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派恩杰半导体

派恩杰功率元件 SiC MODULE-PAA12400BM3

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具有优异的性能；能够减小系统体积；提升整体效率；减小散热面积；车规级器件；降低系统成本；降低电磁干扰。

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商家资质:

派恩杰半导体（杭州）有限公司成立于2018年9月，是全国领先的第三代半导体功率器件供应商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。

产品介绍&应用领域

产品详情

描述：

碳化硅（SiC）属于第三代半导体，1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。

特征
  • 符合AECQ-101
  • 100%UIS测试
  • 极小的反向恢复损耗
  • 优异的高温特性
  • 抗潮湿能力
  • 卓越的散热能力
优势
  • 优异的性能
  • 减小系统体积
  • 提升整体效率
  • 减小散热面积
  • 车规级器件
  • 降低系统成本
  • 降低电磁干扰
应用领域
  • 光伏逆变器系统
  • 储能系统
  • 不间断供电电源

产品规格

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型号：派恩杰功率元件SIC MOSFET-P3M171K0T3
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产品-派恩杰功率元件SIC MOSFET-P3M171K0T3
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描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频 、高温条件下工作，派恩杰平面型...
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供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
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型号：派恩杰功率元件SiC MODULE-PAAC12400CM
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产品-派恩杰功率元件SiC MODULE-PAAC12400CM
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描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，1200V模块。此 SiC Module采用HPD封装。
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供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
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型号：派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06002E2
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产品-派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06002E2
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描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更...
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供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
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型号：派恩杰功率元件SIC MOSFET-P3M12080K3
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产品-派恩杰功率元件SIC MOSFET-P3M12080K3
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描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小...
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型号：派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06010T2
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产品-派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06010T2
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描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更...
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供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
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型号：派恩杰功率元件SiC SBD-P3D12005K2
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产品-派恩杰功率元件SiC SBD-P3D12005K2
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描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更...
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供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
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型号：派恩杰功率元件 SiC MODULE-PAIA1250AM
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产品-派恩杰功率元件 SiC MODULE-PAIA1250AM
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描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具...
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供应商：派恩杰半导体（杭州）有限公司
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型号：派恩杰功率元件 SiC MODULE-PAA12400BM3
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产品-派恩杰功率元件 SiC MODULE-PAA12400BM3
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描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具...
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型号：派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12080K4
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产品-派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12080K4
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描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小...
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型号：派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12040K4
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产品-派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12040K4
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描述：碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小...
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