派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06002E2

碳化硅(SiC)属于第三代半导体,派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流,大大提升了系统效率,特别适合在高压高频条件下工作。同时解决了Si二极管的耐压极限问题和反向恢复损耗较大的问题,碳化硅二极管成本相对较低,已经广泛使用。派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景。
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派恩杰半导体(杭州)有限公司成立于2018年9月,是全国领先的第三代半导体功率器件供应商,国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一,参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。

产品介绍&应用领域

产品详情

描述

碳化硅(SiC)属于第三代半导体,派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流,大大提升了系统效率,特别适合在高压高频条件下工作。同时解决了Si二极管的耐压极限问题和反向恢复损耗较大的问题,碳化硅二极管成本相对较低,已经广泛使用。派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景。

特征
  • 优异的性能
  • 减小系统体积
  • 提升整体效率
  • 减小散热面积
  • 车规级器件
  • 降低系统成本
  • 降低电磁干扰
应用领域
  • 充电器

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产品-派恩杰功率元件SIC MOSFET-P3M171K0T3
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频 、高温条件下工作,派恩杰平面型...
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产品-派恩杰功率元件SiC MODULE-PAAC12400CM
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,1200V模块。此 SiC Module采用HPD封装。
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产品-派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06002E2
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更...
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产品-派恩杰功率元件SIC MOSFET-P3M12080K3
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小...
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产品-派恩杰功率元件SiC SBD-P3D06010T2
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更...
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产品-派恩杰功率元件SiC SBD-P3D12005K2
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更...
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产品-派恩杰功率元件 SiC MODULE-PAIA1250AM
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具...
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产品-派恩杰功率元件 SiC MODULE-PAA12400BM3
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,1200V 5.6mΩ模块。此 SiC Module采用62mm模块封装形式。该产品具...
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产品-派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12080K4
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小...
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产品-派恩杰功率元件 SIC MOSFET-P3M12040K4
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描述:碳化硅(SiC)属于第三代半导体,SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作,提高频率可减小...
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