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量子计算产业化：中国智库的深度分析与全球影响2024-09-11——中国首个量子计算专项智库“量子计算观察”正式成立在全球科技竞争日趋激烈的今天，量子计算作为一项颠覆性技术，正逐渐成为各国争夺的制高点。中国在这一领域的最新动作，再次吸引了世界的目光。近日，中国首个量子计算专项智库“量子计算观察”在安徽省量子计算工程研究中心的推动下正式成立，标志着中国在量子计算产业化道路上迈出了坚实的一步。“量子计算观察”智库的成立，不仅是中国量子计算研究的一个重要里程碑，也是中国在全球量子计算领域话语权提升的重要标志。智库由中国通信学会量子计算委员会、中新社（北京）国际传播集团有限公司安徽分公司、安徽省量子计算工程研究中心、量子计算芯片安徽省重点实验室联合创办，旨在为全球量子计算研究及产业发展提供深度分析和前瞻性研判。中国量子信息奠基人、中国科学院院士郭光灿受邀担任智库名誉主编，这进一步凸显了智库的权威性和专业性。郭光灿院士的加入，无疑将为智库的研究工作带来丰富的学术资源和深刻的行业洞察。智库将优先服务于中国首个量子计算产业联盟的102个成员单位，这不仅有助于提升联盟成员的科研能力和产业竞争力，也将为中国量子计算产业的整体发展提供强有力的智力支持。图：中国首个量子... 查看更多 -
微软量子战略揭秘：解读1200量子比特的技术突破2024-09-11在全球量子计算的竞赛中，微软再度领跑，宣布与Atom Computing公司合作，计划打造出拥有超过1200个物理量子比特的量子计算机。这一雄心勃勃的目标，不仅标志着量子计算技术的显著进步，也为量子计算的未来应用提供了强有力的支撑。微软与Atom Computing的联合行动无疑将量子计算的竞争推向了新的高度，成为该领域的重要里程碑。微软的量子愿景：硬件与软件的深度融合微软近年来在量子计算领域持续发力，逐步显现出其在硬件和软件上的综合实力。Atom Computing的中性原子硬件技术结合微软的量子比特虚拟化系统，成功创造了高保真度的逻辑量子比特。这种合作不仅在硬件设计上实现了跨越式进步，还让量子计算系统的性能大幅提升。Atom Computing所提供的硬件平台拥有全互联量子比特连接、长相干时间、高精度测量等多项核心技术，这为量子纠错的扩展提供了坚实的基础。量子纠错是大规模量子计算的关键瓶颈，而该系统的独特优势使得量子纠错的实现变得更加可行。中性原子技术通过重置和复用量子比特，优化了计算过程中的资源分配，增强了系统的容错能力。这些技术特性对于突破量子计算的瓶颈，提升其性能和可靠性至关... 查看更多 -
八大原则：中国科学院规范AI技术使用2024-09-11随着人工智能（AI）技术在全球科研领域的迅速崛起，它带来了诸多机遇，同时也引发了一系列科研诚信和伦理问题。为应对这些挑战，中国科学院科研道德委员会发布了《关于在科研活动中规范使用人工智能技术的诚信提醒》（以下简称《诚信提醒》），旨在为科研人员和学生提供一套规范性准则，确保AI技术的透明、负责任和合规使用。该文件提出了八条原则，系统性地阐述了如何在科研过程中规范使用AI技术。AI技术的广泛应用与科研诚信的挑战随着AI技术在科研中的广泛应用，诸如文献检索、数据分析、成果撰写和同行评议等环节都受到AI工具的深远影响。然而，AI生成内容的真实性、准确性和可靠性并不总是令人满意。科研人员如果过度依赖AI工具，甚至未经辨识地采纳其生成的内容，可能会导致科研失实、数据造假等问题。因此，科研诚信的维护变得尤为紧迫。《诚信提醒》的出台正是回应了这种潜在风险，强调在科研过程中应以诚信为本，确保AI技术使用的合法性和合规性。《诚信提醒》不仅为AI技术的合理应用设定了标准，也为防范科研不端行为提供了框架性指导。图：中国科学院提出AI技术使用的八大原则八大原则详解：引导AI技术规范化使用1. 真实性与可靠性辨识... 查看更多 -
中国半导体产业升级加速：核力创芯交付首批氢离子注入芯片2024-09-11在全球半导体行业的竞争中，中国正迅速崛起为重要的创新者和技术引领者。近日，国家电力投资集团所属的核力创芯（无锡）科技有限公司（简称“核力创芯”）成功完成了首批氢离子注入芯片的交付。这一重要进展不仅标志着中国在半导体制造关键技术上的又一次重大突破，还表明中国的半导体产业正在加速升级，进一步巩固了其在全球半导体供应链中的战略地位。核心技术突破：氢离子注入的关键角色氢离子注入技术是集成电路制造过程中不可或缺的一环，特别是在功率半导体和第三代半导体器件的生产中，它能够极大提升芯片的性能和可靠性。过去，中国在这一领域的核心技术和设备主要依赖进口，尤其是600V以上的高压功率芯片生产，长期受到国外供应商的技术垄断和制约。核力创芯通过自主创新，打破了这一技术壁垒，实现了100%自主知识产权和装备国产化，迈出了中国半导体技术自主化进程中的关键一步。该公司的技术研发历时不到三年，攻克了多项技术难关，成功构建了国内首个融合核技术和半导体应用的交叉学科研发平台。此次交付的首批氢离子注入芯片，经过了累计近万小时的工艺测试与可靠性验证，技术指标达到国际先进水平，并获得了用户的高度认可。这一成绩彰显了中国在半导体... 查看更多 -
揭穿电力恐慌：人工智能的真实能源需求解析2024-09-11近日，资深电子工程师比尔·施韦伯（Bill Schweber）在EEtimes上发表了标题为《人工智能计算实际上需要多少电力？1》的文章。作者深耕技术领域多年，在本文中，他通过探讨人工智能（AI）计算所需的电力消耗，引发了对未来AI发展中能源需求的思考和讨论。中国出海半导体网今日将跟您一同来读一读这篇文章。文章一开头，施韦伯巧妙地引用了著名棒球运动员Yogi Berra的经典话语：“预测未来非常困难”，直接点出人工智能未来的电力需求尚不可知的事实。尽管这个问题被广泛讨论，但实际答案充满不确定性。作者批判了当前一些市场研究和媒体报道通过不完整的数据或推断，制造关于电力短缺的恐慌性结论，如高盛、彭博社、国际能源署等发布的预测。施韦伯指出，这些预测通常依赖于“趋势延伸法”，即将现有趋势简单延续至未来，忽视了现实中的技术拐点、市场事件和不可预测的因素。特别是媒体常用此类预测引发焦虑，以吸引更多关注和资金支持。即使个别报告中提到的“ChatGPT比谷歌搜索消耗更多电力”的数据，在没有整体背景的情况下，也容易误导公众。作者并非完全否定人工智能在未来可能增加电力消耗的可能性，但他强调，AI算法及其相... 查看更多 -
突破硅基限制：信越化学300毫米QST衬底开启GaN技术新篇章2024-09-11在全球半导体产业迅速发展的背景下，氮化镓（GaN）技术凭借其在高频、高功率、高温和高压应用中的卓越性能，正在成为推动行业变革的关键力量之一。近期，日本信越化学工业株式会社宣布，成功开发并开始提供用于GaN外延生长的300毫米（12英寸）QST（Qromis基板技术）衬底样品。这一重要进展不仅标志着GaN技术的一个新的里程碑，同时为全球半导体行业带来了新的增长机会。GaN因其宽禁带特性以及高导热性、高击穿电场强度、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，近年来在5G通信、新能源汽车和消费电子等多个领域展现出巨大的应用潜力。特别是在功率电子领域，GaN器件的高频和高效特性使其成为推动电力电子技术革命的关键材料。信越化学此次推出的300毫米QST衬底，极大地提升了GaN器件制造的灵活性，为高质量、大尺寸GaN外延层的生产铺平了道路。图：信越化学300毫米QST衬底GaN技术的成熟与市场前景信越化学的这一突破，正值GaN技术日趋成熟之际。与传统的硅基半导体相比，GaN凭借更高的能效、更佳的热管理能力和更小的器件尺寸，成为了未来技术的理想选择。在功率电子领域，GaN器件已经逐步被用于数据中心、汽车动... 查看更多
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