存储行业拐点至下半年将迎复苏
半导体行业包括集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业，其中集成电路又可根据功能细分为存储器、逻辑电路、模拟电路、微处理器等领域。存储芯片是半导体核心元器件之一，根据其性质可划分为不同的类型。按照掉电后数据是否可以继续保存在器件内，存储芯片可分为掉电易失和掉电非易失两种，其中易失存储芯片主要包含静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）；非易失性存储器主要包括可编程只读存储器（PROM），闪存存储器（Flash）和可擦除可编程只读寄存器（EPROM/EEPROM）等。
图1：存储芯片类型
根据世界半导体贸易统计（WSTS）数据，2021 年全球半导体行业规模达到5559亿美元，同比增长 26%。其中存储器细分赛道的占比为28%，市场规模为1538亿美元，同比增长 31%，是半导体市场中规模最大的子行业。此外，2021 年全球光电子器件、分立器件、传感器市场规模分别为 424.04、303.37、191.49 亿美元，占比分别为 8%、5%、3%。而在全球半导体存储市场中，DRAM和NANDFlash 是主要的两种存储芯片，占据主导地位。其中，2021 年 DRAM约占56%，NANDFlash约占 41%。其他形态的存储产品，如以 NOR Flash 为代表的小容量存储，占比约为 2%。
存储芯片作为半导体产业的风向标，呈现出较强的周期性，行业景气度受供需关系影响较大，在景气度高涨时，各厂商扩大产能以增加收入，易导致供应过剩，而在景气度下降时则收缩产能、降价清理库存，最终导致市场供不应求。此外，存储市场具有长期成长性，随着人工智能、物联网、云计算等行业的快速发展，整个存储行业长期市场规模持续上行。
2022年在宏观经济环境恶化和地缘因素影响下，全球消费电子市场需求下滑明显，终端、渠道、原厂库存高企，进一步抑制了对存储产品的需求。据CFM闪存市场预测，2023Q2 存储市场规模有望逐季增长。存储容量方面，2022 年 NAND Flash 市场容量规模增长 6%，达 610 B GB；DRAM存储容量规模将增长4%，达194 B Gb，2023 年随着需求逐步改善，预计NAND和DRAM存储容量规模将分别同比增长20%、10%。
需求端：存储行业反弹，AI 服务器推动需求增长
目前存储行业下游市场占比较大的是智能手机、服务器、PC 等。根据CFM闪存市场数据，2021 年 DRAM 下游应用中，智能手机、PC、服务器占比分别为35%、16%、33%；NAND 的下游应用中，手机、cSSD、eSSD、存储卡/UFD占比分别为 34%、22%、26%、9%。
图2：2021年全球NAND下雨市场应用占比
手机：下半年有望迎来小幅反弹
2019年-2022年，全球智能手机出货量整体起伏不大，稳定在12-14 亿台左右: 国内智能手机出货量自 2016 年以来持续减少，2021 年实现15.93%的大幅反弹，而受制于疫情影响，换机周期延长等不利因素，2022 年国内手机市场继续萎缩。2023 年随着海外中低端 5G 手机普及率的提高、通胀政善以及中国疫情管控的放松等因素，全球及国内智能手机出货量有望实现反弹。
手机平均容量不断增长助推存储需求增长。由于近年来新旧智能手机之间的差异逐渐缩小，消费者换机周期不断延长、对大容量机型的需求更加强烈。高端旗舰手机基于品牌定位和足够的利润空间，不断提升产品性能和存储容量，小米13Pro、OPPO Find N2、vivo X90 Pro 和荣耀80 Pro等各大手机厂商最新推出的旗舰手机，普遍采用 UFS3.1/UFS4.0 和 LPDDR5/LPDDR5X 技术，存储容量普遍达到256GB及以上，搭载 256GB 以上存储容量的高端智能手机占比逐步提升。
PC：Q1全球PC出货量下跌33%，预计下半年将复苏
PC：Q1全球PC出货量下跌33%，预计下半年将复苏。据Canalys数据，2023Q1全球个人电脑的总出货量下降33%至5400万台，连续四个季度达到两位数的年跌幅。当前 PC 需求仍旧疲软，以华硕、联想、小米为代表的主流PC厂商销量下滑、库存水位上涨，在2022Q2创下库存周转天数新高，整体行业库存仍未恢复健康状态，2023年随着需求逐步复苏，库存有望恢复正常水平。
图3：各PC厂商库存周转天数变化情况
服务器: 短期需求承压，下半年出货量有望恢复
2022H2 主要的云服务采购商 AWS、Azure、谷歌和Meta 的业务收入增速均出现放缓，其中 AWS在2022Q3增速放缓至27.5%，为自2014年以来最低；Azure的增速则放缓至35%，服务器市场开始一轮库存调整，预计持续至23Q2结束。但由于AI和云计算的整体增长前景向好，CFM闪存市场预计2022年服务器出货量为1330万台同比增长3%，2023年有望恢复至5%的增速。
HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是基于3D堆叠工艺的新型DRAM 解决方案，HBM 使 DRAM 从传统 2D 转变为立体3D，充分利用空间、缩小面积，突破了内存容量与带宽瓶颈。HBM 主要是通过硅通孔（TSV）技术进行芯片堆叠，以增加吞吐量并克服单一封装内带宽的限制，将数个DRAM裸片垂直堆叠。通过增加带宽，扩展内存容量，使模型与参数留在离核心计算更近的地方，从而降低延迟。未来人工智能、机器学习、高性能计算、数据中心等应用市场对带宽将提出更高的要求，持续驱动 HBM 迭代发展。
受益于AI应用爆发，AI服务器市场有望持续扩张。TrendForce数据，AI服务器2022-2026 年复合增长率达10.8%，至2026年AI 服务器年出货量有望达到20万台左右。此外，随着 AI 技术对高算力的需求增长，HBM芯片有望快速放量。根据Omida，2019年HBM市场规模为5亿美元，至2025年市场规模有望达25亿美元。
图4：各代HBM产品的数据传输路径配置
汽车电子：汽车电动化及智能化有望提升车载存储需求
根据中汽协数据，国内新能源汽车出货量从 2016 年的51.7 万辆增长至2022年的 705.8 万辆，CAGR 达 54.6%。据美光数据，新一代IVI 系统和更先进的驾驶辅助系统等的需求增长，将推动 2023 年汽车存储市场的强劲增长。具体来看，随着自动驾驶 L1 发展至 L5 等级，车载智能芯片、T-BOX、GW、液晶仪表盘、DVR 和 EDR 等对汽车本地存储的需求越来越高，车辆搭载的摄像头、激光雷达、热成像等传感器的需求也将不断增加以满足数据收集、交换和实时信息分享的需求，从而推动汽车存储市场规模的增长，2030 年预计可达到200 亿美元规模，其中最大的推动力来自 IVI 信息娱乐系统和 ADAS 的发展。
供给端：各大存储厂缩减资本开支，存储芯片供需关系有望改善
由于下游需求持续低迷，海力士、美光、旺宏、华邦电等各大存储芯片大厂均缩减资本开支、调低产能利用率，未来随着各大存储厂商主动去库存和减产，供需关系有望持续改善。
销售端：2022Q4 三星存储部门营收 12.14 万亿韩元，同比下降38%，环比下降20%。2022Q4 三星 DS 部门营业利润为 0.27 万亿韩元，同比下降97%，环比下跌 95%。
图5：2021Q4-2022Q4三星DS部门利润
2023Q1 SK 海力士营收 5.09 万亿韩元，同比下降58%，环比下降34%，其中，NAND 业务收入占比 33%，约 1.68 万亿韩元；DRAM业务收入占比58%，约2.95 万亿韩元。营业利润为-3.4 万亿韩元，净利润-2.59 万亿韩元。
美光 FY2023Q2 季度营收 36.93 亿美元，同比下降53%，环比下降10%。其中DRAM 收入 27.22 亿美元，占营收 74%，同比下降52.4%，环比下降3.8%。DRAM Bit 出货量环比增长约 15%，DRAM ASP 环比下降约20%。NAND 收入 8.85 亿美元，占总营收 24%，同比下降54.8%，环比下降19.8%。NAND Bit 出货量环比增加约 5%~10%，NAND ASP 环比下跌约25%。美光预计23 年 DRAM Bit 需求增长放缓至 5%左右，NAND Bit 需求增长在低双位数百分比范围。
库存端：库存接近历史高点，2023Q2 有望逐步下降。截至2023Q1，海外存储大厂库存压力普遍较大，从库存水位来看，美光平均库存周转天数为235 天，库存减记后为 153 天，预计库存周转天数已经在该季度达到峰值，预计Q2 后库存有望逐步下降。
价格端：供需关系改善，加速价格拐点到来
DRAM：目前市场仍处于消费需求疲弱的局面，存储器厂商库存压力持续。由于海外多家供应商已开始积极减产，预计价格跌幅有望收敛。TrendForce预计2023Q2 DRAM 价格跌幅有望收敛至10~15%。
图6：主流DDR4现货平均价格走势（美元）
NAND Flash：目前 PC、手机端等市场需求仍处于萎缩阶段。在市场需求、通货膨胀等多种不确定因素的影响下，预测 NAND 在 2023 上半年仍处于供应过剩局面，价格存在继续下跌的可能。TrendForce 预计 2023Q2 NANDFlash 价格跌幅有望收敛至 5~10%。
综上，从需求端来看，存储芯片需求仍保持较低水平，而供给端来看，随着各大厂商主动去库存和减产，供需关系有望持续改善。基于目前供需关系，行业景气度位于底部区域，23H2 需求有望触底回升。
