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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频 、高温条件下工作,派恩杰平面型...
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,1200V模块。此 SiC Module采用HPD封装。
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更...
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小...
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更...
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具...
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