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描述:采用Solder Bar FCLGA 3.5mm x 2.13mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。
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描述:采用FCLGA 3.2mm x 2.2mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。
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描述:采用DFN 5mm x 6mm 封装的650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管。
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描述:INN650N2K2A 是650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管裸片。
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描述:INN040W048A是基于先进的BiGaN技术及极低导通电阻的双向导通的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。
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描述:INN650D140A是采用DFN 8mm x 8mm 封装的650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管。
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