英诺赛科100V增强型氮化镓功率半导体INN100W032A

采用Solder Bar FCLGA 3.5mm x 2.13mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。

紫光展锐(上海)科技有限公司

英诺赛科

英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。

紫光展锐是全球的平台型芯片设计企业，全面掌握2G/3G/4G/5G、Wi-Fi、蓝牙、电视调频、卫星通信等全场景通信技术的企业之一。在5G领域，紫光展锐是全球3家5G芯,了解更多>>

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应用领域

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650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管。  

INN650N2K2A 是650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管裸片。

采用Solder Bar FCLGA 3.5mm x 2.13mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。

采用FCLGA 3.2mm x 2.2mm封装的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。

INN040W048A是基于先进的BiGaN技术及极低导通电阻的双向导通的硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管。

INN650D140A是采用DFN 8mm x 8mm 封装的650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管。

采用DFN 5mm x 6mm 封装的650V 硅基氮化镓增强型功率晶体管。