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英诺赛科

英诺赛科150V增强型氮化镓功率半导体INN150LA070A

采用FCLGA 3.2mm x 2.2mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。

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商家资质:

美格智能技术股份有限公司成立于2007年，总部位于广东省深圳市。作为全球领先的无线通信模组及解决方案提供商，美格智能致力建设研发驱动型企业，公司研发基地主要设立在深圳、上海和西安，物联网研发人员规模超过千人。

产品介绍&应用领域

产品详情

描述：

采用FCLGA 3.2mm x 2.2mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。

特性
  • 硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管技术
  • 极低栅极电荷
  • 极低导通电阻
  • 超小封装尺寸
  • 零反向恢复电荷
应用领域
  • 同步整流
  • Class D功放
  • 高频DC-DC转换器
  • 通信基站
  • 电机驱动

产品规格

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型号：英诺赛科100V增强型氮化镓功率半导体INN100W032A
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产品-英诺赛科100V增强型氮化镓功率半导体INN100W032A
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描述：采用Solder Bar FCLGA 3.5mm x 2.13mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。
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供应商：英诺赛科
询价：
型号：英诺赛科150V增强型氮化镓功率半导体INN150LA070A
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产品-英诺赛科150V增强型氮化镓功率半导体INN150LA070A
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描述：采用FCLGA 3.2mm x 2.2mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。
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供应商：英诺赛科
询价：
型号：英诺赛科650V 氮化镓增强型功率晶体管INN650N500A
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产品-英诺赛科650V 氮化镓增强型功率晶体管INN650N500A
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描述：650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管。
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供应商：英诺赛科
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型号：英诺赛科650V 氮化镓增强型功率晶体管INN650DA140A
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产品-英诺赛科650V 氮化镓增强型功率晶体管INN650DA140A
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描述：采用DFN 5mm x 6mm 封装的650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管。
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供应商：英诺赛科
询价：
型号：英诺赛科650V 氮化镓增强型功率晶体管 INN650N2K2A
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产品-英诺赛科650V 氮化镓增强型功率晶体管 INN650N2K2A
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描述：INN650N2K2A 是650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管裸片。
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供应商：英诺赛科
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型号：英诺赛科40V双向导通增强型场效应晶体管 INN040W048A
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产品-英诺赛科40V双向导通增强型场效应晶体管 INN040W048A
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描述：INN040W048A是基于先进的BiGaN技术及极低导通电阻的双向导通的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。
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供应商：英诺赛科
询价：
型号：英诺赛科650V 氮化镓增强型功率晶体管 INN650D140A
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产品-英诺赛科650V 氮化镓增强型功率晶体管 INN650D140A
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描述：INN650D140A是采用DFN 8mm x 8mm 封装的650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管。
规格书：--
供应商：英诺赛科
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