英文版

东芯半导体

东芯存储器 LPDDR系列

东芯的LPDDR系列产品具有LPDDR1, LPDDR2, LPDDR4X三个系列。 LPDDR1的核心电压与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V，因此非常适合应用在各种移动设备中。LPDDR系列产品将广泛应用于可穿戴/遥控设备等便携式产品。

快速询价

恭喜您，提交成功，请耐心等待我们联系您。

返回

产品数量

首页 > 原厂专区 > 东芯半导体股份有限公司 > 产品详情

商家资质:

东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司，矢志成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。

产品介绍&应用领域

产品详情

描述：

东芯的LPDDR系列产品具有LPDDR1, LPDDR2, LPDDR4X三个系列。 LPDDR1的核心电压与IO电压均低至1.8V，LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V，LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V，因此非常适合应用在各种移动设备中。LPDDR系列产品将广泛应用于可穿戴/遥控设备等便携式产品。

特性

密度：LPDDR1 128Mb/256Mb/512Mb/1Gb/2Gb；LPDDR2 1Gb/2Gb/4Gb；LPDDR4X 1Gb/2Gb
电压：LPDDR1 1.8V；LPDDR2 1.8V/1.2V；LPDDR4X 1.1V/0.6V
温度：-40℃~85℃
线宽：LPDDR1 x16/x32；LPDDR2 x16/x32；LPDDR4X x16/x32
速度：LPDDR1 166Mhz/200MHz；LPDDR2 400MHz/533MHz；LPDDR4X 1600Mhz/1866Mhz/2133MHz
封装：LPDDR1 60/90ball FBGA/KGD；LPDDR2 134ball FBGA；LPDDR4X 200ball FBGA

产品规格

品牌库存产品推荐

型号

图片

批号

封装

数量

仓库

描述

规格书

供应商

询价

型号：东芯存储器 SPI NOR Flash

对比

产品-东芯存储器 SPI NOR Flash

批号：--

封装：--

数量：--

仓库：--

描述：提供通用SPI接口、不同规格的NOR Flash，容量从64Mb到1Gb，电压为1.8V，支持Single/Dual/Q...

规格书：--

供应商：东芯半导体股份有限公司

询价：

型号：东芯存储器 SPI NAND Flash

对比

产品-东芯存储器 SPI NAND Flash

批号：--

封装：--

数量：--

仓库：--

描述：单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据...

规格书：--

供应商：东芯半导体股份有限公司

询价：

型号：东芯存储器 PPI NAND Flash

对比

产品-东芯存储器 PPI NAND Flash

批号：--

封装：--

数量：--

仓库：--

描述：兼容传统的并行接口标准，高可靠性。可提供容量从1Gb到8Gb， 3.3V/1.8V两种电压，多种封装方式的产品，以满足不...

规格书：--

供应商：东芯半导体股份有限公司

询价：

型号：东芯存储器 MCP

对比

产品-东芯存储器 MCP

批号：--

封装：--

数量：--

仓库：--

描述：东芯MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合，Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V可满...

规格书：--

供应商：东芯半导体股份有限公司

询价：

型号：东芯存储器 DDR3（L）

对比

产品-东芯存储器 DDR3（L）

批号：--

封装：--

数量：--

仓库：--

描述：东芯的DDR3（L）产品可提供1.5V/1.35V两种电压模式，具有标准SSTL接口、8n-bit prefetch D...

规格书：--

供应商：东芯半导体股份有限公司

询价：

型号：东芯存储器 LPDDR系列

对比

产品-东芯存储器 LPDDR系列

批号：--

封装：--

数量：--

仓库：--

描述：东芯的LPDDR系列产品具有LPDDR1, LPDDR2, LPDDR4X三个系列。 LPDDR1的核心电压与IO电压均...

规格书：--

供应商：东芯半导体股份有限公司

询价：

登录

注册

登录

{{codeText}}

登录

{{codeText}}

提交