制程工艺方面。台积电凭借其在3纳米技术上的领先地位,巩固了其在高端市场的优势。三星则在努力提升市场份额,但面临良率和客户获取的双重挑战。英特尔的18A制程工艺是其复兴战略的核心,然而在量产和良率上的问题可能会影响其竞争地位。台积电的2纳米制程工艺进展顺利,预计将于2024年第四季度开始量产,进一步巩固其技术领先地位。三星也在积极推进2纳米技术,并寻求在AI芯片制造上取得突破。相比之下,英特尔的18A制程工艺在试产阶段遇到挑战,博通测试结果显示其良率不足以支持大规模生产,对英特尔来说无疑是一个沉重打击。图:英特尔在先进制程工艺的道路上苦苦挣扎市场份额方面,台积电依然占据主导地位,其3纳米产线订单已排至2026年。三星的市场份额相对较小,而英特尔的代工业务前途未卜。华尔街分析师甚至建议英特尔退出代工市场,这可能对其长期战略产生深远影响。尽管英特尔在芯片代工领域雄心勃勃,但其在技术和市场上的挑战可能限制其发展。台积电和三星则继续巩固和扩大其在高端市场的领导地位。随着技术进步和市场需求变化,这场三国争霸的...
京东方科技集团在成都高新西区投资建设的第8.6代AMOLED生产线项目,是中国首条、全球第二条高世代AMOLED生产线,总投资约630亿元人民币。该项目预计将在2026年底实现量产,设计月产能为3.2万片玻璃基板(尺寸为2290mm x 2620mm),主要用于生产笔记本电脑、平板电脑等智能终端的高端触控OLED显示屏。随着这一项目的实施,中国在全球OLED显示领域的竞争力有望实现从“跟跑”到“领跑”的跨越。技术创新:LTPO背板与叠层发光技术的应用京东方此次在第8.6代AMOLED生产线中采用了低温多晶硅氧化物(LTPO)背板技术与叠层发光器件制备工艺。LTPO技术以其低功耗、高效能著称,能够使OLED屏幕在延长使用寿命的同时,显著降低功耗。叠层发光器件工艺则通过提升屏幕的亮度和色彩表现,优化了中尺寸OLED产品的显示质量。这些技术创新为高端IT类产品提供了更优质的显示解决方案,有效满足了市场对轻薄、便携设备的需求。高世代产线的市场意义京东方第8.6代生产线的建成,将显著提升中尺寸OLED产品的切割效率,降低生产成本,并实现大规模量产。与传统AMOLED生产线相比,高世代生产线不仅能...
全球半导体行业的竞争日益激烈,尤其是在人工智能(AI)芯片领域,发展速度迅猛。近日,OpenAI曝光了其首颗自研AI芯片,这一消息迅速成为行业焦点。这款芯片将采用台积电先进的A16工艺,专为其Sora视频生成模型定制,旨在大幅提升视频生成的计算能力。这不仅彰显了OpenAI在AI硬件方面的雄心,也预示着其与苹果之间围绕台积电A16工艺产能展开的激烈竞争。技术突破与前景展望台积电A16工艺是目前行业中最先进的制程节点之一。其基于下一代纳米片晶体管技术,并配备超级电轨技术(SPR),提供了领先的背面供电解决方案。根据初步报告,A16工艺相比现有的N2P制程,在芯片密度方面提升了1.10倍,在相同工作电压下性能提升8%-10%,而在相同速度下功耗降低15%-20%。该工艺的这些改进,预计将于2026年下半年开始量产,将为AI芯片的性能和能效带来显著提升。OpenAI的战略布局OpenAI的自研芯片计划无疑是其应对AI市场需求不断增长的一项战略举措。随着生成式AI的快速发展,OpenAI正逐渐从依赖第三方供应商,向自主研发转型。通过自研AI芯片,OpenAI希望增强自身的竞争力,减少对外部供应...
在增材制造(Additive Manufacturing, AM)的不断演进中,蓝色激光技术正凭借其独特优势成为业内关注的焦点。美国科罗拉多州的NUBURU公司凭借其创新的蓝色激光器,与俄亥俄州立大学设计与制造卓越中心(CDME)携手,展开了一个备受瞩目的合作项目。这一合作不仅凸显了NUBURU在蓝色激光领域的技术领导力,也标志着蓝色激光在AM领域的实际应用进入了新阶段。蓝色激光的技术革命:颠覆传统工艺NUBURU的蓝色激光技术,因其在铜、铝等高反射金属材料上的出色表现,正在引领一场工艺革命。与传统的红外激光相比,蓝色激光能够提供更高的吸收率,在金属加工中显著提高速度与精度。根据NUBURU的实验数据,蓝色激光在铜材料上的加工速度是红外激光的8倍之多,且焊接过程中几乎没有缺陷。这种技术进步不仅提升了生产效率,还为制造复杂结构的增材制造工艺开辟了新的可能性。在高端制造业的需求日益复杂的背景下,蓝色激光的无瑕疵加工能力正在快速赢得市场青睐。图:NUBURU的蓝色激光技术正在引领一场工艺革命合作背景:俄亥俄州立大学CDME的战略选择作为美国领先的制造业研发中心,俄亥俄州立大学的CDME在选择...
英特尔在 2030 年前成为全球第二大芯片代工厂的目标面临重大挑战。据路透社报道,博通在试用英特尔的 18A 制程技术后,结果未能达到预期,给英特尔的复兴计划带来了新的压力,尤其是在追赶台积电的工艺进展上。博通此前用其设计的典型测试模式,制造了一批基于 18A 工艺的晶圆。然而,消息人士透露,博通收到这些晶圆后,工程师和高管们对这一工艺表示不满,认为“尚不具备大规模量产的条件”。尽管如此,英特尔最近公开了其 18A 工艺的缺陷密度,显示该工艺在距离量产还有两到三个季度的情况下,依然处于健康水平。英特尔 CEO 帕特·基辛格在德意志银行 2024 年技术大会上指出:“目前,我们的缺陷密度已低于 0.4 d0,对于这个节点来说,这是一个健康的水平。” 通常来说,缺陷密度低于每平方厘米 0.5 个缺陷被视为良好结果。英特尔 18A 的缺陷密度为每平方厘米 0.4 个,尽管台积电的 N7 和 N5 技术在类似阶段的缺陷密度曾达到 0.33,且 N5 在量产时进一步降低至 0.1,但考虑到时间节点,英特尔的进展仍值得认可。图:英特尔A18芯片遭质疑(图源:英特尔)不过,台积电的 N3 技术在早期...